一种粉体抑爆剂及其制备方法

    专利查询2025-12-29  15


    本发明属于抑爆剂,尤其涉及一种粉体抑爆剂及其制备方法。


    背景技术:

    1、铝、镁及其合金等金属粉尘广泛存在于冶金、航空航天、3d打印等行业,在产尘、集尘、处置等各环节中普遍存在燃爆风险,且具有易自燃、点火能量低、爆炸威力大、致灾因素多样等特点,近年来火炸药事故频发,除了上述特点外,火炸药的自供氧体系使得其危险性更大,一旦发生事故,将造成严重的人员伤亡、经济损失和恶劣的社会负面影响。

    2、粉尘爆炸已成为防范遏制重特大生产安全事故的重要监管领域,金属粉尘爆炸则成为各类粉尘爆炸事故防范的重中之重,炸药安全生产的重要性也与日俱增。目前抑爆技术发展不充分,金属粉尘爆炸事故和火炸药生产事故防范总体技术水平与发达国家仍存在显著差距,严重制约安全生产的健康发展。

    3、当今粉体抑爆剂形式单一且低效,缺乏高效、环保以及经济的抑爆剂,同时现有的新型粉体抑爆剂也亟待改进。


    技术实现思路

    1、针对上述技术问题,本发明提出了一种粉体抑爆剂及其制备方法。该抑爆剂具有抑爆效果好、环境友好、经济等特点,其制备方法操作简单、污染小、易于实现量级生产。

    2、为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

    3、一种粉体抑爆剂的制备方法,包括以下步骤:

    4、将二价金属阳离子溶液和三价金属阳离子溶液加入去离子水中,加热搅拌,得到溶液a;

    5、将naoh溶液和nah2po4溶液加入去离子水中,加热搅拌,得到溶液b;

    6、在氮气氛围中,将所述溶液b逐滴加入溶液a中,滴加过程中保持ph值为8-10,滴加结束后反应8-12h;

    7、反应结束后,用无水乙醇洗涤、离心、抽滤、干燥,即可得到粉体抑爆剂。

    8、进一步地,所述二价金属阳离子溶液和三价金属阳离子溶液的体积比为(3-5)∶1。

    9、进一步地,所述二价金属阳离子为mg2+、co2+、fe2+或ni2+;所述三价金属阳离子为al3+或fe3+。

    10、进一步地,所述加热搅拌的温度均为70℃。

    11、进一步地,所述naoh溶液和nah2po4溶液的体积比为4∶1。

    12、本发明还提供一种利用上述制备方法制备得到的粉体抑爆剂。

    13、本发明还提供一种粉体抑爆剂作为抑爆材料的应用。

    14、进一步地,所述粉体抑爆剂的使用浓度为300-600g/m3。

    15、进一步地,所述粉体抑爆剂的使用浓度为600g/m3。

    16、与现有技术相比,本发明具有如下优点和技术效果:

    17、(1)本发明所制备的粉体抑爆剂相较传统抑爆剂效果更好,具备物理与化学协同抑爆作用,抑爆性能优越;

    18、(2)具有环境友好、经济高效的特点。

    19、(3)制备方法简单,原料廉价易得,容易实现量级生产。



    技术特征:

    1.一种粉体抑爆剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

    2.根据权利要求1所述的粉体抑爆剂的制备方法,其特征在于,所述二价金属阳离子溶液和三价金属阳离子溶液的体积比为(3-5)∶1。

    3.根据权利要求2所述的粉体抑爆剂的制备方法,其特征在于,所述二价金属阳离子为mg2+、co2+、fe2+或ni2+;所述三价金属阳离子为al3+或fe3+。

    4.根据权利要求1所述的粉体抑爆剂的制备方法,其特征在于,所述加热搅拌的温度均为70℃。

    5.根据权利要求1所述的粉体抑爆剂的制备方法,其特征在于,所述naoh溶液和nah2po4溶液的体积比为4∶1。

    6.一种利用权利要求1-5任一项所述的制备方法制备得到的粉体抑爆剂。

    7.一种如权利要求6所述的粉体抑爆剂作为抑爆材料的应用。

    8.根据权利要求7所述的应用,其特征在于,所述粉体抑爆剂的使用浓度为300-600g/m3。

    9.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,所述粉体抑爆剂的使用浓度为600g/m3。


    技术总结
    本发明公开一种粉体抑爆剂及其制备方法,属于抑爆剂技术领域。括以下步骤:将二价金属阳离子溶液和三价金属阳离子溶液加入去离子水中,加热搅拌,得到溶液A;将NaOH溶液和NaH<subgt;2</subgt;PO<subgt;4</subgt;溶液加入去离子水中,加热搅拌,得到溶液B;在氮气氛围中,将所述溶液B逐滴加入溶液A中,滴加过程中保持pH值为8‑10,滴加结束后反应12h;反应结束后,用无水乙醇洗涤、离心、抽滤、干燥,即可得到粉体抑爆剂。该抑爆剂具有抑爆效果好、环境友好、经济等特点,其制备方法操作简单、污染小、易于实现量级生产。

    技术研发人员:韩志跃,吴玺,王成,张信睿
    受保护的技术使用者:北京理工大学
    技术研发日:
    技术公布日:2024/11/26
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