本发明涉及半导体激光器，尤其涉及一种发光器件结构。
背景技术：
1、led芯片中p/n导通路径是在发光区内设置多个规则排列的凹陷，通过多金属设计的反射层和导电层实现p到n的电流流通，在通过绝缘层隔离p和n，防止直接导通造成短路,从而实现发光发亮。现有技术，流过器件的电并不能全部转换成光，因此提高器件的发光效率，减少器件发热等损失，稳定器件是半导体行业一直要攻克的技术点。本发明提出了一种发光器件结构，优化电流扩展，从而稳定器件的结构和方法。
技术实现思路
1、基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种发光器件结构，不缩减发光面积的前提下增加电流流通通道，进而优化电流的横向扩展和纵向扩展，减少器件工作产生的热效应，提高器件稳定性。
2、本发明提出的一种发光器件结构，包括基板、第一半导体层、第二半导体层和有源层；基板上依次生长第一半导体层、有源层、第二半导体层；还包括如下：
3、贯穿第二半导体层及有源层，并延伸到第一半导体层内部的第一凹陷和第二凹陷，第一凹陷和第二凹陷均设置两处，且对应的第一凹陷和第二凹陷均对称设置；
4、与第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层，与第一导电层形成电连接的反射层，与反射层形成电连接的第二导电层，与第二导电层形成电连接的第三导电层，与第三导电层形成电连接的第一焊盘；第一导电层、反射层、第二导电层、第三导电层、第一焊盘共同组成第一电连接层；
5、覆盖于第二半导体层部分表面及第一导电层部分表面的第一绝缘层；覆盖于第一凹陷侧壁、第一绝缘层部分表面及第一电连接层一侧的第二绝缘层；接触于第二绝缘层表面并且与第一半导体层形成电连接的第三导电层，第三导电层与第二焊盘组成第二电连接层；
6、覆盖于第三导电层表面，且隔离第一电连接层和第二电连接层直接导通的第三绝缘层；
7、第一凹陷分布在发光区域，第二凹陷分布在发光外围，且第一凹陷和第二凹陷区域电位一致。
8、优选地，第一凹陷在发光区域按阵列形式分布；第二凹陷在发光外围规则分布。
9、优选地，第二凹陷释放绝缘层产生的应力。
10、优选地，第二凹陷增加了电流流通的通道。
11、优选地，所述反射层为包含多层结构，所述第二导电层、第三导电层、第一焊盘均为包含多层金属结构。
12、本发明中的有益效果为：
13、第二凹陷的设计可以释放绝缘层产生的应力，减少因应力导致的曲翘或绝缘层断裂等不稳定因素，进而提高器件的稳定性；
14、第一凹陷和第二凹陷两处区域电势一致，可以防止器件内部因电位差导致金属迁移等，进而提高器件的稳定性；
15、第二凹陷的设计增加了电流流通的通道，进而优化电流的横向扩展和纵向扩展，减少器件工作产生的热效应，提高器件稳定性。
1.一种发光器件结构，包括基板(3)、第一半导体层(1)、第二半导体层(2)和有源层(4)；基板(3)上依次生长第一半导体层(1)、有源层(4)、第二半导体层(2)；其特征在于，还包括如下：
2.根据权利要求1所述的一种发光器件结构，其特征在于，第一凹陷(5)在发光区域按阵列形式分布；第二凹陷(6)在发光外围规则分布。
3.根据权利要求1所述的一种发光器件结构，其特征在于，第二凹陷(6)释放绝缘层产生的应力。
4.根据权利要求1所述的一种发光器件结构，其特征在于，第二凹陷(6)增加了电流流通的通道。
5.根据权利要求1所述的一种发光器件结构，其特征在于，所述反射层(8)为包含多层结构，所述第二导电层(9)、第三导电层(10)、第一焊盘(11)均为包含多层金属结构。
