本发明属于开关电源，具体涉及一种基于反激拓扑同步整流mos管开通判别方法。
背景技术：
1、随着科学技术的发展，提升装备的智能化成为了目前装备研制的重点课题，而集成电路和智能算法是提升装备智能化的重中之重。电源是各种集成电路必不可少的组成部分，它的性能直接影响到电子设备的技术指标及其安全性、可靠性。随着半导体器件尺寸的不断减小，芯片的电路规模与性能获得了大幅提升，与此同时芯片的供电电压不断降低，进而降低功耗，这给供电电源带来的问题便是供电电流大幅的提高。反激拓扑凭借其结构简单，体积小，可以多路输出等优势使之在小功率电源中占据非常重要的地位，传统的反激电路通常在次级使用肖特基二极管实现整流功能，如图1所示，然而二极管的导通压降大，在低压大电流的应用场景下，会存在较大的导通损耗，降低电源的效率。为进一步提升效率，通常采用同步整流技术，用导通电流小，开关可控的mos管代替二极管来整流，从而达到降低导通损耗，提升效率的目的。
2、然而mos管可以双向导通，如果控制不当，在初级开关管导通时，次级整流mos管误通时可能会造成短路，对模块造成不可逆的损害。现有的同步整流技术通过检测次级整流mos管两端漏源电压到达设定阈值，发出信号驱动次级整流mos管开启，而实际应用中mos管非理想器件，内部存在寄生电容和寄生电感，在开通、关断切换的过程中，部分能量在寄生电感和寄生电容之间相互传递，循环往复、造成谐振，可能会造成同发整流误开启，为解决此类问题，设计一种基于反激拓扑同步整流mos管开通判别方法，避免这种误开启，保证系统稳定。
3、同步整流技术中判断开通整流mos管，通过sr控制器检测次级整流mos管漏源电压vds是否到达阈值(通常为-400mv)来判断是否开通次级整流mos管，当漏源电压低于-400mv时，经过电路内部的一段延迟(死区时间)后发出控制驱动信号，开通次级二极管。由于电路中储能元件的存在，次級整流mos管的源漏两端发振铃现象，此时可能会导致次级整流mos管误导通，故设计一种新型基于反激拓扑整流mos管开通电路，避免此类误导通的出现。
技术实现思路
1、本发明的目的是解决反激电路同步整流方法中，由于电路以及器件的寄生电感电容产生的谐振，而导致次级整流mos管误导通的问题，设计一种判断次级mos管开通的方法，可以有效的避免由于谐振或振铃而引发的误导通问题。
2、本发明的一种基于反激拓扑同步整流mos管开通判别方法，它包括以下步骤：
3、步骤1：首先采集反激电路的开关频率，计算出开关周期，通过周期以及占空比计算出初级mos管的导通时间ton。
4、步骤2：获取输出电压vo，获取次级整流mos管的漏极与源极之间的电压vds，设置比较器检测并记录vds与输出电压vo的大小关系。
5、步骤3：在电路运行状态下，每个开关周期中，当检测到初级mos管导通时，开始记录在初级mos管的导通的ton时间内，vds等于vo的次数m，以及相等的时间点。
6、步骤4：当检测到次级整流mos管的漏源电压vds低于设定阈值vt时，判断在此时之前的tth时间内，vds等于vo的次数n，若n＝1时，此时控制同步整流mos管开通。若n≥2时，说明此时系统处于由储能元件的作用下产生的振铃现象中，此时不允许开关管开通。
7、通过比较漏源电压vds到达设定阈值vt时的前tth时间内，vds与vo两者的大小关系变化频率，得知目前电路的状态，如果vds与vo两者的大小关系频繁变换，则证明电路此时处于振铃状态，此时开通整流mos管属于误导通。若在只有一次由vds>vo变为vds<vo时，说明此时是初级mos管正常关闭，且此时漏源电压vds到达设定阈值vt，可以正常开通整流mos管。
8、本发明所具有的有益效果为：
9、本发明通过次级整流mos管漏源电压和输出电压的大小关系，结合漏源电压是否到达阈值综合判断是否开始次级同步整流mos管，可以有效的避免由于电路以及器件的寄生电感电容产生的振铃现象，而导致次级整流mos管误导通的问题，提高反激电路的可靠性，保证系统稳定。
1.一种基于反激拓扑同步整流mos管开通判别方法，其特征在于，它包括以下步骤：
