双栅晶体管、像素驱动电路和显示面板的制作方法

1.本发明实施例涉及显示的技术领域，尤其涉及一种双栅晶体管、像素驱动电路和显示面板。


背景技术：

2.现有的显示面板一般采用像素驱动电路驱动发光器件发光，以实现显示面板的显示。像素驱动电路通常包括薄膜晶体管(thin film transistor，tft)，用于为发光器件提供驱动电流。示例性地，图1为现有技术提供的一种像素驱动电路的结构示意图。如图1所示，该像素驱动电路包括开关晶体管m1、驱动晶体管m2和存储电容cst，开关晶体管m1的栅极与扫描信号端scan连接，开关晶体管m1的第一极与数据信号端data连接，开关晶体管m1的第二极与驱动晶体管m2的栅极和存储电容cst的第一极连接，驱动晶体管m2的第一极与存储电容cst的第二极和第一电源端vdd连接，驱动晶体管m2的第二极与发光器件oled的阳极连接，发光器件oled的阴极与第二电源端vss连接。图1中示例性地示出了开关晶体管m1和驱动晶体管m2为p型晶体管。当扫描信号端scan提供的扫描信号为低电平时，开关晶体管m1导通，数据信号端data提供的数据电压通过开关晶体管m1传输至驱动晶体管m2的栅极，使得驱动晶体管m2根据数据电压和第一电源端vdd提供的第一电压产生驱动电流，驱动发光器件oled发光。在像素驱动电路中，不同的tft具有不同的作用，使得不同的tft具有不同的特性需求。示例性地，如图1所示，开关晶体管m1主要具有像素开关作用，因此开关晶体管m1对响应速率有很高的要求。驱动晶体管m2主要用于驱动发光器件oled发光，因此驱动晶体管m2对灰阶控制能力有很高的要求。尤其是显示面板采用高动态范围成像(high dynamic range imaging，hdr)技术显示时，驱动晶体管m2对灰阶控制能力要求更高，使得显示面板能够显示更多灰阶数的画面。
3.图2为现有技术提供的一种晶体管的结构示意图。如图2所示，晶体管为铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，igzo)双栅晶体管，该双栅晶体管包括基板00，设置于基板00上的底栅bg，设置于底栅bg远离基板00一侧的底栅绝缘层bgi，设置于底栅绝缘层bgi远离基板00一侧的igzo半导体层01，igzo半导体层01包括与底栅bg垂直相对设置的沟道区和沟道区两侧的源极区和漏极区，设置于igzo半导体层01远离基板00一侧的源极s和漏极d，并分别与igzo半导体层01的源极区和漏极区连接，设置于源极s和漏极d远离基板00一侧的顶栅绝缘层tgi，设置于顶栅绝缘层tgi远离基板00一侧的顶栅tg。该双栅晶体管具有较高的迁移率、较大的开态电流、比较小的亚阈值摆幅以及稳定性比较好的阈值电压的特性。当该双栅晶体管应用于像素驱动电路中，图3为现有技术提供的另一像素驱动电路的结构示意图。如图3所示，当开关晶体管m1采用双栅晶体管时，双栅晶体管的高迁移率特性可以提高开关晶体管m1的响应速率。同时开关晶体管m1的顶栅和底栅均与扫描信号端scan连接，形成“同步”双栅tft，通过开关晶体管m1的双栅同步控制开关晶体管m1的导通或截止状态，可以减小开关晶体管m1的漏电流。当驱动晶体管m2采用双栅晶体管时，双栅晶体管的比较小的亚阈值摆幅特性可以提高驱动晶体管m2的灰阶控制能力。同时驱动晶体管m2的第
二极和底栅与发光器件oled的阴极连接，形成“异步”双栅tft，从而抑制了驱动晶体管m2的阈值电压漂移，提高了驱动晶体管m2形成的驱动电流的稳定性，提高了发光器件oled的发光亮度的稳定性。然而，驱动晶体管m2的灰阶控制能力仍然比较低，当像素驱动电路用于搭载hdr的显示面板时，驱动晶体管m2的灰阶控制能力无法满足显示面板的显示需求。


技术实现要素：

4.本发明提供一种双栅晶体管、像素驱动电路和显示面板，以提高双栅晶体管的亚阈值斜率，进而提高了双栅晶体管的灰阶控制能力。
5.第一方面，本发明实施例提供了一种双栅晶体管，包括：
6.第一栅极、第一极和第二极；所述第一栅极、所述第一极和所述第二极同层设置；
7.第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述第一栅极的一侧；
8.有源层，所述有源层设置于所述第一绝缘层远离所述第一栅极的一侧，所述有源层包括沟道区、第一区和第二区，所述沟道区设置于所述第一区和所述第二区之间，所述第一区与所述第一极连接，所述第二区与所述第二极连接；
9.第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述有源层远离所述第一绝缘层的一侧，所述第二绝缘层的单位面积电容大于或等于所述第一绝缘层的单位面积电容的2倍；
10.第二栅极，所述第二栅极设置于所述第二绝缘层远离所述有源层的一侧，所述第二栅极与所述第一极电连接。
11.可选地，所述第二栅极在所述双栅晶体管厚度方向的垂直投影与所述第二绝缘层在所述双栅晶体管厚度方向的垂直投影重合。
12.可选地，双栅晶体管还包括导电层，所述导电层设置于所述第二栅极远离所述第二绝缘层的一侧，所述导电层通过过孔分别与所述第二栅极和所述第一极电连接。
13.可选地，双栅晶体管还包括平坦化层，所述平坦化层设置于所述第二栅极远离所述第二绝缘层的一侧。
14.可选地，双栅晶体管还包括信号输出端，所述信号输出端与所述第二极电连接，所述信号输出端与所述导电层同层设置。
15.第二方面，本发明实施例还提供了一种像素驱动电路，包括写入晶体管、驱动晶体管、第一电容和发光器件；所述驱动晶体管采用第一方面提供的双栅晶体管；
16.所述写入晶体管的第一极与数据信号输入端连接，所述写入晶体管的栅极与第一扫描信号输入端连接，所述写入晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一栅极和所述第一电容的第一极连接，所述驱动晶体管的第二栅极与第一电压端连接，所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件的阳极连接，所述发光器件的阴极和所述第一电容的第二极与第二电压端连接。
17.可选地，所述写入晶体管为双栅晶体管。
18.可选地，像素驱动电路还包括补偿晶体管、发光控制晶体管、复位晶体管和第二电容；
19.所述第二电容串联于所述写入晶体管的第二极和所述驱动晶体管的第一栅极之间，所述补偿晶体管的栅极与第二扫描信号输入端连接，所述补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第一栅极连接，所述补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二栅极和所
述发光控制晶体管的第二极连接，所述发光控制晶体管的第一极与所述第一电压端连接，所述发光控制晶体管的栅极与发光控制信号输入端连接，所述复位晶体管的栅极与所述第一扫描信号输入端连接，所述复位晶体管的第一极与复位信号输入端连接，所述复位晶体管的第二极与所述发光器件的阳极连接。
20.可选地，所述补偿晶体管为双栅晶体管。
21.第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括第二方面提供的像素驱动电路。
22.本发明实施例的技术方案，通过设置第一栅极、第一极和第二极同层设置，第二栅极与第一极电连接，同时第二绝缘层的单位面积电容大于或等于第一绝缘层的单位面积电容的2倍，使得第二绝缘层的载荷迁移率大于第一绝缘层的载荷迁移率，从而使得第二栅极对双栅晶体管的电流控制能力大于第一栅极对双栅晶体管的电流控制能力，进而增加双栅晶体管的亚阈值斜率，使得双栅晶体管由截止状态切换为导通状态时，更容易实现双栅晶体管的亚阈值斜率线性变化，从而可以通过控制双栅晶体管的栅极和源极的压差，更精确的控制了双栅晶体管输出的电流大小。当双栅晶体管用于像素驱动电路中的驱动晶体管时，可以通过双栅晶体管更准确的控制像素驱动电路输出的电流，从而提高了双栅晶体管的灰阶控制能力，有利于实现像素驱动电路所在的显示面板的显示效果。
附图说明
23.图1为现有技术提供的一种像素驱动电路的结构示意图；
24.图2为现有技术提供的一种晶体管的结构示意图；
25.图3为现有技术提供的另一像素驱动电路的结构示意图；
26.图4为本发明实施例提供的一种双栅晶体管的结构示意图；
27.图5为本发明实施例提供的另一种双栅晶体管的结构示意图；
28.图6为本发明实施例提供的一种像素驱动电路的结构示意图；
29.图7为本发明实施例提供的另一种像素驱动电路的结构示意图；
30.图8为本发明实施例提供的另一种像素驱动电路的结构示意图；
31.图9为本发明实施例提供的另一种像素驱动电路的结构示意图；
32.图10为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
33.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
34.图4为本发明实施例提供的一种双栅晶体管的结构示意图。如图4所示，该双栅晶体管包括：
35.第一栅极g1、第一极11和第二极12；第一栅极g1、第一极11和第二极12同层设置；
36.第一绝缘层13，第一绝缘层13设置于第一栅极g1的一侧；
37.有源层14，有源层14设置于第一绝缘层13远离第一栅极g1的一侧，有源层14包括沟道区141、第一区142和第二区143，沟道区141设置于第一区142和第二区143之间，第一区
142与第一极11连接，第二区143与第二极12连接；
38.第二绝缘层15，第二绝缘层15设置于有源层14远离第一绝缘层13的一侧，第二绝缘层15的单位面积电容大于或等于第一绝缘层13的单位面积电容的2倍；
39.第二栅极g2，第二栅极g2设置于第二绝缘层15远离有源层14的一侧，第二栅极g2与第一极11电连接。
40.具体地，当图4为双栅晶体管为底栅在下顶栅在上的剖面图时，则图4中示例性示出的第一栅极g1为底栅，第二栅极g2为顶栅。在其他实施例中，还可以设置第一栅极g1为顶栅，第二栅极g2为底栅。在形成第一栅极g1时，可以形成第一导电层，示例性的，第一导电层可以为金属层。然后对第一导电层进行图案化，形成第一栅极g1。在对第一导电层进行图案化时，可以在第一栅极g1的两侧同时图案化形成第一极11和第二极12，使得第一极11和第二极12与第一栅极g1同层设置。其中，第一极11可以为双栅晶体管的源极，第二极12为双栅晶体管的漏极，或者，第一极11可以为双栅晶体管的漏极，第二极12为双栅晶体管的源极。在形成第一栅极g1后，在第一栅极g1的一侧形成第一绝缘层13，第一绝缘层13作为第一栅极g1的栅极绝缘层。第一绝缘层13在第一栅极g1的一侧同时覆盖第一极11和第二极12，使得第一栅极g1、第一极11和第二极12与后续的膜层绝缘。在第一绝缘层13远离第一栅极g1的一侧形成有源层14，示例性的，有源层14可以为igzo半导体层，其中，构成igzo半导体层的半导体材料可以是金属氧化物(in2o3)x(mo)y(zno)z，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x y z＝1，m为镓、锡、硅、铝、镁、钽、铪、钇、镍、锆或镧系稀土元素中的一种或两种以上的任意组合。通过对有源层14进行不同的掺杂，使得有源层14包括沟道区141和设置于沟道区141两侧的第一区142和第二区143，第一区142与第一极11连接，第二区143与第二极12连接，使得第一区142和第二区143分别作为源极区和漏极区。其中，当第一极11为源极，第二极12为漏极时，第一区142为源极区，第二区143为漏极区。当第一极11为漏极，第二极12为源极时，第一区142为漏极区，第二区143为源极区。在形成有源层14后，在有源层14远离第一绝缘层13的一侧形成第二绝缘层15，然后在第二绝缘层15远离有源层14的一侧形成第二栅极g2，使得第二栅极g2通过第二绝缘层15与其他膜层绝缘，从而形成双栅晶体管。
41.另外，第二栅极g2与第一极11电连接，同时第二绝缘层15的单位面积电容大于或等于第一绝缘层13的单位面积电容的2倍，使得第二绝缘层15的载荷迁移率大于第一绝缘层13的载荷迁移率，从而使得第二栅极g2对双栅晶体管的电流控制能力大于第一栅极g1对双栅晶体管的电流控制能力，进而增加双栅晶体管的亚阈值斜率，使得双栅晶体管由截止状态切换为导通状态时，更容易实现双栅晶体管的亚阈值斜率线性变化，从而可以通过控制双栅晶体管的栅极和源极的压差，更精确的控制了双栅晶体管输出的电流大小。当双栅晶体管用于像素驱动电路中的驱动晶体管时，可以通过双栅晶体管更准确的控制像素驱动电路输出的电流，从而提高了双栅晶体管的灰阶控制能力，有利于实现像素驱动电路所在的显示面板的显示效果。示例性的，表1为本发明实施例提供的一种双栅晶体管的性能参数表。如表1所示，本发明实施例提供的双栅晶体管的亚阈值斜率的平均值可以达到0.47，相对于现有技术提供的igzo双栅晶体管，其亚阈值斜率一般在0.1～0.3范围内，大多位于0.2左右，本发明实施例提供的双栅晶体管的亚阈值斜率明显增加。另外，表1还示出了各参数的最大值和最小值之差，通过各参数的最大值和最小值之差，可以确定各参数的离散度，从而有利于确定各参数的设置范围，方便实验过程中确定双栅晶体管的参数范围。示例性的，
表1示出了亚阈值斜率的最大值和最小值之差，通过亚阈值斜率的最大值和最小值之差，可以确定亚阈值斜率的离散度，从而有利于确定亚阈值斜率的范围，方便实验过程中确定双栅晶体管的亚阈值斜率的准确范围。
42.表1本发明实施例提供的一种双栅晶体管的性能参数表
[0043][0044]
需要说明的是，图4中示例性的示出了第二栅极g2可以通过第二栅极g2和第一极11之间的膜层上的过孔与第一极11电连接，且过孔与有源层14不接触。
[0045]
本实施例的技术方案，通过设置第一栅极、第一极和第二极同层设置，第二栅极与第一极电连接，同时第二绝缘层的单位面积电容大于或等于第一绝缘层的单位面积电容的2倍，使得第二绝缘层的载荷迁移率大于第一绝缘层的载荷迁移率，从而使得第二栅极对双栅晶体管的电流控制能力大于第一栅极对双栅晶体管的电流控制能力，进而增加双栅晶体管的亚阈值斜率，使得双栅晶体管由截止状态切换为导通状态时，更容易实现双栅晶体管的亚阈值斜率线性变化，从而可以通过控制双栅晶体管的栅极和源极的压差，更精确的控制了双栅晶体管输出的电流大小。当双栅晶体管用于像素驱动电路中的驱动晶体管时，可以通过双栅晶体管更准确的控制像素驱动电路输出的电流，从而提高了双栅晶体管的灰阶控制能力，有利于实现像素驱动电路所在的显示面板的显示效果。
[0046]
继续参考图4，第二栅极g2在双栅晶体管厚度方向x的垂直投影与第二绝缘层15在双栅晶体管厚度方向x的垂直投影重合。
[0047]
具体的，在形成第二绝缘层15和第二栅极g2时，可以通过自对准技术，使得第二栅极g2的图形与第二绝缘层15的图形相同，从而使得第二栅极g2在双栅晶体管厚度方向x的垂直投影与第二绝缘层15在双栅晶体管厚度方向x的垂直投影重合，有利于减小双栅晶体管的体积。
[0048]
图5为本发明实施例提供的另一种双栅晶体管的结构示意图。如图5所示，双栅晶体管还包括导电层16，导电层16设置于第二栅极g2远离第二绝缘层15的一侧，导电层16通过过孔h1分别与第二栅极g2和第一极11电连接。
[0049]
具体的，如图5所示，当第二栅极g2的图形比较小时，双栅晶体管还可以额外设置一次导电层16，用于实现第二栅极g2与第一极11的电连接，有利于减小双栅晶体管的体积。示例性的，如图5所示，导电层16设置于第二栅极g2远离第二绝缘层15的一侧，且导电层16和第二栅极g2之间具有绝缘层，通过在绝缘层上设置过孔h1，使得导电层16与第二栅极g2
电连接。同时，在导电层16和第一极11之间的膜层上设置过孔h1，可以实现导电层16与第一极11的电连接，进而实现了第二栅极g2与第一极11的电连接，同时可以尽可能的减小第二栅极g2的图形，有利于减小双栅晶体管的体积。
[0050]
在上述各技术方案的基础上，双栅晶体管还包括平坦化层，平坦化层设置于第二栅极远离第二绝缘层的一侧。
[0051]
具体的，当双栅晶体管包括导电层时，平坦化层可以设置于导电层远离第二栅极的一侧。当双栅晶体管不包括导电层时，平坦化层设置于第二栅极远离第二绝缘层的一侧。通过在第二栅极远离第二绝缘层的一侧设置平坦化层，可以平坦化第二栅极所在的膜层或者导电层所在的膜层，使得双栅晶体管用于显示面板时，有利于在平坦化层远离第二栅极的一侧形成发光器件，简化了显示面板的制作过程。
[0052]
继续参考图5，双栅晶体管还包括信号输出端17，信号输出端17与第二极12电连接，信号输出端17与导电层16同层设置。
[0053]
具体的，当双栅晶体管用于显示面板中像素驱动电路的驱动晶体管时，双栅晶体管的第二极12与显示面板的电源信号线或数据线连接，而电源信号线和数据线一般设置于显示面板中的第三导电层或第四导电层，通过设置信号输出端17与导电层16同层设置，可以避免额外设置一层导电层。且信号输出端17可以通过过孔与第二极12连接，从而使得第二极12通过信号输入端17与显示面板上的电源信号线或数据线连接，简化了显示面板上的线路连接过程。
[0054]
本发明实施例还提供了一种像素驱动电路。图6为本发明实施例提供的一种像素驱动电路的结构示意图。如图6所示，该像素驱动电路包括写入晶体管t1、驱动晶体管t2、第一电容c1和发光器件d1；驱动晶体管t2采用本发明实施例提供的双栅晶体管；写入晶体管t1的第一极与数据信号输入端vdata连接，写入晶体管t1的栅极与第一扫描信号输入端s1连接，写入晶体管t1的第二极与驱动晶体管t2的第一栅极和第一电容c1的第一极连接，驱动晶体管t2的第二栅极与第一电压端v1连接，驱动晶体管t2的第二极与发光器件d1的阳极连接，发光器件d1的阴极和第一电容c1的第二极与第二电压端v2连接。
[0055]
具体的，图6中示例性的示出了写入晶体管t1和驱动晶体管t2为n型晶体管。其中，驱动晶体管t2为本发明实施例提供的双栅晶体管时，可以设置驱动晶体管t2的第二栅极与第一极连接。在像素驱动电路工作的过程中，当第一扫描信号输入端s1提供的第一扫描信号为高电平时，控制写入晶体管t1导通，数据信号输入端vdata提供的数据信号通过写入晶体管t1传输到驱动晶体管t2的第一栅极，使得驱动晶体管t2导通，并根据驱动晶体管t2的第一栅极和第一极之间的压差形成驱动电流，驱动放器件d1发光。
[0056]
本实施例的技术方案，通过设置像素驱动电路中的驱动晶体管为本发明实施例提供的双栅晶体管，可以在像素驱动电路的工作过程中，可以根据栅极和第一极直接的压差为发光器件提供更精确的驱动电流，从而提高了驱动晶体管的灰阶控制能力，有利于实现像素驱动电路所在的显示面板的显示效果。
[0057]
在上述技术方案的基础上，图7为本发明实施例提供的另一种像素驱动电路的结构示意图。如图7所示，写入晶体管t1为双栅晶体管。
[0058]
具体的，写入晶体管t1为开关晶体管，通过设置写入晶体管t1为双栅晶体管，可以保证写入晶体管t1对响应速率的需求，保证像素驱动电路的工作性能。
[0059]
需要说明的是，写入晶体管t1为双栅晶体管时，该双栅晶体管可以为现有技术中的igzo双栅晶体管，以保证写入晶体管t1的响应速率。
[0060]
图8为本发明实施例提供的另一种像素驱动电路的结构示意图。如图8所示，像素驱动电路还包括补偿晶体管t3、发光控制晶体管t4、复位晶体管t5和第二电容c2；第二电容c2串联于写入晶体管t1的第二极和驱动晶体管t2的第一栅极之间，补偿晶体管t3的栅极与第二扫描信号输入端s2连接，补偿晶体管t3的第一极与驱动晶体管t2的第一栅极连接，补偿晶体管t3的第二极与驱动晶体管t2的第二栅极和发光控制晶体管t4的第二极连接，发光控制晶体管t4的第一极与第一电压端v1连接，发光控制晶体管t4的栅极与发光控制信号输入端em连接，复位晶体管t5的栅极与第一扫描信号输入端s1连接，复位晶体管t5的第一极与复位信号输入端res连接，复位晶体管t5的第二极与发光器件d1的阳极连接。
[0061]
具体的，图8中示例性的示出了补偿晶体管t3、发光控制晶体管t4和复位晶体管t5均为n型晶体管。在像素驱动电路工作的过程中，在第一阶段，第一扫描信号输入端s1提供的第一扫描信号为高电平，控制写入晶体管t1和复位晶体管t5导通，数据信号输入端vdata提供的数据信号通过写入晶体管t1传输到第二电容c2的第一极，并通过第二电容c2传输至驱动晶体管t2的第一栅极，控制驱动晶体管t2导通。复位信号输入端res提供的复位信号通过复位晶体管t5传输至发光器件d1的阳极，对发光器件d1的阳极进行复位。在第二阶段，第二扫描信号输入端s2提供的第二扫描信号为高电平，控制补偿晶体管t3导通，第二电容c2的电位通过补偿晶体管t3传输至驱动晶体管t2的第一极和第二栅极，实现驱动晶体管t2的阈值补偿，直至驱动晶体管t2截止。在第三阶段，发光控制信号输入端em提供的发光控制信号控制发光控制晶体管t4导通，使得第一电压端v1提供的第一电压传输至驱动晶体管t2的第一极，使得驱动晶体管t2导通，并根据第一电压和阈值补偿后的数据电压形成驱动电流，驱动发光器件d1发光。
[0062]
本实施例的技术方案，同样设置驱动晶体管为本发明实施例提供的双栅晶体管，使得驱动晶体管可以根据栅极和第一极直接的压差为发光器件提供更精确的驱动电流，从而提高了驱动晶体管的灰阶控制能力，有利于实现像素驱动电路所在的显示面板的显示效果。
[0063]
图9为本发明实施例提供的另一种像素驱动电路的结构示意图。如图9所示，补偿晶体管t3为双栅晶体管。
[0064]
具体的，补偿晶体管t3为开关晶体管，通过设置补偿晶体管t3为双栅晶体管，可以保证补偿晶体管t3对响应速率的需求，保证像素驱动电路的工作性能。
[0065]
需要说明的是，补偿晶体管t3为双栅晶体管时，该双栅晶体管可以为现有技术中的igzo双栅晶体管，以保证补偿晶体管t3的响应速率。另外，在像素驱动电路中，除驱动晶体管t2以外的晶体管均为开关晶体管，在其他实施例中，发光控制晶体管t4和复位晶体管t5也可以设置为双栅晶体管，以进一步的提高像素驱动电路的工作性能。
[0066]
本发明实施例还提供一种显示面板。图10为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图10所示，该显示面板包括本发明任意实施例提供的像素驱动电路10。
[0067]
具体的，如图10所示，显示面板可以包括显示区aa和非显示区naa，显示区aa可以包括阵列排布的多个像素驱动电路10，非显示区naa包括数据驱动及时序控制模块101、行驱动电路102、数据线103、多路复用电路104和扫描线105。数据驱动及时序控制模块101可
以为数据线103提供数据信号。每条数据线103与一个多路复用电路104的输入端连接，每个多路复用电路104的多个输出端分别与一列像素驱动电路10连接，为一列像素驱动电路10提供数据信号。行驱动电路102与数据驱动及时序控制模块101连接，行驱动电路102用于在数据驱动及时序控制模块101的控制下逐行输出扫描信号。行驱动电路102具有多个输出端，每个输出端与一条扫描线105连接，每条扫描线105对应连接一行像素驱动电路10，从而使得像素驱动电路10依次根据扫描信号和数据信号显示，实现显示面板的显示。
[0068]
本实施例的技术方案，由于显示面板包括本发明任意实施例提供的像素驱动电路，使得像素驱动电路具有很好的灰阶控制能力，使得像素驱动电路能够更精确的驱动显示面板中的发光器件发光，从而提高了显示面板的显示效果。
[0069]
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。