本发明涉及陶瓷基板，尤其涉及一种陶瓷基板及其制作方法。
背景技术：
1、目前，陶瓷基板由于散热性能、载流能力、绝缘性、热膨胀系数等优于普通的玻璃纤维pcb板材，从而被广泛应用于大功率电力半导体模块、功率控制电路、汽车电子、航天航空及军用电子组件、太阳能电池板组件等领域。在制作陶瓷基板时，采用的流延浆料固含量较低，经过常规的流延、叠层、烧结工序操作之后，所得产品翘曲度的较大，从而影响产品的质量。
2、上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
1、本发明的主要目的在于提供一种陶瓷基板及其制作方法，旨在降低产品的翘曲度，从而提升产品质量。
2、为实现本发明的目的，本发明提供一种陶瓷基板的制作方法，所述制作方法包括以下步骤：配制流延浆料，所述流延浆料的固含量为65-70wt％；
3、将所述流延浆料依次进行流延成型、叠层和烧结，得到所述陶瓷基板。
4、在一实施例中，以质量份数计，流延浆料包括以下原料：
5、氧化铝粉40-60份、氧化钙0.1-1份、氧化镁0.1-1份、二氧化硅0.1-1份、溶剂30-45份、增塑剂5-10份和粘结剂7-10份。
6、在一实施例中，所述氧化铝粉的纯度为99-99.999％；和/或，所述氧化铝粉的d50值为0.5-1.0μm。
7、在一实施例中，所述溶剂包括酯和醇，所述酯和所述醇的质量比为(1-3):(7-9)，其中，所述酯为乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯中的至少一种，所述醇为乙醇、丙醇、异丙醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇中的至少一种。
8、在一实施例中，所述烧结包括第一阶段烧结和所述第二阶段烧结，所述第一阶段烧结为先升温后保温的过程，升温后的温度为400-1000℃，第二阶段烧结为先升温、再保温、后降温的过程，升温后的温度为1400-1750℃。
9、在一实施例中，所述第二阶段烧结的升温速率为0.1-4℃/min，降温速率为0.5-1℃/min，保温时间为2-4h。
10、在一实施例中，所述第二阶段烧结的进气流量为1-5l/min。
11、在一实施例中，所述第一阶段烧结的升温速率为0.1-3℃/min，保温时间为4-6h。
12、在一实施例中，所述叠层为等静压叠层，等静压叠层的温度为50-80℃，压力为50-100mpa，保压时间为5-20min。
13、本发明还提供了一种陶瓷基板，陶瓷基板采用如上所述的陶瓷基板的制作方法制作得到。
14、本发明的技术方案，通过将流延浆料的固含量控制在65-70wt％范围内，可以提高流延成型的生坯密度，有效减小后续烧结收缩速率及形变，从而降低烧结后所得产品的翘曲度，提升产品质量。
1.一种陶瓷基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的陶瓷基板的制作方法，其特征在于，以质量份数计，流延浆料包括以下原料：
3.如权利要求2所述的陶瓷基板的制作方法，其特征在于，所述氧化铝粉的纯度为99-99.999％；和/或，
4.如权利要求2所述的陶瓷基板的制作方法，其特征在于，所述溶剂包括酯和醇，所述酯和所述醇的质量比为(1-3):(7-9)，其中，所述酯为乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯中的至少一种，所述醇为乙醇、丙醇、异丙醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇中的至少一种。
5.如权利要求1至4中任一项所述的陶瓷基板的制作方法，其特征在于，所述烧结包括第一阶段烧结和所述第二阶段烧结，所述第一阶段烧结为先升温后保温的过程，升温后的温度为400-1000℃，第二阶段烧结为先升温、再保温、后降温的过程，升温后的温度为1400-1750℃。
6.如权利要求5所述的陶瓷基板的制作方法，其特征在于，所述第二阶段烧结的升温速率为0.1-4℃/min，降温速率为0.5-1℃/min，保温时间为2-4h。
7.如权利要求5所述的陶瓷基板的制作方法，其特征在于，所述第二阶段烧结的进气流量为1-5l/min。
8.如权利要求5所述的陶瓷基板的制作方法，其特征在于，所述第一阶段烧结的升温速率为0.1-3℃/min，保温时间为4-6h。
9.如权利要求1至4中任一项所述的陶瓷基板的制作方法，其特征在于，所述叠层为等静压叠层，等静压叠层的温度为50-80℃，压力为50-100mpa，保压时间为5-20min。
10.一种陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板采用如权利要求1至9中任一项所述的陶瓷基板的制作方法制作得到。
