本发明属于芯片功耗优化，更具体地，涉及一种工业级芯片原子钟功耗优化方法及系统。
背景技术：
1、芯片原子钟是一种利用原子频率标准来保持高度准确时间的时钟。与传统石英振荡器不同，原子钟利用原子跃迁频率作为其计时基准，通常基于铯、氢或铷等元素的原子跃迁特性。芯片原子钟具有以下特点：
2、高精度：芯片原子钟能够提供比传统时钟高得多的时间精度，误差通常在每年几微秒的范围内。
3、小型化：与传统的大型原子钟相比，芯片原子钟具有更小的尺寸，适用于便携设备和空间有限的应用场景。
4、低功耗：芯片原子钟设计时注重低功耗，适合长时间运行和电池供电的应用。
5、但是现有技术中并没有一种技术方案能够对原子钟的功耗进行优化。
技术实现思路
1、为解决以上技术问题，本发明提出一种工业级芯片原子钟功耗优化方法，包括：
2、获取芯片原子钟的实时信息，其中，所述实时信息包括：芯片原子钟的当前工作温度、最佳工作温度、当前时钟频率、最佳时钟频率、当前时钟精度和最佳精度；
3、设置受温度影响的功耗评估函数，并根据所述实时信息，计算受温度影响的芯片原子钟功耗；
4、设置受频率影响的功耗评估函数，并根据所述实时信息，计算受频率影响的芯片原子钟功耗；
5、设置受精度影响的功耗评估函数，并根据所述实时信息，计算受精度影响的芯片原子钟功耗；
6、设置受温度、频率和精度共同影响的功耗评估函数，并根据所述实时信息，计算受温度、频率和精度共同影响的芯片原子钟功耗；
7、对受温度影响的芯片原子钟功耗、受频率影响的芯片原子钟功耗、受精度影响的芯片原子钟功耗和受温度、频率和精度共同影响的芯片原子钟功耗，进行加权求和，计算芯片原子钟的最终功率，并通过调整各个功耗评估函数中的参数，完成功耗优化，使所述最终功率达到要求。
8、进一步的，所述受温度影响的功耗评估函数包括：
9、ptemp＝exp(k1·sin(a·(t-toptimal)))·|t-toptimal|b
10、其中，ptemp为受温度影响的芯片原子钟功耗，k1为第一温度影响因子，a为第二温度影响因子，t为芯片原子钟的当前工作温度，toptimal为芯片原子钟的最佳工作温度，b为第三温度影响因子。
11、进一步的，所述受频率影响的功耗评估函数包括：
12、
13、其中，pfreq为受频率影响的芯片原子钟功耗，k2为第一频率影响因子，c为第二频率影响因子，f为芯片原子钟的当前时钟频率，k3为第三频率影响因子，fthreshold为时钟频率阈值，用于控制高频下的功耗衰减，k4为第四频率影响因子，g为第五频率影响因子，h为第六频率影响因子，foptimal为芯片原子钟的最佳时钟频率。
14、进一步的，所述受精度影响的功耗评估函数包括：
15、
16、其中，pprecision为受精度影响的芯片原子钟功耗，k5为第一精度影响因子，d为第二精度影响因子，e为芯片原子钟的当前时钟精度，eoptimal为芯片原子钟的最佳精度，芯片原子钟在最佳精度下的功耗最低，k6为第三精度影响因子，i为第四精度影响因子，j为第五精度影响因子，k7为第六精度影响因子，k8为第七精度影响因子，ethreshold为精度阈值。
17、进一步的，所述受温度、频率和精度共同影响的功耗评估函数包括：
18、
19、其中，pinteraction为受温度、频率和精度共同影响的芯片原子钟功耗，k9为第一共同影响的影响因子，e为第二共同影响的影响因子，k10为第三共同影响的影响因子，l为第四共同影响的影响因子，m为第五共同影响的影响因子，k11为第六共同影响的影响因子，n为第七共同影响的影响因子，o为第八共同影响的影响因子。
20、进一步的，使所述最终功率达到要求包括：设置最终功率阈值，使所述最终功率低于所述最终功率阈值。
21、本发明还提出一种工业级芯片原子钟功耗优化系统，包括：
22、获取信息模块，用于获取芯片原子钟的实时信息，其中，所述实时信息包括：芯片原子钟的当前工作温度、最佳工作温度、当前时钟频率、最佳时钟频率、当前时钟精度和最佳精度；
23、温度影响评估模块，用于设置受温度影响的功耗评估函数，并根据所述实时信息，计算受温度影响的芯片原子钟功耗；
24、频率影响评估模块，用于设置受频率影响的功耗评估函数，并根据所述实时信息，计算受频率影响的芯片原子钟功耗；
25、精度影响评估模块，用于设置受精度影响的功耗评估函数，并根据所述实时信息，计算受精度影响的芯片原子钟功耗；
26、综合影响评估模块，用于设置受温度、频率和精度共同影响的功耗评估函数，并根据所述实时信息，计算受温度、频率和精度共同影响的芯片原子钟功耗；
27、优化模块，用于对受温度影响的芯片原子钟功耗、受频率影响的芯片原子钟功耗、受精度影响的芯片原子钟功耗和受温度、频率和精度共同影响的芯片原子钟功耗，进行加权求和，计算芯片原子钟的最终功率，并通过调整各个功耗评估函数中的参数，完成功耗优化，使所述最终功率达到要求。
28、进一步的，所述受温度影响的功耗评估函数包括：
29、ptemp＝exp(k1·sin(a·(t-toptimal)))·|t-toptimal|b
30、其中，ptemp为受温度影响的芯片原子钟功耗，k1为第一温度影响因子，a为第二温度影响因子，t为芯片原子钟的当前工作温度，toptimal为芯片原子钟的最佳工作温度，b为第三温度影响因子。
31、进一步的，所述受频率影响的功耗评估函数包括：
32、
33、其中，pfreq为受频率影响的芯片原子钟功耗，k2为第一频率影响因子，c为第二频率影响因子，f为芯片原子钟的当前时钟频率，k3为第三频率影响因子，fthreshold为时钟频率阈值，用于控制高频下的功耗衰减，k4为第四频率影响因子，g为第五频率影响因子，h为第六频率影响因子，foptimal为芯片原子钟的最佳时钟频率。
34、进一步的，所述受精度影响的功耗评估函数包括：
35、
36、其中，pprecision为受精度影响的芯片原子钟功耗，k5为第一精度影响因子，d为第二精度影响因子，e为芯片原子钟的当前时钟精度，eoptimal为芯片原子钟的最佳精度，芯片原子钟在最佳精度下的功耗最低，k6为第三精度影响因子，i为第四精度影响因子，j为第五精度影响因子，k7为第六精度影响因子，k8为第七精度影响因子，ethreshold为精度阈值。
37、总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下有益效果：
38、本发明通过以上技术方案，能够设置受温度影响的功耗评估函数，计算受温度影响的芯片原子钟功耗；设置受频率影响的功耗评估函数，计算受频率影响的芯片原子钟功耗；设置受精度影响的功耗评估函数，计算受精度影响的芯片原子钟功耗；设置受温度、频率和精度共同影响的功耗评估函数，计算受温度、频率和精度共同影响的芯片原子钟功耗；对受温度影响的芯片原子钟功耗、受频率影响的芯片原子钟功耗、受精度影响的芯片原子钟功耗和受温度、频率和精度共同影响的芯片原子钟功耗，进行加权求和，计算芯片原子钟的最终功率，并通过调整各个功耗评估函数中的参数，完成功耗优化，使所述最终功率达到要求，从而对工业级芯片原子钟功耗进行优化。
1.一种工业级芯片原子钟功耗优化方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种工业级芯片原子钟功耗优化方法，其特征在于，所述受温度影响的功耗评估函数包括：
3.如权利要求2所述的一种工业级芯片原子钟功耗优化方法，其特征在于，所述受频率影响的功耗评估函数包括：
4.如权利要求3所述的一种工业级芯片原子钟功耗优化方法，其特征在于，所述受精度影响的功耗评估函数包括：
5.如权利要求4所述的一种工业级芯片原子钟功耗优化方法，其特征在于，所述受温度、频率和精度共同影响的功耗评估函数包括：
6.如权利要求5所述的一种工业级芯片原子钟功耗优化方法，其特征在于，使所述最终功率达到要求包括：设置最终功率阈值，使所述最终功率低于所述最终功率阈值。
7.一种工业级芯片原子钟功耗优化系统，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的一种工业级芯片原子钟功耗优化系统，其特征在于，所述受温度影响的功耗评估函数包括：
9.如权利要求8所述的一种工业级芯片原子钟功耗优化系统，其特征在于，所述受频率影响的功耗评估函数包括：
10.如权利要求9所述的一种工业级芯片原子钟功耗优化系统，其特征在于，所述受精度影响的功耗评估函数包括：
