本公开涉及光电子制造，特别涉及一种载流子增程的发光二极管及其制备方法。
背景技术：
1、发光二极管(light emitting diode，简称：led)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
2、相关技术中，发光二极管包括：n型层、多量子阱层、p型层、p电极和n电极，n型层、多量子阱层和p型层依次层叠，p电极位于p型层的表面上，p型层具有n型层的凹槽，n电极位于凹槽内，且n电极与n型层相连。n型层产生的载流子是电子，p型层产生的载流子是空穴，电子和空穴在多量子阱层复合并发光。
3、由于电子的迁移速率比空穴快，空穴从p型层还未扩展至多量子阱层时，电子已经从n型层扩展至多量子阱层。所以发光二极管的发光强度较高的位置，取决于空穴最快到达的位置，也即是，p电极所在位置的发光强度较高。因此发光二极管上靠近p电极的区域发光强度要强于远离p电极的区域，影响发光二极管的发光效果。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种载流子增程的发光二极管及其制备方法，能增加载流子的运行路程，提升发光二极管的发光均匀性。所述技术方案如下：
2、一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：n型层、多量子阱层、p型层、n电极和p电极，所述n型层、所述多量子阱层和所述p型层依次层叠，所述p电极位于所述p型层的远离所述n型层的表面上，所述p型层的远离所述n型层的表面具有露出所述n型层的凹槽，所述n电极位于所述凹槽内，且与所述n型层相连；所述n型层和所述p型层中的至少一个具有隔断槽，所述隔断槽沿所述p型层至所述n型层的方向延伸，且所述隔断槽位于所述n电极和所述p电极之间，所述隔断槽的槽底至所述n型层的底面的距离小于所述凹槽的槽底至所述n型层的底面的距离。
3、可选地，所述n型层和所述p型层均具有所述隔断槽，所述p型层的远离所述n型层的表面具有所述隔断槽，所述n型层上的所述隔断槽位于所述凹槽内。
4、可选地，位于所述p型层上的所述隔断槽至所述n型层的底面的距离，小于或者等于位于所述凹槽内的所述隔断槽至所述n型层的底面的距离。
5、可选地，所述隔断槽的槽底至所述n型层的底面的最小距离与所述n型层的厚度之比小于或者等于1/2。
6、可选地，所述隔断槽从所述n型层的第一侧壁延伸至第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁为所述n型层上相对的两个侧壁，且所述第一侧壁和所述第二侧壁垂直于所述n型层的底面。
7、可选地，所述n型层和/或所述p型层的表面上具有多个所述隔断槽，多个所述隔断槽沿所述n型层的第一侧壁至第二侧壁的方向间隔排布，所述第一侧壁和所述第二侧壁为所述n型层上相对的两个侧壁，且所述第一侧壁和所述第二侧壁垂直于所述n型层的底面。
8、可选地，所述凹槽的槽底至所述n型层的底面的距离与所述n型层的厚度之比大于或者等于1/2。
9、可选地，所述发光二极管还包括：电流阻挡层、透明导电层和钝化层；所述电流阻挡层位于所述p型层的远离所述n型层的表面上，所述透明导电层位于所述p型层的远离所述n型层的表面上，且覆盖所述电流阻挡层；所述p电极位于所述透明导电层的表面上，所述钝化层位于所述p型层的表面上、所述透明导电层的表面上、所述p电极的表面上、所述隔断槽内、所述凹槽内和所述n电极的表面上，所述钝化层具有分别露出所述p电极和所述n电极的通孔。
10、本公开实施例提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：在衬底上依次层叠n型层、多量子阱层和p型层，所述p型层的远离所述n型层的表面具有露出所述n型层的凹槽；在所述n型层的表面和/或所述p型层的表面形成隔断槽，所述隔断槽沿所述p型层至所述n型层的方向延伸，所述隔断槽的槽底至所述n型层的底面的距离小于所述凹槽的槽底至所述n型层的底面的距离；制作p电极和n电极，所述p电极位于所述p型层的远离所述n型层的表面上，所述n电极位于所述凹槽内，且与所述n型层相连，所述隔断槽位于所述n电极和所述p电极之间。
11、可选地，形成隔断槽包括：在所述p型层的远离所述n型层的表面形成所述隔断槽，且在所述凹槽内形成所述隔断槽，并控制位于所述p型层上的所述隔断槽至所述n型层的底面的距离，小于或者等于位于所述凹槽内的所述隔断槽至所述n型层的底面的距离。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
13、本公开实施例提供的发光二极管在n型层和/或p型层的表面设置有隔断槽，隔断槽沿p型层至n型层的方向延伸。并且，隔断槽的槽底至n型层的底面的距离小于凹槽的槽底至n型层的底面的距离，即隔断槽至n型层的底面比凹槽至n型层的底面更近。由于隔断槽设置在p电极和n电极之间，这样n型层中的电子从n电极向p电极所在方向扩展时，电子需要跨过隔断槽，并从隔断槽的槽底和n型层的之间的区域通过，以进入到多量子阱层和p型层传输而来的空穴复合并发光。由于隔断槽的存在，让电子扩展至多量子阱层的路程得到延长，使电子有更多的时间扩展至多量子阱层。因而避免出现电子抵达多量子阱层时，空穴还未完全扩展至多量子阱层，而只能在p电极附近复合发光情况，能让更多空穴也均匀扩展至多量子阱层的各处区域，使得电子和空穴在多量子阱层的各个区域复合发光，从而提升发光二极管的发光均匀性。
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：n型层(21)、多量子阱层(22)、p型层(23)、n电极(41)和p电极(42)，所述n型层(21)、所述多量子阱层(22)和所述p型层(23)依次层叠，所述p电极(42)位于所述p型层(23)的远离所述n型层(21)的表面上，所述p型层(23)的远离所述n型层(21)的表面具有露出所述n型层(21)的凹槽(31)，所述n电极(41)位于所述凹槽(31)内，且与所述n型层(21)相连；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述n型层(21)和所述p型层(23)均具有所述隔断槽(32)，所述p型层(23)的远离所述n型层(21)的表面具有所述隔断槽(32)，所述n型层(21)上的所述隔断槽(32)位于所述凹槽(31)内。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，位于所述p型层(23)上的所述隔断槽(32)至所述n型层(21)的底面的距离，小于或者等于位于所述凹槽(31)内的所述隔断槽(32)至所述n型层(21)的底面的距离。
4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述隔断槽(32)的槽底至所述n型层(21)的底面的最小距离与所述n型层(21)的厚度之比小于或者等于1/2。
5.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述隔断槽(32)从所述n型层(21)的第一侧壁延伸至第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁为所述n型层(21)上相对的两个侧壁，且所述第一侧壁和所述第二侧壁垂直于所述n型层(21)的底面。
6.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述n型层(21)和/或所述p型层(23)的表面上具有多个所述隔断槽(32)，多个所述隔断槽(32)沿所述n型层(21)的第一侧壁至第二侧壁的方向间隔排布，所述第一侧壁和所述第二侧壁为所述n型层(21)上相对的两个侧壁，且所述第一侧壁和所述第二侧壁垂直于所述n型层(21)的底面。
7.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述凹槽(31)的槽底至所述n型层(21)的底面的距离与所述n型层(21)的厚度之比大于或者等于1/2。
8.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：电流阻挡层(51)、透明导电层(52)和钝化层(53)；
9.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，形成隔断槽包括：
