本发明提出了一种无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜，涉及特殊作用膜结构制备。
背景技术：
1、uv固化晶圆研磨保护膜主要由粘胶层和保护层组成。粘胶层负责将保护膜牢固地粘贴在晶圆表面，确保在研磨过程中晶圆不会受到污染或损伤。而保护层则具有足够的硬度和耐磨性，能够有效抵御研磨过程中产生的碎屑和研磨液的侵蚀。在晶圆研磨前，将这种带有粘胶层的保护膜贴附在晶圆表面。当研磨完成后，通过紫外线照射使保护膜迅速固化，从而降低其粘性，便于轻松且无损地将其从晶圆表面剥离。
2、uv固化晶圆研磨保护膜广泛应用于半导体封装、晶圆切割等工艺中。在这些过程中，晶圆需要经过多次研磨以达到所需的厚度和平整度。保护膜的使用不仅可以防止晶圆在研磨过程中受到污染和损伤，还能确保晶圆的完整性和质量。
3、目前的保护膜结构往往存在粘胶层和保护层，至少两层结构，尽管粘胶层和保护层的结构在保护晶圆方面表现出色，但仍存在一些缺点：
4、粘胶残留：在剥离保护膜时，如果粘胶层未能完全固化，可能会导致部分胶粘剂残留在晶圆表面，对后续工艺造成干扰。操作难度：粘贴和剥离保护膜需要精确的操作技巧。如果操作不当，可能会导致晶圆表面受损或保护膜粘贴不平整。成本问题：带有粘胶层的保护膜通常是一次性使用的，这增加了生产成本和废弃物处理难度。对环境的潜在影响：虽然uv固化过程相对环保，但粘胶层和保护层的生产和处理可能对环境产生一定影响，特别是在大规模生产中。
5、综上所述，uv固化晶圆研磨保护膜在半导体制造中发挥着重要作用，其粘胶层和保护层的结构虽然提供了一定的保护效果，但也存在一些不可忽视的缺点。未来研究应致力于改进这些缺点，以推动该技术的持续发展和优化。
技术实现思路
1、为解决上述问题，本发明提供一种突破当前保护膜结构的单层结构保护膜，具体方案如下：
2、一种无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜，包括主体聚合物、uv光引发剂、流平剂、抗静电剂、附着力促进剂、真空吸附助剂，其中主体聚合物为丙烯酸聚合物或硅氧烷丙烯酸共聚物。
3、优选地，所述无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜中各组份，按质量份数计为：主体聚合物：50-70份；uv光引发剂：3-5份，流平剂：1-2份，抗静电剂：2-4份，附着力促进剂：5-10份，真空吸附助剂：5-10份。
4、优选地，所述uv光引发剂包括苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦或1-羟基环己基苯基酮。
5、优选地，所述流平剂包括聚硅氧烷类流平剂byk-333、byk-307或tego glide 410。
6、优选地，所述抗静电剂包括乙氧基化胺类抗静电剂atmer 163、atmer 129或statex b200。
7、优选地，所述附着力促进剂包括含有极性基团的附着力促进剂adhesionpromoterap100、ap500或ap700。
8、优选地，所述真空吸附助剂包括纳米硅胶颗粒。
9、优选地，上述无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜的制备方法包括：
10、s1、将配方中各组份混合搅拌均匀；
11、s2、所得物料均匀涂布在离型膜表面；
12、s3、预固化；
13、s4、uv固化；
14、s5、去除离型膜得到可直接使用的无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜。
15、优选地，所述涂布包括旋涂、浸涂或喷涂。
16、优选地，所述旋涂：转速范围1000-5000rpm，时间30-120秒；所述浸涂：浸涂速度1-10mm/s，提拉速度可调整；所述喷涂：喷涂压力0.2-0.6mpa，喷涂距离15-30cm。
17、优选地，所述预固化，温度范围40-80℃，时间5-30分钟。
18、优选地，所述uv固化，uv光源功率100-1000w，固化时间10-60秒。
19、优选地，所得无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜膜厚控制在5-50μm。
20、本发明本发明的有益效果：
21、本发明提供了一种单层结构不包括粘胶层、通过真空吸附基材的晶圆保护膜，避免了传统结构粘胶层带来的一系列问题。
1.一种无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜，其特征在于：包括主体聚合物、uv光引发剂、流平剂、抗静电剂、附着力促进剂、真空吸附助剂，其中主体聚合物为丙烯酸聚合物或硅氧烷丙烯酸共聚物。
2.根据权利要求1所述的无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜，其特征在于：所述无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜中各组份，按质量份数计为：主体聚合物：50-70份；uv光引发剂：3-5份，流平剂：1-2份，抗静电剂：2-4份，附着力促进剂：5-10份，真空吸附助剂：5-10份。
3.根据权利要求1所述的无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜，其特征在于：所述uv光引发剂包括苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦或1-羟基环己基苯基酮。
4.根据权利要求1所述的无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜，其特征在于：所述流平剂包括聚硅氧烷类流平剂byk-333、byk-307或tego glide410。
5.根据权利要求1所述的无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜，其特征在于：所述抗静电剂包括乙氧基化胺类抗静电剂atmer 163、atmer 129或statex b200。
6.根据权利要求1所述的无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜，其特征在于：所述附着力促进剂包括含有极性基团的附着力促进剂adhesion promoterap100、ap500或ap700。
7.根据权利要求1所述的无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜，其特征在于：所述真空吸附助剂包括纳米硅胶颗粒。
8.根据权利要求1-7任一项所述的无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜，其特征在于：所述无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜的制备方法包括：
9.根据权利要求8所述的无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜，其特征在于：所述涂布包括旋涂、浸涂或喷涂；所述旋涂：转速范围1000-5000rpm，时间30-120秒；所述浸涂：浸涂速度1-10mm/s，提拉速度可调整；所述喷涂：喷涂压力0.2-0.6mpa，喷涂距离15-30cm。
10.根据权利要求8所述的无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜，其特征在于：所述预固化，温度范围40-80℃，时间5-30分钟；所述uv固化，uv光源功率100-1000w，固化时间10-60秒；所得无溶剂uv固化单层结构晶圆研磨保护膜膜厚控制在5-50μm。
