本揭露有关于一种半导体装置及其制造方法。更具体地，本揭露有关于产生气隙的工艺。
背景技术：
1、随着半导体装置的高度集成化，导电结构之间的距离缩小。例如，随着临界尺寸缩小，在进行气隙蚀刻工艺时，若蚀刻选择性不好，可能会导致漏电或寄生电容失效。此外，提高高度集成化的半导体装置中的蚀刻选择性将是巨大的挑战。
2、因此，如何在元件之间形成结构完整的气隙，以有效地降低装置的寄生电容式半导体装置的重要发展项目。
技术实现思路
1、本揭露提供了一种半导体装置包括基板、位元线、第一间隔物、第二间隔物、气隙及覆盖层。位元线位于基板上。第一间隔物位于位元线的侧壁上，其中第一间隔物包括掺杂碳的低k材料。第二间隔物，位于基板上并且邻近于第一间隔物，其中第二间隔物包括氮化物。气隙位于第一间隔物与第二间隔物之间，其中气隙的底部暴露出基板。覆盖层覆盖位元线、第一间隔物及第二间隔物使得气隙由覆盖层、第一间隔物及第二间隔物密封。
2、在一些实施例中，进一步包括位元线间隔物。位元线间隔物位于位元线的侧壁上，其中位元线间隔物位于第一间隔物与位元线之间。
3、在一些实施例中，其中位元线间隔物包括氮化物。
4、在一些实施例中，其中位元线间隔物与第二间隔物皆包括氮化硅(sin)。
5、在一些实施例中，其中第一间隔物包括碳化硅。
6、在一些实施例中，其中气隙的宽度在大约3纳米至大约4纳米的范围内。
7、本揭露提供了一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤。形成位元线在基板上。形成第一毯覆层在位元线的顶表面及侧壁上，其中第一毯覆层包括掺杂碳的低k材料。移除位于位元线的顶表面上的第一毯覆层的一部分，以在位元线的侧壁上形成第一间隔物。对第一间隔物执行氧化工艺，使得第一间隔物的表面部分转变为氧化物间隔物，其中氧化物间隔物经由氧化工艺氧化，且第一间隔物具有未被氧化工艺氧化的剩余第一间隔物。形成第二毯覆层在位元线、第一间隔物及氧化物间隔物上，其中第二毯覆层包括氮化物。移除位于位元线的顶表面上的第二毯覆层的一部分，以在氧化物间隔物上形成第二间隔物。移除氧化物间隔物，以在剩余第一间隔物与第二间隔物之间形成间隙。以及形成覆盖层覆盖位元线、剩余第一间隔物及第二间隔物，使得气隙由覆盖层、剩余第一间隔物及第二间隔物密封。
8、在一些实施例中，其中第一毯覆层包括碳化硅(sic)。
9、在一些实施例中，其中在氧化工艺之后氧化物间隔物包括碳氧化硅(sico)。
10、在一些实施例中，其中通过气体蚀刻工艺移除氧化物间隔物。
11、在一些实施例中，进一步包括在形成第一毯覆层之前，形成位元线间隔物在位元线的侧壁上。
12、在一些实施例中，其中位元线间隔物、第二间隔物及覆盖层包括氮化硅(sin)。
13、在一些实施例中，其中氧化工艺是等离子体灰化工艺。
14、在一些实施例中，氧化工艺的执行使用o2/(h2+n2)等离子体。
15、在一些实施例中，在第一间隔物中等离子体灰化工艺的氧扩散深度在大约3纳米至大约4纳米的范围内。
16、应当理解，前述的一般描述和以下的详细描述都是通过示例，并且旨在提供对所要求保护的本揭露的进一步解释。
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中该位元线间隔物包括氮化物。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中该位元线间隔物与该第二间隔物皆包括氮化硅。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一间隔物包括碳化硅。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该气隙的宽度在大约3纳米至大约4纳米的范围内。
7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该第一毯覆层包括碳化硅。
9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中在该氧化工艺之后该氧化物间隔物包括碳氧化硅。
10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中通过气体蚀刻工艺移除该氧化物间隔物。
11.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，进一步包括：
12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该位元线间隔物、该第二间隔物及该覆盖层包括氮化硅。
13.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该氧化工艺是等离子体灰化工艺。
14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该氧化工艺的执行使用o2/(h2+n2)等离子体。
15.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中在该第一间隔物中该等离子体灰化工艺的氧扩散深度在大约3纳米至大约4纳米的范围内。
