显示面板的制作方法

    专利查询2026-01-31  2


    本发明是有关于一种显示技术,且特别是有关于一种显示面板。


    背景技术:

    1、近年来,有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)显示面板与微型发光二极管显示(micro led display)面板因具有高色彩饱和度、应答速度快及高对比的显示品质而逐渐受到青睐。为了增加此类自发光型显示面板的出光效率,发光二极管远离出光面一侧的电极大多是反射电极。由于此类的反射电极会反射外部环境光线,因此,当显示面板呈现整面性黑画面或局部暗态时,人眼容易察觉经由反射电极反射的外部环境光线,造成显示品质或外观品味的下降。

    2、为了解决上述的问题,一种在自发光型显示面板的出光面的一侧设置圆偏光片的技术方案被提出。透过圆偏光片的设置使通过的外部环境光线形成具有特定旋性的圆偏光,而此圆偏光在经由反射电极的反射后形成具有反向旋性的圆偏光,且此具有反向旋性的圆偏光并无法通过圆偏光片。据此,来降低此类自发光型显示面板对于外部环境光线的反射率。然而,此类的圆偏光片会降低自发光型显示面板的整体出光量,例如造成出光亮度至少衰减55%。


    技术实现思路

    1、本发明提供一种显示面板,能兼顾光能利用率与暗态对比。

    2、为达上述之一或部分或全部目的或是其他目的,本发明的一实施例提出一种显示面板。显示面板包括基板、发光结构层、c板以及第一带通偏光反射层。发光结构层设置在基板上,且包括多个第一发光结构。这些第一发光结构具有第一主发光波长。c板设置在发光结构层背离基板的一侧。第一带通偏光反射层设置在发光结构层与c板之间,且重叠于发光结构层。第一带通偏光反射层对于波长在第一波长范围内的光线的反射率大于20%。第一波长范围为第一主发光波长±20nm。

    3、基于上述,在本发明的一实施例的显示面板中,带通偏光反射层对于特定波长范围内的光线具有大于20%的反射率,且在背离发光结构层的一侧设有c板。除了可增加显示面板的整体出光量外,还能有效改善显示画面在侧视角的色偏问题,进而提升显示面板的光能利用率与显示品质。

    4、为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。



    技术特征:

    1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括基板、发光结构层、c板以及第一带通偏光反射层,其中:

    2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一带通偏光反射层与所述c板的厚度方向相位延迟值的总和小于100nm。

    3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括四分之一波片以及带通偏光层,其中:

    4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二主发光波长大于600nm或小于500nm。

    5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述带通偏光层的所述吸收轴与所述四分之一波片的光轴间的夹角为45度。

    6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括第二带通偏光反射层,其中:

    7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一带通偏光反射层与所述第二带通偏光反射层各自重叠于所述多个第一发光结构与所述多个第二发光结构。

    8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一带通偏光反射层、所述第二带通偏光反射层与所述c板的厚度方向相位延迟值的总和小于100nm。

    9.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,还包括四分之一波片以及带通偏光层,其中:

    10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一带通偏光反射层包括基材、多个胆固醇液晶分子以及经电浆处理的高分子材料层,其中:

    11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一带通偏光反射层包括基材、多个胆固醇液晶分子以及多个表面微结构,其中:

    12.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一带通偏光反射层包括基质层以及多个胆固醇液晶分子,其中:


    技术总结
    一种显示面板包括基板、发光结构层、C板以及第一带通偏光反射层。发光结构层设置在基板上,且包括多个第一发光结构。这些第一发光结构具有第一主发光波长。C板设置在发光结构层背离基板的一侧。第一带通偏光反射层设置在发光结构层与C板之间,且重叠于发光结构层。第一带通偏光反射层对于波长在第一波长范围内的光线的反射率大于20%。第一波长范围为第一主发光波长±20nm。本发明的显示面板除了可增加显示面板的整体出光量外,还能有效改善显示画面在侧视角的色偏问题,进而提升显示面板的光能利用率与显示品质。

    技术研发人员:吴景宇,方崇仰,陈冰彦,陈家骅
    受保护的技术使用者:中强光电股份有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/11/26
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