本发明涉及芯片测试，特别是涉及一种对芯片全生命周期进行失效分析的方法和装置。
背景技术：
1、芯片通常在进行cp(circuit probing，晶圆测试)测试之后就需要切割开进行封装，但是cp阶段能测到的特性参数比较少，通常在ft(final test，最终测试)、slt(systemlevel test，系统级测试)、bench等测试阶段进行测试，但因缺少关键生产信息，无法判断芯片失效是否与芯片生产有关系，也无法追溯到封装及晶圆阶段定位问题来改进生产工艺。
2、鉴于此，克服该现有技术所存在的缺陷是本技术领域亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本发明要解决的技术问题是现有技术中无法实现芯片的工艺追溯，难以定位工艺风险。
2、本发明采用如下技术方案：
3、第一方面，本发明提供了一种对芯片全生命周期进行失效分析的方法，在芯片中增加存储器，所述方法包括：
4、在芯片中增加存储器，所述方法包括：
5、在进行芯片的晶圆测试时，获取探针落在芯片位置时所对应的位置坐标；
6、根据所述位置坐标、芯片所在晶圆的批次信息以及所述晶圆的晶圆信息，生成芯片的标志号，将芯片的标志号写入到芯片的存储器中；
7、将芯片的工艺参数与芯片的标志号关联存储，将芯片各测试阶段的测试结果与芯片的标志号关联存储，以便于根据芯片的标志号，进行工艺的失效分析。
8、优选的，所述将芯片各测试阶段的测试结果与芯片的标志号关联存储，具体包括：
9、以芯片的标志号作为索引，以进行晶圆测试得到的晶圆测试记录、芯片进行最终测试得到的ft特性参数和/或芯片进行系统级测试得到的slt特性参数作为所述索引对应的值存储到数据库中。
10、优选的，所述根据芯片的标志号，进行工艺的失效分析，具体包括：
11、根据芯片的标志号，获取芯片各测试阶段的测试结果；
12、根据芯片各测试阶段的测试结果，进行芯片的失效分析，以确认芯片在生产阶段是否失效；
13、若相应芯片在生产阶段失效，则将该芯片作为目标芯片，根据目标芯片的标志号，获取目标芯片的工艺参数，根据目标芯片的工艺参数，进行相应工艺的失效分析。
14、优选的，当芯片存在一套工艺参数时，所述根据目标芯片的工艺参数，进行相应工艺的失效分析，具体包括：
15、根据目标芯片的工艺参数，获取与所述目标芯片具有相同工艺参数的第一芯片；
16、根据第一芯片的标志号，获取第一芯片各测试阶段的测试结果，根据第一芯片各测试阶段的测试结果，进行第一芯片的失效分析；
17、根据所有第一芯片的失效分析结果，进行工艺的失效分析。
18、优选的，所述根据所有第一芯片的失效分析结果，进行工艺的失效分析，具体包括：
19、若在所有第一芯片的失效分析结果中，在生产阶段失效的芯片的数量占比达到预设占比，则分析得到所述目标芯片的工艺参数所对应工艺存在风险。
20、若在所有第一芯片的失效分析结果中，在生产阶段失效的芯片的数量占比达到预设占比，则分析得到所述目标芯片的工艺参数所对应工艺存在风险。
21、优选的，当芯片存在多套工艺参数时，所述根据目标芯片的工艺参数，进行相应工艺的失效分析，具体包括：
22、以目标芯片的每一套工艺参数分别作为第一工艺参数，进行相应的工艺失效分析，具体包括：
23、获取所有具有第二工艺参数的第一芯片；其中，所述第二工艺参数为所述目标芯片的多套工艺参数中，第一工艺参数以外的所有工艺参数；
24、将第一芯片划分为具有第一工艺参数的第二芯片，以及不具有第一工艺参数的第三芯片；
25、根据第二芯片的标志号，获取第二芯片各测试阶段的测试结果，根据第二芯片各测试阶段的测试结果，进行第二芯片的失效分析；
26、根据第三芯片的标志号，获取第三芯片各测试阶段的测试结果，根据第三芯片各测试阶段的测试结果，进行第三芯片的失效分析；
27、根据所有第二芯片的失效分析结果和所有第三芯片的失效分析结果，进行所述第一工艺参数所对应工艺的失效分析。
28、优选的，所述根据第二芯片的失效分析结果和第三芯片的失效分析结果，进行所述第一工艺参数所对应工艺的失效分析，具体包括：
29、计算在生产阶段失效的第二芯片在所有第二芯片中的第一数量占比，计算在生产阶段失效的第三芯片在所有第三芯片中的第二数量占比，若第一数量占比与第二数量占比的差值大于预设差值，则分析得到相应第一工艺参数所对应工艺存在风险。
30、优选的，所述多套工艺参数包括生产工艺参数、封装工艺参数、流片工艺参数中的至少一种。
31、优选的，所述存储器为efuse一次性可编程存储器或otp一次性可编程存储器。
32、第二方面，本发明还提供了一种对芯片全生命周期进行失效分析的装置，用于实现第一方面所述的对芯片全生命周期进行失效分析的方法，所述装置包括：
33、至少一个处理器；以及，与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述处理器执行，用于执行第一方面所述的对芯片全生命周期进行失效分析的方法。
34、第三方面，本发明还提供了一种非易失性计算机存储介质，所述计算机存储介质存储有计算机可执行指令，该计算机可执行指令被一个或多个处理器执行，用于完成第一方面所述的对芯片全生命周期进行失效分析的方法。
35、本发明通过使用芯片的位置信息、晶圆的批次信息和晶圆的晶圆信息共同生成芯片的标志号，将该标志号携带至芯片存储，并使该标志号与芯片的工艺参数、芯片的测试结果相关联，从而使芯片的整个生产周期的信息均可通过标志号进行追溯，从而定位工艺风险，从而为芯片的工艺改良提供有效依据。
1.一种对芯片全生命周期进行失效分析的方法，其特征在于，在芯片中增加存储器，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的对芯片全生命周期进行失效分析的方法，其特征在于，所述将芯片各测试阶段的测试结果与芯片的标志号关联存储包括：
3.根据权利要求1所述的对芯片全生命周期进行失效分析的方法，其特征在于，所述根据芯片的标志号，进行工艺的失效分析包括：
4.根据权利要求3所述的对芯片全生命周期进行失效分析的方法，其特征在于，当芯片存在一套工艺参数时，所述根据目标芯片的工艺参数，进行相应工艺的失效分析包括：
5.根据权利要求4所述的对芯片全生命周期进行失效分析的方法，其特征在于，所述根据所有第一芯片的失效分析结果，进行工艺的失效分析包括：
6.根据权利要求3所述的对芯片全生命周期进行失效分析的方法，其特征在于，当芯片存在多套工艺参数时，所述根据目标芯片的工艺参数，进行相应工艺的失效分析包括：
7.根据权利要求6所述的对芯片全生命周期进行失效分析的方法，其特征在于，所述根据第二芯片的失效分析结果和第三芯片的失效分析结果，进行所述第一工艺参数所对应工艺的失效分析包括：
8.根据权利要求6所述的对芯片全生命周期进行失效分析的方法，其特征在于，所述多套工艺参数包括生产工艺参数、封装工艺参数、流片工艺参数中的至少一种。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的对芯片全生命周期进行失效分析的方法，其特征在于，所述存储器为efuse一次性可编程存储器或otp一次性可编程存储器。
10.一种对芯片全生命周期进行失效分析的装置，其特征在于，包括：
