本公开涉及带电粒子源的领域，该带电粒子源包括用于直接沉积的等离子体源、用于离子束沉积的宽束离子源以及用于表面改性的电子源。
背景技术：
1、图1示出离子沉积（ibd）系统。在该ibd系统10中，保持在靶保持器25上的多个靶20定位在托板50上，该托板50在中心点处连接到马达。靶20通过马达围绕中心轴30旋转。一个靶20被引入定位使得其放置在离子源前面。可以将晶片从靶20暴露于溅射材料。离子源可以包括等离子体室和离子提取栅网（grid）系统。等离子体源中的等离子体可以通过包括直流（dc）和射频（rf）感应耦合等离子体（icp）线圈的本领域已知的方法生成。从离子源提取的离子的能量由应用到栅网系统的电压定义。
技术实现思路
1、根据实施例，本公开涉及在多靶离子束沉积系统中相对于准直离子束的中心轴偏移靶，使得使用靶的更大区域。
2、根据本公开的实施例的一个方面，一种用于在溅射系统内增加靶利用率的方法包括以下步骤：提供多个靶，每个靶操作地连接到中心轴；在溅射系统内生成第一离子束；引导生成的第一离子束到第一靶的第一位置处；中断第一离子束的生成；通过旋转中心轴移动每个靶；在溅射系统内生成第二离子束；以及引导生成的第二离子束到所述第一靶的第二位置处。
3、根据本公开的实施例的另一方面，一种用于在溅射系统内增加靶利用率的方法包括以下步骤：提供多个靶，每个靶操作地连接到中心轴；在溅射系统内生成离子束；在第一时间段内引导生成的离子束到第一靶的第一位置处；通过旋转中心轴移动每个靶；以及在第二时间段内引导生成的离子束到所述第一靶的第二位置处。
4、根据本公开的实施例的另一方面，一种用于在溅射系统内增加靶利用率的方法，包括以下步骤：提供多个靶，每个靶操作地连接到中心轴；在溅射系统内生成离子束；引导生成的离子束到第一靶的第一位置处；将第一基板从所述第一靶的所述第一位置暴露于溅射材料；通过旋转中心轴移动每个靶；引导生成的离子束到所述第一靶的第二位置处；以及将第二基板从所述第一靶的所述第二位置暴露于溅射材料。
5、本公开的附加特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实践本文公开的原理来学习。本公开的特征和优点可以通过在所附权利要求中特别指出的器械和组合来实现和获得。本公开的这些和其他特征将从以下描述和所附权利要求变得更加显而易见，或者可以通过实践本文阐述的原理来学习。
1.一种用于在溅射系统内提高靶利用率的方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一靶的所述第一位置从所述第一靶的所述第二位置偏移具有1mm至50mm范围的距离。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中心轴的所述旋转移动为0.16度至8度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在相等的时间内将生成的所述第一离子束和生成的所述第二离子束应用到所述第一靶。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，利用相同的工艺条件将生成的所述第一离子束和生成的所述第二离子束应用到所述第一靶。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在不同的时间量内将生成的所述第一离子束和生成的所述第二离子束应用到所述第一靶。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，利用不同的工艺条件将生成的所述第一离子束和生成的所述第二离子束应用到所述第一靶。
8.一种用于在溅射系统内提高靶利用率的方法，包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一靶的所述第一位置从所述第一靶的所述第二位置偏移具有1mm至50mm范围的距离。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述中心轴的所述旋转移动为0.16度至8度。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一时间段为至少0.5秒。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二时间段为至少0.5秒。
13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一时间段为至少1秒。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第二时间段为至少1秒。
15.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一时间段为至少2秒。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第二时间段为至少2秒。
17.一种用于在溅射系统内提高靶利用率的方法，包括以下步骤：
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一靶的所述第一位置从所述第一靶的所述第二位置偏移具有1mm至50mm范围的距离。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述中心轴的所述旋转移动为0.16度至8度。
20.根据权利要求17所述的方法，还包括在将所述第二基板从所述第一靶的所述第二位置暴露于溅射材料之前，从所述溅射系统去除所述第一基板。
