树脂组合物的制作方法

    专利查询2026-02-07  1


    本发明涉及树脂组合物。另外,本发明还涉及使用了上述树脂组合物的固化物、片状层叠材料、树脂片材、电路基板、半导体芯片封装及半导体装置。


    背景技术:

    1、在电路基板及半导体芯片封装中,通常设置绝缘层。例如,在作为电路基板的一种的印刷布线板上,有时设置层间绝缘层作为绝缘层。另外,例如,在半导体芯片封装中,有时设置再布线形成层作为绝缘层。这些绝缘层可以由使树脂组合物固化而得的固化物所形成(专利文献1~2)。

    2、另外,专利文献3的技术是已知的。

    3、现有技术文献

    4、专利文献1:日本专利第3644761号公报

    5、专利文献2:国际公开第2019/216388号

    6、专利文献3:日本特开2020-37643号公报


    技术实现思路

    1、发明所要解决的技术问题

    2、近年来,电路基板及半导体芯片封装的大型化、布线的高密度化、以及通信的高速化正在进行。从将以高密度形成的微细布线用树脂组合物合适地埋入的观点出发,对树脂组合物要求高流动性。为了实现高流动性,考虑了降低树脂组合物的粘度。但是,在降低树脂组合物的粘度的情况下,在将布线用树脂组合物进行埋入时,树脂组合物会流动,有时使该树脂组合物固化而得的绝缘层的厚度的稳定性变低。例如,在将形成于基板上的面的布线利用树脂组合物进行埋入的情况下,在布线上的部分与布线间的间隙部分,树脂组合物的厚度产生差异,有时绝缘层的厚度变得不均匀。特别是在大型的电路基板及半导体芯片封装中,由于绝缘层的面积变大,所以在该绝缘层的整体上使厚度稳定且均匀的困难性较高。

    3、另外,由于上述这样的电路基板及半导体芯片封装的大型化、布线的高密度化以及通信的高速化的进展,近年来,对绝缘层的绝缘可靠性的要求水准变高。但是,为了降低树脂组合物的粘度而采用低粘度的环氧树脂的情况下,由于低粘度的环氧树脂通常含有较多的氯,所以绝缘可靠性有变低的倾向。

    4、本发明是鉴于上述的课题而发明的,因此,本发明的目的在于提供:能够得到绝缘可靠性优异的固化物,且流动性优异的树脂组合物;上述树脂组合物的固化物;包含上述树脂组合物的片状层叠材料及树脂片材;包含上述固化物的电路基板、半导体芯片封装及半导体装置。

    5、用于解决技术问题的手段

    6、本发明人为了解决上述的课题而进行了深入研究。其结果是,本发明人发现:组合包含(a)环氧树脂和(b)无机填充材料的树脂组合物,所述(a)环氧树脂包含特定范围的量的(a-1)液态环氧树脂,所述(b)环氧树脂包含特定范围的量的(b-1)含碳的无机填充材料,能够解决上述的课题,从而完成了本发明。

    7、即,本发明包含下述内容。

    8、[1]一种树脂组合物,其是包含(a)环氧树脂和(b)无机填充材料的树脂组合物,其中,

    9、(a)环氧树脂包含(a-1)液态环氧树脂,

    10、(b)无机填充材料包含(b-1)碳含量为0.1质量%以上的含碳的无机填充材料,

    11、相对于树脂组合物的不挥发成分100质量%,(a-1)液态环氧树脂的量为0.5质量%以上,相对于树脂组合物的不挥发成分100质量%,(b-1)含碳的无机填充材料的量为10质量%以上。

    12、[2]根据[1]所述的树脂组合物,其中,进一步包含(c)固化剂。

    13、[3]根据[1]或[2]所述的树脂组合物,其中,相对于(b)无机填充材料的总量100质量%,(b-1)含碳的无机填充材料的量为20质量%以上。

    14、[4]根据[1]~[3]中任一项所述的树脂组合物,其中,(b-1)含碳的无机填充材料是碳含量为0.2质量%以上的二氧化硅粒子。

    15、[5]根据[1]~[4]中任一项所述的树脂组合物,其中,(b-1)含碳的无机填充材料的碳含量为5质量%以下。

    16、[6]根据[1]~[5]中任一项所述的树脂组合物,其中,(a-1)液态环氧树脂具有1,000以下的重均分子量。

    17、[7]根据[1]~[6]中任一项所述的树脂组合物,其中,(a-1)液态环氧树脂为非芳香族性的环氧树脂。

    18、[8]根据[1]~[7]中任一项所述的树脂组合物,其中,(a-1)液态环氧树脂具有在25℃时为15,000mpa·s以下的粘度。

    19、[9]根据[1]~[8]中任一项所述的树脂组合物,其中,包含(d)固化促进剂。

    20、[10]根据[1]~[9]中任一项所述的树脂组合物,其中,包含(e)热塑性树脂。

    21、[11]根据[1]~[10]中任一项所述的树脂组合物,其中,具有小于4,000泊的最低熔体粘度。

    22、[12]根据[1]~[11]中任一项所述的树脂组合物,其中,使树脂组合物以190℃下90分钟的条件热固化而得到固化物,并在130℃、85%rh的环境下对该固化物施加了100小时3.3v的电压的情况下,利用线宽/线距为15μm/15μm的梳齿型电极测得的该固化物的绝缘电阻值为1.0×108ω以上。

    23、[13]根据[1]~[12]中任一项所述的树脂组合物,其用于形成绝缘层。

    24、[14][1]~[13]中任一项所述的树脂组合物的固化物。

    25、[15]一种片状层叠材料,其中,包含[1]~[13]中任一项所述的树脂组合物。

    26、[16]一种树脂片材,其中,具备支承体和形成在该支承体上的树脂组合物层,

    27、树脂组合物层包含[1]~[13]中任一项所述的树脂组合物。

    28、[17]一种电路基板,其中,包含[1]~[13]中任一项所述的树脂组合物的固化物。

    29、[18]一种半导体芯片封装,其中,包含[1]~[13]中任一项所述的树脂组合物的固化物。

    30、[19]一种半导体装置,其中,具备[17]所述的电路基板。

    31、[20]一种半导体装置,其中,具备[18]所述的半导体芯片封装。

    32、发明效果

    33、根据本发明,可以提供:能够得到绝缘可靠性优异的固化物、且流动性优异的树脂组合物;上述树脂组合物的固化物;包含上述树脂组合物的片状层叠材料及树脂片材;包含上述固化物的电路基板、半导体芯片封装及半导体装置。



    技术特征:

    1.一种树脂组合物,其是包含(a)环氧树脂和(b)无机填充材料的树脂组合物,其中,

    2.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,进一步包含(c)固化剂。

    3.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,相对于(b)无机填充材料的总量100质量%,(b-1)含碳的无机填充材料的量为20质量%以上。

    4.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,(b-1)含碳的无机填充材料是碳含量为0.2质量%以上的二氧化硅粒子。

    5.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,(b-1)含碳的无机填充材料的碳含量为5质量%以下。

    6.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,(a-1)液态环氧树脂具有1,000以下的重均分子量。

    7.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,(a-1)液态环氧树脂为非芳香族性的环氧树脂。

    8.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,(a-1)液态环氧树脂具有在25℃时为15,000mpa·s以下的粘度。

    9.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,包含(d)固化促进剂。

    10.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,包含(e)热塑性树脂。

    11.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,具有小于4,000泊的最低熔体粘度。

    12.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,使树脂组合物以190℃下90分钟的条件热固化而得到固化物,并在130℃、85%rh的环境下对该固化物施加了100小时3.3v的电压的情况下,利用线宽/线距为15μm/15μm的梳齿型电极测得的该固化物的绝缘电阻值为1.0×108ω以上。

    13.根据权利要求1所述的树脂组合物,其用于形成绝缘层。

    14.权利要求1~13中任一项所述的树脂组合物的固化物。

    15.一种片状层叠材料,其中,包含权利要求1~13中任一项所述的树脂组合物。

    16.一种树脂片材,其中,具备支承体和形成在该支承体上的树脂组合物层,树脂组合物层包含权利要求1~13中任一项所述的树脂组合物。

    17.一种电路基板,其中,包含权利要求1~13中任一项所述的树脂组合物的固化物。

    18.一种半导体芯片封装,其中,包含权利要求1~13中任一项所述的树脂组合物的固化物。

    19.一种半导体装置,其中,具备权利要求17所述的电路基板。

    20.一种半导体装置,其中,具备权利要求18所述的半导体芯片封装。


    技术总结
    一种树脂组合物,其是包含(A)环氧树脂和(B)无机填充材料的树脂组合物,其中,(A)环氧树脂包含(A‑1)液态环氧树脂,(B)无机填充材料包含(B‑1)碳含量为0.2质量%以上的含碳的无机填充材料,相对于树脂组合物的不挥发成分100质量%,(A‑1)液态环氧树脂的量为0.5质量%以上,相对于树脂组合物的不挥发成分100质量%,(B‑1)含碳的无机填充材料的量为10质量%以上。

    技术研发人员:渡边真俊,中村洋介
    受保护的技术使用者:味之素株式会社
    技术研发日:
    技术公布日:2024/11/26
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