本发明的实施方式涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。
背景技术：
1、在对基片的等离子体处理中使用等离子体处理装置。等离子体处理装置包括腔室和基片支承部。基片支承部设置于腔室内。基片支承部支承载置于其上的基片。基片支承部还支承边缘环(或聚焦环)。基片配置于在基片支承部上由边缘环包围的区域内。
2、在等离子体处理装置中，通过从一个以上的高频电源供给高频电功率，在腔室内生成等离子体。在生成等离子体时，在等离子体与基片之间以及等离子体与边缘环之间形成鞘(等离子体鞘)。为了使来自等离子体的离子向基片的整个面垂直地行进，需要消除边缘环的上方的等离子体与鞘的边界的高度方向的位置相对于基片的上方的等离子体与鞘的边界的高度方向的位置之差。下述的专利文献1公开了控制对边缘环施加的电压以减少该差的技术。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2019-186400号公报
技术实现思路
1、发明要解决的技术问题
2、本发明提供将离子相对于基片的边缘的行进方向，相对于基片向内修正的技术。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、在一个例示的实施方式中，提供等离子体处理装置。等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、一个以上的高频电源和修正电源。基片支承部设置在腔室内，构成为能够支承载置于其上的边缘环和基片，该基片配置于在基片支承部上由边缘环包围的区域内。一个以上的高频电源包含与基片支承部内的电极电连接的高频电源，与腔室电耦合。修正电源构成为能够对边缘环施加负电压。一个以上的高频电源构成为能够在腔室内从气体生成等离子体的开启期间中供给一个以上的高频电功率。修正电源构成为能够在开启期间内的一个以上的第一期间中，对边缘环施加负电压。一个以上的第一期间的每一者相当于多个最长波形周期的长度，最长波形周期是从一个以上的高频电源供给的一个以上的高频电功率的波形周期中的最长波形周期。修正电源构成为能够在开启期间内的一个以上的第二期间中，停止对边缘环施加负电压。一个以上的第二期间的每一者相当于多个最长波形周期的长度。
5、发明效果
6、根据本发明，能够将离子相对于基片的边缘的行进方向，相对于基片向内修正。
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
9.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：
11.一种在等离子体处理装置中进行的等离子体处理方法，其特征在于，包括：
