本发明涉及天线装置、通信装置和图像捕获系统。
背景技术：
1、由于由下一代通信标准6g使用的频带，因此输出或检测诸如太赫兹波之类的电磁波的半导体器件的开发已经加速。预期通过集成共振隧穿二极管(rtd)和天线而形成的有源天线作为在室温下在1thz左右的频率域中操作的高频元件。日本专利no.6373010公开了一种使用rtd的太赫兹波的有源天线阵列。对于这种高频元件，使用具有高电子迁移率的诸如ingaas(砷化铟镓)之类的材料，并且高频元件被形成在诸如inp(磷化铟)基板之类的半导体基板上。另一方面，高频元件的控制电路被形成在使用诸如si(硅)之类的半导体材料的半导体基板上。
技术实现思路
1、如果形成有高频元件的基板与形成有控制电路的基板是不同类型的基板，那么需要单独制造基板。在这种情况下，取决于连接分别形成有高频元件和控制电路的基板的方法，由于由布线长度造成的电感而发生信号延迟或信号损失，因此可能无法进行高速信号控制。此外，取决于连接，天线阵列的控制的自由度可能退化。即，在包括形成有高频元件的基板和形成有控制电路的基板的天线装置中，尚未详细研究基板之间的连接。
2、本发明提供了一种包括多个基板的优选的天线装置。
3、为了实现上述目的，根据本发明的天线装置包括：第一基板，所述第一基板包括天线阵列以及布线，多个有源天线被提供在所述天线阵列中，每个有源天线包括被配置为产生或检测电磁波的半导体结构和天线，所述布线电连接到所述多个有源天线；以及第二基板，所述第二基板被堆叠在第一基板上并且包括天线阵列的控制电路，其中第一基板和第二基板在接合表面处接合，控制电路经由布线电连接到天线阵列，并且第二基板的控制电路控制第一基板的所述多个有源天线的振荡。
4、根据本发明，可以提供包括多个基板的优选的天线装置。
5、从以下(参考附图)对示例性实施例的描述，本发明的更多特征将变得清楚。
1.一种天线装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中
3.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述多个有源天线中的每个有源天线包括第一导体以及第二导体，所述第一导体被形成在所述第一基板的第一层中，所述第二导体被形成在布置在所述第一层与所述接合表面之间的第二层中并且具有比所述第一导体的面积大的面积。
4.根据权利要求3所述的装置，其中所述布线包括第一通孔，所述第一通孔被配置为连接所述第一导体和第三层，所述第三层被提供在所述第一层与所述第二层之间。
5.一种通信装置，包括：
6.一种图像捕获系统，包括：
7.一种天线装置，包括：
8.根据权利要求7所述的装置，其中
9.根据权利要求7或8所述的装置，其中所述多个有源天线中的每个有源天线包括第一导体以及第二导体，所述第一导体被形成在所述第一基板的第一层中，所述第二导体被形成在布置在所述第一层与所述接合表面之间的第二层中并且具有比所述第一导体的面积大的面积。
10.根据权利要求9所述的装置，其中所述布线包括第一通孔，所述第一通孔被配置为连接所述第一导体和第三层，所述第三层被提供在所述第一层与所述第二层之间。
11.一种通信装置，包括：
12.一种图像捕获系统，包括：
13.一种天线装置，包括：
14.根据权利要求13所述的装置，其中所述第一接合表面与所述第二接合表面彼此平行。
15.根据权利要求13或14所述的装置，其中所述多个有源天线中的每个有源天线包括第一导体以及第二导体，所述第一导体被形成在所述第一基板的第一层中，所述第二导体被形成在布置在所述第一层与所述第二接合表面之间的第二层中并且具有比所述第一导体的面积大的面积。
16.根据权利要求15所述的装置，其中所述布线包括第一通孔，所述第一通孔被配置为连接所述第一导体和第三层，所述第三层被提供在所述第一层与所述第二层之间。
17.根据权利要求15或16所述的装置，其中
18.一种通信装置，包括：
19.一种图像捕获系统，包括：
