本发明属于光伏，尤其涉及一种hbc电池、电池组及光伏系统。
背景技术：
1、在现有的hbc(异质结背接触，heterojunction with back contact)电池中，相较于bc(背接触，back contact)电池，已经取得了显著的进展，但仍存在一些技术问题，这些问题限制了其进一步提升光电转换效率和降低制造成本。
2、hbc电池在设计中依赖于异质结结构，这种结构虽然提升了光电转换效率，异质结处理不当，很容易导致生成的载流子在到达电极之前就发生了复合，减少了可以被收集的电流，导致载流子的复合速率增加。以及材料的致密性不足导致其抗蚀刻能力较差，特别是在电极制造过程中，使用的电极浆料可能会对材料层造成损伤或穿透，影响了电极与硅层之间的匹配性，进而影响电池的整体性能和稳定性。
技术实现思路
1、本发明提供一种hbc电池，旨在解决现有hbc电池中载流子的复合速率增加以及稳定性不足的问题。
2、本发明是这样实现的，一种hbc电池，包括：
3、硅基底，所述硅基底具有相对设置的背光面和向光面，于所述硅基底的背光面设置第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域交替设置，所述第一区域和所述第二区域不重叠；
4、在所述第一区域内包括非晶硅层，在所述第二区域内包括多晶硅层，所述非晶硅层和所述所多晶硅层相异型，所述非晶硅层的折射率大于所述多晶硅层的折射率。
5、可选地，所述非晶硅层的折射率与所述多晶硅层的折射率的比值大于1小于1.2。
6、可选地，所述非晶硅层的折射率与所述多晶硅层的折射率的差值大于0.01小于0.5。
7、可选地，还包括隔离区域，所述隔离区域置于所述第一区域与所述第二区域之间。
8、可选地，所述非晶硅层的厚度大于13nm，且小于17nm。
9、可选地，所述多晶硅层的厚度大于280nm，且小于300nm。
10、可选地，所述非晶硅层的消光系数大于所述多晶硅层的消光系数。
11、可选地，所述非晶硅层的消光系数与所述多晶硅层的消光系数的比值大于1.3小于11。
12、可选地，所述非晶硅层的消光系数与所述多晶硅层的消光系数的差值大于0.01小于0.08。
13、可选地，所述非晶硅层为p型非晶硅层，所述多晶硅层为n型多晶硅层。
14、本发明还提供一种电池组，包括上述的hbc电池。
15、本发明还提供一种光伏系统，包括上述的电池组。
16、本发明所达到的有益效果，由于在硅基底的背光面交替设置不相重叠的第一区域和第二区域，第一区域内设置非晶硅层的折射率大于第二区域内设置的多晶硅层的折射率，减小了非晶硅层光的寄生吸收，提高了光学利用率，减少了不必要的能量损失，最终综合起来提升了hbc电池的光电转换效率和性能表现。
1.一种hbc电池，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种hbc电池，其特征在于，所述非晶硅层的折射率与所述多晶硅层的折射率的比值大于1小于1.2。
3.如权利要求1所述的一种hbc电池，其特征在于，所述非晶硅层的折射率与所述多晶硅层的折射率的差值大于0.01小于0.5。
4.如权利要求1所述的一种hbc电池，其特征在于，还包括隔离区域，所述隔离区域置于所述第一区域与所述第二区域之间。
5.如权利要求1所述的一种hbc电池，其特征在于，所述非晶硅层的厚度大于13nm，且小于17nm。
6.如权利要求1所述的一种hbc电池，其特征在于，所述多晶硅层的厚度大于280nm，且小于300nm。
7.如权利要求7所述的一种hbc电池，其特征在于，所述非晶硅层的消光系数大于所述多晶硅层的消光系数。
8.如权利要求7所述的一种hbc电池，其特征在于，所述非晶硅层的消光系数与所述多晶硅层的消光系数的比值大于1.3小于11。
9.如权利要求1所述的一种hbc电池，其特征在于，所述非晶硅层的消光系数与所述多晶硅层的消光系数的差值大于0.01小于0.08。
10.如权利要求1所述的一种hbc电池，其特征在于，所述非晶硅层为p型非晶硅层，所述多晶硅层为n型多晶硅层。
11.一种电池组，其特征在于，包括权利要求1至10任一所述的hbc电池。
12.一种光伏系统，其特征在于，包括权利要求11所述的电池组。
