本发明涉及退火炉装置，特别涉及一种半导体处理用退火炉装置。
背景技术：
1、半导体退火工艺原理是半导体制造过程中的一项重要工艺，它可以改善半导体材料的电学性能和结构性能，提高半导体器件的性能和可靠性。半导体退火的影响因素主要包括温度、时间、气氛、材料类型和材料状态等，其中温度是影响半导体退火效果的最重要因素。常见的退火工艺可以分为热退火、光退火、电子束退火、激光退火等多种类型，其中热退火是最常用的一种退火方式。热退火中的快速热退火是一种突发性热退火工艺，一般使用激光或其他能量源在材料表面快速加热，然后在空气中冷却。
2、而在空气中冷却，效率较低，尤其是部分对降温速率要求较高的半导体材料，容易降低退火质量。
3、因此，提出一种半导体处理用退火炉装置来解决上述问题很有必要。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种半导体处理用退火炉装置，以解决在空气中冷却，效率较低，尤其是部分对降温速率要求较高的半导体材料，容易降低退火质量的问题。
2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体处理用退火炉装置，包括炉体，所述炉体上设置有通风组件，所述通风组件包括进气槽、进气通道、第一喷气槽、第二喷气槽和抽吸槽，所述第二喷气槽设置为多个，所述进气槽开设在炉体的外壁上，且进气槽用于输送冷却气体，所述进气通道开设在炉体的壁体内部，所述进气通道呈圆弧状，且与进气槽连通，所述进气通道的宽度朝远离进气槽的方向逐渐变大，所述第一喷气槽开设在炉体的内壁上，所述第一喷气槽连通在进气通道的中段，所述抽吸槽开设在炉体的内壁上，所述抽吸槽与第一喷气槽关于炉体的轴心对称分布，所述第二喷气槽开设在炉体的内壁上，所述第二喷气槽倾斜分布，且与进气通道连通，多个第二喷气槽均匀分布在第一喷气槽的两侧，所述第二喷气槽的内径朝远离进气通道的方向逐渐变小，所述炉体上设置有与进气槽、抽吸槽配合的风力组件和连通组件。
3、优选的，所述通风组件设置为多组，多组通风组件等距离分布。
4、优选的，所述连通组件包括抽吸通道、吸盒和伸缩管，所述抽吸通道开设在炉体的壁体内部，且沿着炉体的高度方向分布，抽吸通道的宽度由上向下逐渐变大，多个抽吸槽均与抽吸通道连通，所述吸盒固定连接在炉体的顶部，所述抽吸通道与吸盒连通，所述伸缩管连通在吸盒上。
5、优选的，所述连通组件还包括u型管、第三风管和连接头，所述u型管固定连接在炉体的外壁上，所述u型管通过第三风管与连接头连通，所述连接头与进气槽连通。
6、优选的，所述风力组件包括支撑板、第一风管、处理箱、泵体、第二风管和风盒，所述支撑板固定连接在炉体的外壁上，所述处理箱和泵体均固定连接在支撑板上，所述泵体的进风端与处理箱连通，所述第一风管的一端与伸缩管连通，所述第一风管的另一端与处理箱连通，所述风盒固定连接在炉体的外壁上，多个u型管均与风盒连通，所述第二风管的一端与泵体出风端连通，所述第二风管的另一端与风盒连通。
7、优选的，所述炉体底部的上表面开设有凹槽，所述凹槽的内部固定连接有电机，所述电机的驱动轴上固定连接有转盘，所述转盘滑动贴合在炉体的内壁上，所述转盘的外圈上开设有通气环槽，所述通气环槽与抽吸通道连通配合，所述转盘的上表面开设有抽吸环槽，所述抽吸环槽通过方口与通气环槽连通，所述方口的内部固定安装有第一电磁阀，所述气腔的内部固定设置有压力传感器。
8、优选的，所述转盘的内部开设有气腔，所述转盘的上表面开设有圆孔，所述圆孔与气腔连通，所述气腔通过气体通道与通气环槽连通，所述气体通道的内部固定安装有第二电磁阀。
9、优选的，所述第二喷气槽的内部固定设置有弹性条，所述弹性条呈s型状。
10、优选的，所述炉体的内壁上固定连接有挡块，所述挡块设置为多个，多个挡块与多个第二喷气槽一一对应分布，所述挡块呈三角形结构。
11、优选的，所述炉体的顶部密封配合有盖板。
12、本发明的技术效果和优点：
13、本发明通过在炉体上设置通风组件，包括第一喷气槽、第二喷气槽和抽吸槽等结构，确保冷却气体能更快速均匀地带走炉内热量，从而实现半导体材料快速降温的目的；
14、由于第二喷气槽倾斜分布，使得冷却气体以一定的倾斜角度作用于半导体材料上，且相较于冷却气体直接垂直作用于半导体材料上，可扩大冷却气体的覆盖面积，提高冷却气体的流动速度；
15、多个第二喷气槽均匀分布在第一喷气槽的两侧，保证散热的范围；
16、位于第一喷气槽同一侧的多个第二喷气槽出风方向接近，不会出现风向混乱而导致热量不易排出，提高降温冷却的效率；
17、进气通道的宽度朝远离进气槽的方向逐渐变大，可保证进入进气通道内部气体的均匀性，进而保证多个第二喷气槽送风的均匀性；
18、第二喷气槽的内径朝远离进气通道的方向逐渐变小，使得冷却气体在喷出过程中流速加大，增强散热效果；
19、当冷却气体由第二喷气槽喷出时，会使得弹性条出现振荡，进而使得冷却气体出现振荡，进一步扩大覆盖范围；
20、设置挡块，避免气流对第二喷气槽的出风方向造成干扰，同时冷却气体会沿着挡块的倾斜面吹向半导体材料，提高冷却气体的利用效率；
21、通过设置风力组件和连通组件，且单个泵体可同时进行送风和抽吸操作，提高降温冷却的效率，同时达到降低能耗的目的；
22、通过方口和抽吸环槽对半导体材料底端位置的热量进行抽吸，保证半导体材料散热的均匀性。
1.一种半导体处理用退火炉装置，包括炉体（1），其特征在于：所述炉体（1）上设置有通风组件，所述通风组件包括进气槽（2）、进气通道（3）、第一喷气槽（4）、第二喷气槽（5）和抽吸槽（9），所述第二喷气槽（5）设置为多个，所述进气槽（2）开设在炉体（1）的外壁上，且进气槽（2）用于输送冷却气体，所述进气通道（3）开设在炉体（1）的壁体内部，所述进气通道（3）呈圆弧状，且与进气槽（2）连通，所述进气通道（3）的宽度朝远离进气槽（2）的方向逐渐变大，所述第一喷气槽（4）开设在炉体（1）的内壁上，所述第一喷气槽（4）连通在进气通道（3）的中段，所述抽吸槽（9）开设在炉体（1）的内壁上，所述抽吸槽（9）与第一喷气槽（4）关于炉体（1）的轴心对称分布，所述第二喷气槽（5）开设在炉体（1）的内壁上，所述第二喷气槽（5）倾斜分布，且与进气通道（3）连通，多个第二喷气槽（5）均匀分布在第一喷气槽（4）的两侧，所述第二喷气槽（5）的内径朝远离进气通道（3）的方向逐渐变小，所述炉体（1）上设置有与进气槽（2）、抽吸槽（9）配合的风力组件和连通组件。
2.根据权利要求1所述的一种半导体处理用退火炉装置，其特征在于：所述通风组件设置为多组，多组通风组件等距离分布。
3.根据权利要求2所述的一种半导体处理用退火炉装置，其特征在于：所述连通组件包括抽吸通道（8）、吸盒（12）和伸缩管（13），所述抽吸通道（8）开设在炉体（1）的壁体内部，且沿着炉体（1）的高度方向分布，所述抽吸通道（8）的宽度由上向下逐渐变大，多个抽吸槽（9）均与抽吸通道（8）连通，所述吸盒（12）固定连接在炉体（1）的顶部，所述抽吸通道（8）与吸盒（12）连通，所述伸缩管（13）连通在吸盒（12）上。
4.根据权利要求3所述的一种半导体处理用退火炉装置，其特征在于：所述连通组件还包括u型管（20）、第三风管（21）和连接头（22），所述u型管（20）固定连接在炉体（1）的外壁上，所述u型管（20）通过第三风管（21）与连接头（22）连通，所述连接头（22）与进气槽（2）连通。
5.根据权利要求4所述的一种半导体处理用退火炉装置，其特征在于：所述风力组件包括支撑板（14）、第一风管（15）、处理箱（16）、泵体（17）、第二风管（18）和风盒（19），所述支撑板（14）固定连接在炉体（1）的外壁上，所述处理箱（16）和泵体（17）均固定连接在支撑板（14）上，所述泵体（17）的进风端与处理箱（16）连通，所述第一风管（15）的一端与伸缩管（13）连通，所述第一风管（15）的另一端与处理箱（16）连通，所述风盒（19）固定连接在炉体（1）的外壁上，多个u型管（20）均与风盒（19）连通，所述第二风管（18）的一端与泵体（17）出风端连通，所述第二风管（18）的另一端与风盒（19）连通。
6.根据权利要求5所述的一种半导体处理用退火炉装置，其特征在于：所述炉体（1）底部的上表面开设有凹槽（24），所述凹槽（24）的内部固定连接有电机（25），所述电机（25）的驱动轴上固定连接有转盘（23），所述转盘（23）滑动贴合在炉体（1）的内壁上，所述转盘（23）的外圈上开设有通气环槽（26），所述通气环槽（26）与抽吸通道（8）连通配合，所述转盘（23）的上表面开设有抽吸环槽（27），所述抽吸环槽（27）通过方口（28）与通气环槽（26）连通，所述方口（28）的内部固定安装有第一电磁阀（29）。
7.根据权利要求6所述的一种半导体处理用退火炉装置，其特征在于：所述转盘（23）的内部开设有气腔（32），所述转盘（23）的上表面开设有圆孔（10），所述圆孔（10）与气腔（32）连通，所述气腔（32）通过气体通道（30）与通气环槽（26）连通，所述气体通道（30）的内部固定安装有第二电磁阀（31），所述气腔（32）的内部固定设置有压力传感器。
8.根据权利要求1所述的一种半导体处理用退火炉装置，其特征在于：所述第二喷气槽（5）的内部固定设置有弹性条（6），所述弹性条（6）呈s型状。
9.根据权利要求1所述的一种半导体处理用退火炉装置，其特征在于：所述炉体（1）的内壁上固定连接有挡块（7），所述挡块（7）设置为多个，多个挡块（7）与多个第二喷气槽（5）一一对应分布，所述挡块（7）呈三角形结构。
10.根据权利要求1所述的一种半导体处理用退火炉装置，其特征在于：所述炉体（1）的顶部密封配合有盖板（11）。
