本发明涉及硅片去边工艺，具体地，涉及一种降低外延后边缘层错群的去边方法、系统、介质及设备。
背景技术：
1、目前由于客户需求，大量的背封工艺为超级背封形式的工艺。也就是先进行lto沉积，再进行poly膜沉积。这种形式的背封工艺具有优秀的抑制自掺杂作用，在外延客户端电性的表现上更加优良。但是由于在正面进行抛光后，部分倒角上进行包覆的poly层也会被抛去，导致在倒角上包覆的lto层裸露在硅片的倒角上。由于倒角上部分lto薄膜在外延高温过程中，容易开裂形成颗粒，污染硅片边缘，形成硅片极边缘的层错群，如图2。
技术实现思路
1、针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种降低外延后边缘层错群的去边方法、系统、介质及设备。
2、根据本发明提供的降低外延后边缘层错群的去边方法，包括：
3、步骤1：对硅片进行apcvd常压化学气相沉积，沉积lto薄膜；
4、步骤2：在去边设备上进行去膜，控制去边量在预设范围内；
5、步骤3：在清洗后进行lpcvd低压化学气相沉积，沉积poly薄膜；
6、步骤4：进行正面抛光。
7、优选地，所述步骤1包括：apcvd常压化学气相沉积温度范围为400℃～700℃，托盘传动速度为0.1米/min以内，经过硅烷气体和氧气混合加工后沉积薄膜，硅烷气体流量为0.1l/min-0.2l/min，氧气流量为0.1l/min-0.2l/min。
8、优选地，所述步骤3包括：将硅片放置到硅舟上，然后将硅舟升至炉腔内，按照500℃～700℃的温度在硅烷下进行沉积薄膜，硅烷气体流量为0.5l/min-1.5l/min。
9、优选地，所述步骤4包括：抛光为压力小于1kg/cm2；添加研磨剂，控制药液ph在11±1以内，研磨剂流量为1l/min-2l/min。
10、根据本发明提供的降低外延后边缘层错群的去边系统，包括：
11、模块m1：对硅片进行apcvd常压化学气相沉积，沉积lto薄膜；
12、模块m2：在去边设备上进行去膜，控制去边量在预设范围内；
13、模块m3：在清洗后进行lpcvd低压化学气相沉积，沉积poly薄膜；
14、模块m4：进行正面抛光。
15、优选地，所述模块m1包括：apcvd常压化学气相沉积温度范围为400℃～700℃，托盘传动速度为0.1米/min以内，经过硅烷气体和氧气混合加工后沉积薄膜，硅烷气体流量为0.1l/min-0.2l/min，氧气流量为0.1l/min-0.2l/min。
16、优选地，所述模块m3包括：将硅片放置到硅舟上，然后将硅舟升至炉腔内，按照500℃～700℃的温度在硅烷下进行沉积薄膜，硅烷气体流量为0.5l/min-1.5l/min。
17、优选地，所述模块m4包括：抛光为压力小于1kg/cm2；添加研磨剂，控制药液ph在11±1以内，研磨剂流量为1l/min-2l/min。
18、根据本发明提供的存储有计算机程序的计算机可读存储介质，所述计算机程序被处理器执行时实现所述的降低外延后边缘层错群的去边方法的步骤。
19、根据本发明提供的电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现所述的降低外延后边缘层错群的去边方法的步骤。
20、与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
21、本发明先对硅片进行apcvd常压化学气相沉积，沉积lto薄膜，然后在去边设备上进行去膜，接着清洗后进行lpcvd低压化学气相沉积，沉积poly薄膜，最后进行正面抛光，在不影响本身背封功能的情况下，减少在客户端使用后发生边缘层错，降低了影响客户端使用体验的发生率。
1.一种降低外延后边缘层错群的去边方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的降低外延后边缘层错群的去边方法，其特征在于，所述步骤1包括：apcvd常压化学气相沉积温度范围为400℃～700℃，托盘传动速度为0.1米/min以内，经过硅烷气体和氧气混合加工后沉积薄膜，硅烷气体流量为0.1l/min-0.2l/min，氧气流量为0.1l/min-0.2l/min。
3.根据权利要求1所述的降低外延后边缘层错群的去边方法，其特征在于，所述步骤3包括：将硅片放置到硅舟上，然后将硅舟升至炉腔内，按照500℃～700℃的温度在硅烷下进行沉积薄膜，硅烷气体流量为0.5l/min-1.5l/min。
4.根据权利要求1所述的降低外延后边缘层错群的去边方法，其特征在于，所述步骤4包括：抛光为压力小于1kg/cm2；添加研磨剂，控制药液ph在11±1以内，研磨剂流量为1l/min-2l/min。
5.一种降低外延后边缘层错群的去边系统，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的降低外延后边缘层错群的去边系统，其特征在于，所述模块m1包括：apcvd常压化学气相沉积温度范围为400℃～700℃，托盘传动速度为0.1米/min以内，经过硅烷气体和氧气混合加工后沉积薄膜，硅烷气体流量为0.1l/min-0.2l/min，氧气流量为0.1l/min-0.2l/min。
7.根据权利要求5所述的降低外延后边缘层错群的去边系统，其特征在于，所述模块m3包括：将硅片放置到硅舟上，然后将硅舟升至炉腔内，按照500℃～700℃的温度在硅烷下进行沉积薄膜，硅烷气体流量为0.5l/min-1.5l/min。
8.根据权利要求5所述的降低外延后边缘层错群的去边系统，其特征在于，所述模块m4包括：抛光为压力小于1kg/cm2；添加研磨剂，控制药液ph在11±1以内，研磨剂流量为1l/min-2l/min。
9.一种存储有计算机程序的计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至4中任一项所述的降低外延后边缘层错群的去边方法的步骤。
10.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至4中任一项所述的降低外延后边缘层错群的去边方法的步骤。
