本发明涉及单晶金刚石生长，具体为一种温度一致的单晶金刚石生长基片台。
背景技术：
1、mpcvd设备在进行单晶金刚石生长的过程中，单晶金刚石生长所放置的基片台上有凸起的筋，用于隔开每个单晶金刚石，由于单晶金刚石中心生长快，边缘生长慢；使用相同规格的筋会导致中间的单晶金刚石快速连接，边缘连接慢，影响单晶金刚石的温度一致性，单晶金刚石的生长温度值对晶体生长有着很重要的影响，并且要确保同时生长的每个单晶金刚石的生长温度保持一致；
2、在现有单晶金刚石生长过程中，由于中心区域等离子体球能量强，边缘区域能量弱，导致中心区域单晶金刚石生长速率快，边缘区域速率慢，而且基片台上的筋尺寸都相同，最终导致中心区域单晶金刚石相互快速连接，边缘区域单晶金刚石没有相互连接，由于单晶金刚石热导性好，单晶金刚石连接后温度一致，与不连接的单晶金刚石温度存在差异，影响单晶金刚石的生长质量，为此，我们提出一种温度一致的单晶金刚石生长基片台。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种温度一致的单晶金刚石生长基片台。
2、以解决上述背景技术中提出的问题，本发明提供如下技术方案：一种温度一致的单晶金刚石生长基片台，包括生长基片台主体，所述生长基片台主体包括生长台、生长台上端连接的恒温机构以及生长台下端连接的稳定机构，所述恒温机构包括内筋、中筋以及外筋，所述生长台的上端从中向四周依次划分成内区域、中区域以及外区域，所述生长台上内区域与内筋固定连接，所述生长台上中区域与中筋固定连接，所述生长台上外区域与外筋固定连接，且内筋、中筋以及外筋的宽度按照顺序依次递减。
3、作为本发明的进一步方案：所述生长台的直径为10.16cm，所述生长台的厚度范围为2-8mm，所述生长台的材料为钼材。
4、作为本发明的进一步方案：所述生长台的上端放置的内筋、中筋以及外筋一共有248个，且248个筋分别按照横向以及竖向放置，所述横向放置以及竖向放置的筋数均为124。
5、作为本发明的进一步方案：所述内筋、中筋以及外筋的上端共放置有112片单晶金刚石，且单晶金刚石为正方形，所述单晶金刚石的边长为7mm。
6、作为本发明的进一步方案：所述内筋的宽度尺寸大于中筋的宽度尺寸，所述内筋的宽度尺寸范围为0.6-1mm。
7、作为本发明的进一步方案：所述中筋的宽度尺寸大于外筋的宽度尺寸，所述中筋的宽度尺寸范围为0.4-0.5mm。
8、作为本发明的进一步方案：所述外筋的宽度尺寸范围为0.2-0.3mm。
9、作为本发明的进一步方案：所述稳定机构包括基片台垫片以及基片台底片，所述基片台底片的上端开设有基片仓，所述基片仓的内壁与基片台垫片的外壁滑动连接。
10、作为本发明的进一步方案：所述基片台垫片的上端与生长台的下端接触，且生长台的外壁与基片仓的内壁滑动连接。
11、采用上述技术方案，与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
12、本发明通过内筋、中筋以及外筋的宽度不同，能够使不同宽度的筋按照宽度依次放置在内区域、中区域以及外区域，使多个单晶金刚石均能快速连接起来，使多个单晶金刚石的温度保持一致，从而提高单晶金刚石生长质量的一致性。
13、本发明通过生长台设置为10.16cm，从而能够使生长台的上端能够放置112片单晶金刚石，使生长台上能够放置更多的单晶金刚石，并且单晶金刚石的边长为7mm，能够更好地与生长台11配合放置。
14、本发明通过基片台底片的设置，能够使生长台更加平稳，利用基片仓的设置能够为将生长台放置在基片仓的内部，从而对生长台的位置进行限制，使单晶金刚石生长时更加稳定。
1.一种温度一致的单晶金刚石生长基片台，包括生长基片台主体(1)，其特征在于：所述生长基片台主体(1)包括生长台(11)、生长台(11)上端连接的恒温机构以及生长台(11)下端连接的稳定机构，所述恒温机构包括内筋(2)、中筋(3)以及外筋(4)，所述生长台(11)的上端从中向四周依次划分成内区域(7)、中区域(8)以及外区域(9)，所述生长台(11)上内区域(7)与内筋(2)固定连接，所述生长台(11)上中区域(8)与中筋(3)固定连接，所述生长台(11)上外区域(9)与外筋(4)固定连接，且内筋(2)、中筋(3)以及外筋(4)的宽度按照顺序依次递减。
2.根据权利要求1所述的一种温度一致的单晶金刚石生长基片台，其特征在于：所述生长台(11)的直径为10.16cm，所述生长台(11)的厚度范围为2-8mm，所述生长台(11)的材料为钼材。
3.根据权利要求1所述的一种温度一致的单晶金刚石生长基片台，其特征在于：所述生长台(11)的上端放置的内筋(2)、中筋(3)以及外筋(4)一共有248个，且248个筋分别按照横向以及竖向放置，所述横向放置以及竖向放置的筋数均为124。
4.根据权利要求3所述的一种温度一致的单晶金刚石生长基片台，其特征在于：所述内筋(2)、中筋(3)以及外筋(4)的上端共放置有112片单晶金刚石(41)，且单晶金刚石(41)为正方形，所述单晶金刚石(41)的边长为7mm。
5.根据权利要求1所述的一种温度一致的单晶金刚石生长基片台，其特征在于：所述内筋(2)的宽度尺寸大于中筋(3)的宽度尺寸，所述内筋(2)的宽度尺寸范围为0.6-1mm。
6.根据权利要求1所述的一种温度一致的单晶金刚石生长基片台，其特征在于：所述中筋(3)的宽度尺寸大于外筋(4)的宽度尺寸，所述中筋(3)的宽度尺寸范围为0.4-0.5mm。
7.根据权利要求1所述的一种温度一致的单晶金刚石生长基片台，其特征在于：所述外筋(4)的宽度尺寸范围为0.2-0.3mm。
8.根据权利要求1所述的一种温度一致的单晶金刚石生长基片台，其特征在于：所述稳定机构包括基片台垫片(5)以及基片台底片(6)，所述基片台底片(6)的上端开设有基片仓(61)，所述基片仓(61)的内壁与基片台垫片(5)的外壁滑动连接。
9.根据权利要求8所述的一种温度一致的单晶金刚石生长基片台，其特征在于：所述基片台垫片(5)的上端与生长台(11)的下端接触，且生长台(11)的外壁与基片仓(61)的内壁滑动连接。
