本发明的示例性实施方式涉及一种电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。
背景技术：
1、提出一种三维地集成了存储器单元的半导体装置。半导体装置需要提高可靠性。
技术实现思路
1、根据本发明的一个实施方式，一种半导体装置包括：设置在基板上的导电层和介电层的交替叠层；沟道层，其设置在穿透交替叠层的贯通部分中；阻挡层，其设置在贯通部分中，并且围绕沟道层的外壁；以及连续蚀刻停止层，其设置在贯通部分中，并且围绕阻挡层的外壁。
2、根据本发明的另一实施方式，一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：在基板上形成牺牲层和介电层的交替叠层；形成穿透交替叠层的第一贯通部分；形成蚀刻停止层以覆盖第一贯通部分的侧壁；在蚀刻停止层上形成设置在第一贯通部分中的阻挡层；通过蚀刻交替叠层的一部分来形成第二贯通部分；通过第二贯通部分去除牺牲层，以在介电层之间形成气隙；以及形成代替牺牲层的导电层，其中，导电层在填充气隙的状态下与蚀刻停止层接触。
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一阻挡层沿所述交替叠层进行层叠的方向基本垂直地延伸。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述介电层包括无碳氧化物。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一阻挡层包括高k材料。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一阻挡层包括金属氧化物。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一阻挡层包括氧化铝。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电层和所述介电层直接接触，并且
8.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一阻挡层包括高k材料，并且
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述介电层包括金属氧化物。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述介电层包括高k材料，所述高k材料包括氧化铝、氧化铪、氧化锆或其组合。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述界面层比所述介电层具有更小的介电常数。
14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述界面层包括低k材料，所述低k材料包括氧化硅或氮氧化硅。
15.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述界面层不含碳。
16.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述有源层具有包括内部空间的管形形状或圆柱形形状，所述内部空间填充有核心介电层，并且
17.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述有源层包括第一掺杂区和第二掺杂区，并且
18.一种半导体装置，该半导体装置包括：
19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，所述有源层的内部空间填充有核心介电层，并且，所述高k介电层的底表面、所述界面层的底表面和所述有源层的底表面位于同一高度处。
20.根据权利要求19所述的半导体装置，其中，所述高k介电层和所述界面层形成在所述有源层的所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间，并且所述高k介电层和所述界面层形成在所述第二层和所述第一掺杂区之间。
