本发明涉及显示面板，特别涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术：
1、随着显示器制造技术的发展，薄膜场效应晶体管液晶显示器（thin filmtransistor-liquid crystal display，简称tft-lcd）因其具有体积小、功耗低、分辨率高等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。
2、阵列基板是tft-lcd 的主要组成部件之一，在制造阵列基板的过程中，所使用的光刻掩膜版的数量显著影响阵列基板的制造成本。
3、现有技术中制备阵列基板的工艺过程一般包括：通过构图工艺依次在基板上形成包括栅极层、硅岛层、源漏极层、第一透明导电层、过孔、第二透明导电层层的图案。
4、然而现有技术中，栅极层金属（也称作m1金属）和源漏极层金属（也称作m2金属）之间的连接是通过第一透明电极层（vito）进行桥接的，即第一透明电极层（vito）通过过孔con连接栅极层，第一透明电极层（vito）再经过过孔con连接源漏极层，这样栅极层就和源漏极层连接了。因为第一透明电极层（vito）和金属连接的电阻高，由于ito比较薄，这种技术方案，存在过孔可能连接不好、连接电阻过高的情况。
技术实现思路
1、现有的阵列基板构图工艺，栅极层金属与源漏极层的连接存在连接过高的问题，并且由于ito较薄，还有连接差的问题。
2、针对上述问题，提出一种阵列基板制造工艺及阵列基板，通过在栅极层构图完成后，利用过孔掩膜版制作第一过孔，使栅极层金属通过第一过孔与源漏极层金属进行第一连接，然后在第一透明电极层构图完成后，再次利用过孔掩膜版制作第二过孔，从而使源漏极层与栅极层进行第二连接，在不增加成本的情况下，实现了栅极层与源漏极层的两次连接，提高了连接性能。
3、第一方面，一种阵列基板制造工艺，包括：
4、步骤100、在玻璃基板上，利用掩膜版通过构图工艺依次形成栅极层、栅极绝缘层、半导体层；
5、步骤200、利用过孔掩膜版制作第一过孔，并通过构图工艺依次形成平坦层、源漏极层，使所述栅极层通过所述第一过孔与所述源漏极层进行第一连接；
6、步骤300、利用掩膜版并通过构图工艺依次形成钝化层、第一透明电极层；
7、步骤400、利用所述过孔掩膜版制作第二过孔，使所述源漏极层连接所述第一透明电极层、所述第一透明电极层连接所述栅极层，从而使所述源漏极层与所述栅极层进行第二连接。
8、结合本发明第一方面所述的阵列基板制造工艺，第一种可能的实施方式中，所述阵列基板制造工艺还包括：
9、步骤500、通过构图工艺在所述钝化层上制作第二透明电极层；
10、步骤600、制作第三过孔，所述第二透明电极层通过所述第三过孔与所述半导体层连接。
11、结合本发明第一方面第一种可能的实施方式，第二种可能的实施方式中，所述步骤100包括：
12、步骤110、在玻璃基板上，通过构图工艺在所述玻璃基板上形成缓冲层；
13、步骤120、在所述缓冲层上，通过构图工艺形成所述栅极层。
14、结合本发明第一方面第二种可能的实施方式，第三种可能的实施方式中，所述步骤200包括：
15、步骤210、利用所述过孔掩膜版，采用对所述绝缘层进行第一刻蚀，获取第一过孔。
16、结合本发明第一方面第三种可能的实施方式，第四种可能的实施方式中，所述步骤400包括：
17、步骤410、利用过孔掩膜版对所述源漏极层与所述第一透明电极层之间的所述钝化层以及所述源漏极层与所述栅极层之间的绝缘层进行第二刻蚀，获取第二过孔。
18、第二方面，一种阵列基板，采用第一方面所述的制造工艺，包括：
19、栅极层、栅极绝缘层、半导体层、平坦层、源漏极层、钝化层、第一透明电极层、第一过孔及第二过孔；
20、所述栅极层、栅极绝缘层、半导体层通过构图工艺在玻璃基板上依次形成；
21、所述第一过孔在栅极层制作完成后通过采用过孔掩膜版制作而成；
22、所述平坦层、源漏极层在所述第一过孔制作完成后通过构图工艺依次形成；
23、所述栅极层通过所述第一过孔与所述源漏极层进行第一连接；
24、所述钝化层、第一透明电极层通过构图工艺依次形成；
25、所述第二过孔使所述源漏极层连接所述第一透明电极层、所述第一透明电极层连接所述栅极层，从而使所述源漏极层与所述栅极层进行第二连接。
26、结合本发明第二方面所述的阵列基板制造工艺，第一种可能的实施方式中，所述阵列基板还包括：
27、第二透明电极层、第三过孔；
28、所述第二透明电极层通过构图工艺在所述钝化层上制作而成；
29、所述第二透明电极层通过所述第三过孔与所述半导体层连接。
30、结合本发明第二方面第一种可能的实施方式，第二种可能的实施方式中，所述阵列基板还包括：
31、缓冲层；
32、所述缓冲层通过构图工艺在所述玻璃基板上形成，通过构图工艺在所述缓冲层上形成所述栅极层。
33、结合本发明第二方面第二种可能的实施方式，第三种可能的实施方式中，所述第一过孔在所述栅极层构图完成后，通过刻蚀所述栅极层上方的绝缘层形成。
34、结合本发明第二方面第三种可能的实施方式，第四种可能的实施方式中，所述第二过孔在所述第一透明电极层构图完成后，通过刻蚀所述源漏极层与所述第一透明电极层之间的所述钝化层以及所述源漏极层与所述栅极层之间的绝缘层形成。
35、实施本发明所述的阵列基板制造工艺及阵列基板，通过在栅极层构图完成后，利用过孔掩膜版制作第一过孔，使栅极层金属通过第一过孔与源漏极层金属进行第一连接，然后在第一透明电极层构图完成后，再次利用过孔掩膜版制作第二过孔，从而使源漏极层与栅极层进行第二连接，在不增加成本的情况下，实现了栅极层与源漏极层的两次连接，提高了连接性能。
1.一种阵列基板制造工艺，特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板制造工艺，其特征在于，所述阵列基板制造工艺还包括：
3.根据权利要求2所述的阵列基板制造工艺，其特征在于，所述步骤100包括：
4.根据权利要求3所述的阵列基板制造工艺，其特征在于，所述步骤200包括：
5.根据权利要求4所述的阵列基板制造工艺，其特征在于，所述步骤400包括：
6.一种阵列基板，采用权利要求1-5任一项所述的制造工艺，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔在所述栅极层构图完成后，通过刻蚀所述栅极层上方的绝缘层形成。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔在所述第一透明电极层构图完成后，通过刻蚀所述源漏极层与所述第一透明电极层之间的所述钝化层以及所述源漏极层与所述栅极层之间的绝缘层形成。
