一种LED芯片及其制备方法与流程

一种led芯片及其制备方法
技术领域
1.本技术涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种led芯片及其制备方法。


背景技术：

2.随着发光二极管(light-emitting diode，led)芯片技术的发展，led内量子效率已达到很高水平，而光萃取效率却依然比较低，亟待提升。目前，高亮度发光led芯片通常采用全方位反射镜(omni-directional reflector，odr)，从而提高反射镜的反射效率，进而提高光萃取效率。
3.全方位反射镜通常包括半导体层、介质层和金属镜面层，设置在led芯片的p面，为保证半导体层与金属镜面层形成欧姆接触，需要在介质层上开孔，使得金属镜面层通过填充介质层中的开孔与半导体层形成欧姆接触，该欧姆接触位置即为p面供电位置。为了减少n电极遮档出光，p面介质层上开孔设计时会避开n电极位置。然而，虽然已经可以设计将介质层上开孔与n电极错开，但电流经过外延层时，由于外延层导电，部分电流依然会横向扩展到n电极下方的有源层发光，这部分光会被n电极遮挡或吸收，进而产热，结温升高，使得led芯片的电光转换效率降低。


技术实现要素：

4.为解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种led芯片及其制备方法，以减少电流横向扩展到n电极遮挡区域的有源层中，从而减少n电极遮挡区域的有源层发光，实现减小产热，降低结温，提高led芯片的电光转换效率的目的。
5.为实现上述目的，本技术实施例提供了如下技术方案：
6.一种led芯片，包括：
7.第一衬底；
8.位于所述第一衬底表面依次排布的键合层和叠层结构，所述叠层结构包括沿背离所述第一衬底的方向依次排布的全方位反射镜层、第一型半导体层、有源层和第二型半导体层，所述全方位反射镜层包括沿背离所述第一衬底的方向依次排布的镜面层、介质层和欧姆接触层，所述介质层中设置有多个开孔，使得所述镜面层填充所述多个开孔与所述欧姆接触层形成欧姆接触；
9.位于所述第一衬底背离所述叠层结构一侧的第一电极和位于所述叠层结构背离所述第一衬底一侧的第二电极；
10.以及凹槽，所述凹槽在所述第一衬底表面的投影和所述第二电极在所述第一衬底表面的投影至少部分交叠，所述凹槽至少贯穿所述欧姆接触层和部分所述第一型半导体层组成的叠层，且所述介质层、所述镜面层和所述键合层组成的叠层填充所述凹槽。
11.可选的，所述第二电极包括焊盘以及和所述焊盘连接的多条子电极，每一条所述子电极对应一个所述凹槽，且每一所述凹槽在所述第一衬底表面的投影和该凹槽对应的所述子电极在所述第一衬底表面的投影至少部分交叠。
12.可选的，所述焊盘对应一个所述凹槽，且该凹槽在所述第一衬底表面的投影和所述焊盘在所述第一衬底表面的投影至少部分交叠。
13.可选的，所述键合层包括沿朝向所述第一衬底的方向依次排布的第一键合层和第二键合层，其中，所述介质层、所述镜面层和所述第一键合层组成的叠层填充所述凹槽，且所述第一键合层朝向所述第一衬底的表面平整。
14.可选的，所述凹槽至少贯穿所述欧姆接触层、所述第一型半导体层和部分所述有源层组成的叠层。
15.可选的，所述凹槽至少贯穿所述欧姆接触层、所述第一型半导体层、所述有源层和部分所述第二型半导体层组成的叠层。
16.可选的，所述叠层结构还包括：位于所述第二型半导体层和所述第二电极之间的电流扩展层；
17.所述凹槽至少贯穿所述欧姆接触层、所述第一型半导体层、所述有源层、所述第二型半导体层和部分所述电流扩展层组成的叠层。
18.可选的，所述凹槽为梯形或方形。
19.一种led芯片的制备方法，包括：
20.提供第一衬底和第二衬底；
21.在所述第二衬底的一侧形成叠层结构，所述叠层结构包括沿背离所述第二衬底的方向依次排布的第二型半导体层、有源层、第一型半导体层和全方位反射镜层，所述全方位反射镜层包括沿背离所述第二衬底的方向依次排布的欧姆接触层、介质层和镜面层，所述叠层结构中设置有凹槽，所述凹槽至少贯穿所述欧姆接触层和部分所述第一型半导体层组成的叠层，其中，所述叠层结构的形成过程包括:
22.在所述第二衬底的一侧依次形成所述第二型半导体层、所述有源层和所述第一型半导体层；
23.在所述第一型半导体层背离所述第二衬底的一侧形成欧姆接触层；
24.对至少由所述欧姆接触层和部分所述第一型半导体层组成的叠层进行刻蚀形成凹槽，使得所述凹槽至少贯穿所述欧姆接触层和部分所述第一型半导体层组成的叠层；
25.在所述欧姆接触层背离所述第二衬底的一侧形成介质层，并在所述介质层中设置多个开孔；
26.在所述介质层背离所述第二衬底的一侧形成镜面层，使得所述镜面层填充所述多个开孔与所述欧姆接触层形成欧姆接触，至此得到所述叠层结构，且所述欧姆接触层、所述介质层和所述镜面层组成所述全方位反射镜层；
27.在所述叠层结构背离所述第二衬底的一侧形成第一键合层，使得所述介质层、所述镜面层和所述第一键合层组成的叠层填充所述凹槽；
28.在所述第一衬底的表面形成第二键合层；
29.将所述第一键合层和所述第二键合层键合形成键合层，以从所述叠层结构背离所述第二衬底的一侧，将所述叠层结构键合至所述第一衬底上，并去除所述第二衬底，实现衬底转移；
30.在所述第一衬底背离所述叠层结构的一侧形成第一电极，并在所述叠层结构背离所述第一衬底的一侧形成第二电极；
31.其中，所述凹槽在所述第一衬底表面的投影和所述第二电极在所述第一衬底表面的投影至少部分交叠。
32.可选的，该方法在形成所述叠层结构时，在所述第二衬底的一侧形成所述第二型半导体层之前，还包括：
33.在所述第二衬底的一侧形成电流扩展层；
34.其中，所述凹槽至少贯穿所述欧姆接触层、所述第一型半导体层、所述有源层、所述第二型半导体层和部分所述电流扩展层组成的叠层。
35.可选的，该方法在形成所述第一键合层之后，还包括：
36.对所述第一键合层背离所述第二衬底的表面进行抛光，使得所述第一键合层背离所述第二衬底的表面平整。
37.与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
38.本技术实施例所提供的led芯片，包括：第一衬底；位于所述第一衬底表面依次排布的键合层和叠层结构，所述叠层结构包括沿背离所述第一衬底的方向依次排布的镜面层、介质层、欧姆接触层、第一型半导体层、有源层和第二型半导体层，其中，所述镜面层、所述介质层和所述欧姆接触层组成全方位反射镜层；位于所述第一衬底背离所述叠层结构一侧的第一电极和位于所述叠层结构背离所述第一衬底一侧的第二电极；以及凹槽，所述凹槽在所述第一衬底表面的投影和所述第二电极在所述第一衬底表面的投影至少部分交叠，所述凹槽至少贯穿所述欧姆接触层和部分所述第一型半导体层组成的叠层，且所述介质层、所述镜面层和所述键合层组成的叠层填充所述凹槽。
39.由此可见，在本技术实施例所提供的led芯片中，所述第二电极至少遮挡部分所述凹槽，而所述凹槽被所述第二电极遮挡部分对应的至少所述欧姆接触层和部分所述第一型半导体层组成的叠层被刻蚀掉，从而至少能够减少电流从第二电极遮挡区域的欧姆接触层和部分第一型半导体层流入第二电极遮挡区域的有源层中，即减少电流横向扩展到第二电极遮挡区域的有源层中，进而减少第二电极遮挡区域的有源层发光，实现减小产热，降低结温，提高led芯片的电光转换效率的目的，同时也可以使得电流更多地扩展到没有被第二电极遮挡的有源层中，进一步提高led芯片的电光转换效率。
附图说明
40.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
41.图1为传统led芯片的结构示意图；
42.图2为本技术一个实施例所提供的led芯片的结构示意图；
43.图3为本技术另一个实施例所提供的led芯片的结构示意图；
44.图4为本技术一个实施例所提供的led芯片中，第二电极的俯视示意图。
45.图5-图12为本技术各实施例所提供的led芯片的结构示意图；
46.图13(a)-图13(i)为本技术实施例所提供的led芯片的制备方法的各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
47.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
48.在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
49.其次，本技术结合示意图进行详细描述，在详述本技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
50.图1给出了传统led芯片的结构示意图，如图1所示，传统led芯片由下到上依次包括：p电极01、衬底02、键合层03、金属镜面层04、介质层05、p型欧姆接触层06、p型窗口层07、p型限制层08、有源层09、n型限制层010、n型窗口层011、n型粗化层012和n电极013，其中，金属镜面层04、介质层05和p型欧姆接触层06组成全方位反射镜层014，且介质层05中设置有多个开孔051，使得金属镜面层04通过填充介质层05中的开孔051与p型欧姆接触层06形成欧姆接触。
51.正如背景技术部分所述，虽然已经可以设计将介质层05上开孔051与n电极013错开，但如图1所示，其中，虚线箭头代表电流流向，实线箭头代表出光方向，可以看到，电流经过p型欧姆接触层06、p型窗口层07、p型限制层08和有源层09时，由于这些层导电，部分电流依然会横向扩展到n电极013下方的有源层09发光，这部分光会被n电极013遮挡或吸收，进而产热，结温升高，使得led芯片的电光转换效率降低。
52.有鉴于此，本技术实施例提供了一种led芯片，如图2所示，该led芯片包括：
53.第一衬底10；
54.位于所述第一衬底10表面依次排布的键合层20和叠层结构30，所述叠层结构30包括沿背离所述第一衬底10的方向依次排布的全方位反射镜层31、第一型半导体层32、有源层33和第二型半导体层34，所述全方位反射镜层31包括沿背离所述第一衬底10的方向依次排布的镜面层311、介质层312和欧姆接触层313，所述介质层312中设置有多个开孔314，使得所述镜面层311填充所述多个开孔314与所述欧姆接触层313形成欧姆接触；
55.位于所述第一衬底10背离所述叠层结构30一侧的第一电极40和位于所述叠层结构30背离所述第一衬底10一侧的第二电极50；
56.以及凹槽60，所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影至少部分交叠，所述凹槽60至少贯穿所述欧姆接触层313和部分所述第一型半导体层32组成的叠层，且所述介质层312、所述镜面层311和所述键合层20组成的叠层填充所述凹槽。
57.需要说明的是，所述叠层结构30和所述第一衬底10通过所述键合层20键合连接，具体的，所述叠层结构30可以先在一临时衬底上生长完成后，从所述叠层结构背离所述临时衬底的一侧，将所述叠层结构30键合至所述第一衬底10上，并去除所述临时衬底，实现衬底转移。
58.参考图1所示，由于电流经过p型欧姆接触层06、p型窗口层07、p型限制层08和有源层09时，会向n电极013遮挡区域进行扩展，导致电流流入n电极013遮挡区域的有源层09中发光，这部分光进而被n电极遮挡或吸收，产热使得结温升高，led芯片的电光转换效率降低，因此，在本实施例中，参考图2所示，在所述临时衬底上形成所述叠层结构30的过程中，至少对所述欧姆接触层313和部分所述第一型半导体层32组成的叠层进行刻蚀形成所述凹槽60，使得所述凹槽60至少贯穿所述欧姆接触层313和部分所述第一型半导体层32组成的叠层，且所述介质层312、所述镜面层311和所述键合层20组成的叠层填充所述凹槽60，所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影至少部分交叠，参考图2中虚线箭头代表的电流流向可知，这样至少能够减少电流从所述第二电极50遮挡区域的欧姆接触层313和部分第一型半导体层32流入所述第二电极50遮挡区域的有源层33中，即减少电流横向扩展到所述第二电极50遮挡区域的有源层33中，进而减少所述第二电极50遮挡区域的有源层33发光，实现减小产热，降低结温，提高led芯片的电光转换效率的目的，同时也可以使得电流更多地扩展到没有被所述第二电极50遮挡的有源层33中，进一步提高led芯片的电光转换效率。
59.并且，所述介质层312、所述镜面层311和所述键合层20组成的叠层填充所述凹槽60，使得所述凹槽60的底部和侧壁上均形成反射镜面层，参考图2中实线箭头代表的出光方向可知，所述led芯片的出射光除了包括从所述有源层33直接出射的光和从所述有源层33出射的光经所述全方位反射镜31反射后而出射的光之外，还包括从所述有源层33出射的光经所述凹槽60的底部和侧壁上的反射镜面层反射后而出射的光，从而增加对所述有源层33发出的光的反射，进一步提高led芯片的电光转换效率。
60.在上述实施例的基础上，可选的，在本技术的一个实施例中，如图3所示，所述叠层结构30还包括：
61.位于所述欧姆接触层313和所述第一型半导体层32之间的第一型电流扩展层35，所述第一型电流扩展层35起到电流扩展的作用，从而使得所述有源层33的材料得以充分利用，led发光更加均匀，增加led芯片的发光面积，但同时也会使得电流向所述第二电极50遮挡区域进行扩展，在本实施例中，所述凹槽60至少贯穿所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35和部分所述第一型半导体层32组成的叠层，以减少电流向所述第二电极50遮挡区域进行扩展。
62.还需要说明的是，所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影至少部分交叠包括：
63.所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影位于所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影范围内；
64.所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影位于所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影范围内；
65.所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影完全重合；
66.以及所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影部分交叠。
67.也就是说，在垂直于所述第一衬底表面的方向上，所述第二电极50至少遮挡部分
所述凹槽60，而所述凹槽60被所述第二电极50遮挡部分对应的至少所述欧姆接触层313和部分所述第一型半导体层32组成的叠层被刻蚀掉，从而减少电流横向扩展到所述第二电极50遮挡区域的有源层33中，进而减少被所述第二电极50遮挡的这部分有源层33发光，减小产热，降低结温，提高led芯片的电光转换效率。
68.由于被所述第二电极50遮挡的有源层33发光为无效发光，且会产热造成结温升高，因此，所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影交叠部分越多，则被所述第二电极遮挡的至少所述欧姆接触层313和部分所述第一型半导体层32组成的叠层被刻蚀掉的越多，越有利于减少产热，降低结温，提高led芯片的电光转换效率。
69.并且，由于没有被所述第二电极50遮挡的有源层33发光为有效发光，因此，所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影不交叠的部分越少，则对没有被所述第二电极50遮挡的有源层33发光产生的影响越小，从而可以实现在减少电流横向扩展到被所述第二电极50遮挡的有源层33中的同时，使得电流可以更多地扩展到没有被所述第二电极50遮挡的有源层33中，进一步提高led芯片的电光转换效率。
70.因此，在理想情况下，应尽量设置所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影完全重合。但考虑到实际工艺，所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影可能位于所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影范围内，也可能和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影部分交叠，还可能所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影位于所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影范围内。
71.当所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影位于所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影范围内，或所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影部分交叠时，可以设置所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影不交叠的部分占所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影比例不超过预设比例，可选的，所述预设比例可以为10％，以在减少电流横向扩展到被所述第二电极50遮挡的有源层33中的同时，使得电流可以更多地扩展到没有被所述第二电极50遮挡的有源层中，进一步提高led芯片的电光转换效率。
72.再需要说明的是，在本实施例中，由于所述介质层312、所述镜面层311和所述键合层20组成的叠层填充所述凹槽，而所述介质层312中设置有多个开孔314，使得所述镜面层311填充所述多个开孔314与所述欧姆接触层313形成欧姆接触，因此，所述多个开孔314在所述第一衬底10表面的投影和所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影不交叠。
73.并且，所述多个开孔314在所述第一衬底10表面的投影与所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影可以交叠，也可以不交叠，但考虑到当所述介质层312中的开孔314位于所述第二电极50的遮挡区域时，由于电流倾向于沿最短路径走，因此，这时电流会集中在所述第二电极50遮挡区域，导致所述第二电极50遮挡区域的电流密度大，没有被所述第二电极50遮挡区域的电流密度较小，led总体亮度较低，因此，应尽量设置所述介质层312中的多个开孔314在所述第一衬底10表面的投影与所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影不交叠。
74.综上，在本技术实施例所提供的led芯片中，第二电极50遮挡区域的至少欧姆接触
层313和部分第一型半导体层32组成的叠层被至少部分刻蚀掉，从而至少能够减少电流从第二电极50遮挡区域的欧姆接触层313和部分第一型半导体层32流入第二电极50遮挡区域的有源层33中，即减少电流横向扩展到第二电极50遮挡区域的有源层33中，进而减少第二电极50遮挡区域的有源层33发光，实现减小产热，降低结温，提高led芯片的电光转换效率的目的，同时也可以使得电流更多地扩展到没有被第二电极50遮挡的有源层33中，进一步提高led芯片的电光转换效率。并且，所述介质层312、所述镜面层311和所述键合层20组成的叠层填充所述凹槽60，使得所述凹槽60的底部和侧壁上均形成反射镜面层，增加对所述有源层33发出的光的反射，进一步提高led芯片的电光转换效率。
75.在上述实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，如图4所示，所述第二电极50包括焊盘51以及和所述焊盘51连接的多条子电极52，此时，每一条所述子电极52对应一个所述凹槽60，且每一所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和该凹槽对应的所述子电极52在所述第一衬底10表面的投影至少部分交叠。
76.需要说明的是，本技术对所述子电极52的形状与数量均不做限定，具体视情况而定。可选的，如图4所示，所述子电极52为指状电极，但所述子电极52可以根据需求而设计为其他形状。
77.还需要说明的是，由于为led芯片供电的走线是焊接在所述焊盘51上的，具体制作时，需要向所述焊盘51进行打线，因此，考虑到所述焊盘51的稳定性，可选的，在本技术的一个实施例中，所述焊盘51遮挡区域可以不设置所述凹槽60，只在各所述子电极52遮挡区域设置所述凹槽。
78.然而，考虑到所述凹槽60被所述介质层312、所述镜面层311和所述键合层20组成的叠层进行了填充，因此，可选的，在本技术的另一个实施例中，所述焊盘51也对应一个所述凹槽60，且该凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述焊盘51在所述第一衬底10表面的投影至少部分交叠。
79.需要说明的是，参考图4所示，图4中位于各所述子电极52两侧的圆圈即为在所述介质层312中设置的开孔314的俯视示意图，可以看到，图4给出了所述介质层312中设置的多个开孔314在所述第一衬底10表面的投影和所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影不交叠的一种排列示意图。
80.在上述任一实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，如图5所示，所述键合层20包括沿朝向所述第一衬底10的方向依次排布的第一键合层21和第二键合层22，其中，所述介质层312、所述镜面层311和所述第一键合层21组成的叠层填充所述凹槽60，且所述第一键合层21朝向所述第一衬底10的表面平整。
81.需要说明的是，由前述已知，所述叠层结构30可以先在一临时衬底上生长完成后，从所述叠层结构30背离所述临时衬底的一侧，将所述叠层结构30键合至所述第一衬底10上，并去除所述临时衬底，因此，为了便于将所述叠层结构30键合至所述第一衬底10上，在所述叠层结构背离所述临时衬底的一侧形成所述第一键合层21，且所述介质层312、所述镜面层311和所述第一键合层21组成的叠层填充所述凹槽60，所述第一键合层21朝向所述第一衬底10的表面应平整，同时，在所述第一衬底10的表面形成第二键合层22，从而将所述第一键合层21和所述第二键合层22键合形成所述键合层20，以从所述叠层结构30背离所述临时衬底的一侧，将所述叠层结构30键合至所述第一衬底10上，并去除所述临时衬底，实现衬
底转移。
82.还需要说明的是，由于所述第一键合层21填充所述凹槽后，所述第一键合层21朝向所述第一衬底10的表面可能不平整，不利于后续和所述第二键合层22进行键合，因此，在所述叠层结构30背离所述临时衬底的一侧形成所述第一键合层21后，对所述第一键合层21背离所述临时衬底的表面进行抛光，使得所述第一键合层21朝向所述第一衬底10的表面平整。并且，所述第一键合层21通常为au、ag或in金属层，对所述第一键合层21朝向所述第一衬底10的表面进行抛光，使得所述第一键合层21朝向所述第一衬底10的表面平整的同时，也使得所述第一键合层21可以作为一个镜面反射层，进一步增加对led芯片出光的反射，提高led芯片的发光效率。
83.由前述已知，传统led芯片中电流经过p型欧姆接触层06、p型窗口层07、p型限制层08和有源层09时，会向n电极013遮挡区域进行扩展，导致电流流入n电极013遮挡区域的有源层09中发光，这部分光进而被n电极遮挡或吸收，产热使得结温升高，led芯片的电光转换效率降低，因此，在本技术各实施例所提供的led芯片中，所述凹槽60的深度并不限制于从所述欧姆接触层313到至少部分所述第一型半导体层32，下面以所述叠层结构包括位于所述欧姆接触层313和所述第一型半导体层32之间的第一型电流扩展层35为例，对所述凹槽60的深度进行具体说明。
84.在上述任一实施例的基础上，可选的，在本技术的一个实施例中，如图6所示，所述凹槽60至少贯穿所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35和所述第一型半导体层32组成的叠层。
85.在上述任一实施例的基础上，可选的，在本技术的一个实施例中，如图7所示，所述凹槽60至少贯穿所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35、所述第一型半导体层32和部分所述有源层33组成的叠层。
86.可见，在本实施例中，所述第二电极50遮挡区域的至少所述欧姆接触层313、所述第一型半导体层32和部分所述有源层33组成的叠层被至少部分刻蚀掉，从而能够进一步减少电流横向扩展到所述第二电极50遮挡区域的有源层33中，即进一步减少所述第二电极33遮挡区域的有源层33发光，进一步减小产热，降低结温，提高led芯片的电光转换效率。
87.在上述实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，如图8所示，所述凹槽60至少贯穿所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35、所述第一型半导体层32和所述有源层33组成的叠层。
88.由此可见，在上述各实施例中，所述凹槽60的深度从所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35和部分所述第一型半导体层32开始，可以到所述第一型半导体层32与所述有源层33的界面，也可以到部分所述有源层33中，还可以到所述有源层33和所述第二型半导体层34的界面，即深度越来越大，那么对减少电流横向扩展到所述第二电极50遮挡区域的有源层33中的效果也越来越好，因此，理想情况下，可以设置所述凹槽60贯穿所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35、所述第一型半导体层32和所述有源层33组成的叠层。
89.然而，考虑到实际工艺中，所述凹槽60的深度还可能延伸至所述第二型半导体层34中，因此，在上述实施例的基础上，可选的，在本技术的一个实施例中，如图9所示，所述凹槽60至少贯穿所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35、所述第一型半导体层32、所
述有源层33和部分所述第二型半导体层34组成的叠层。
90.在上述实施例的基础上，可选的，在本技术的一个实施例中，如图10所示，所述叠层结构30还包括：位于所述第二型半导体层34和所述第二电极50之间的电流扩展层36，将该电流扩展层记为第二型电流扩展层36，该第二型电流扩展层36也起到电流扩展的作用，从而使得所述有源层的材料得以充分利用，led发光更加均匀，同时也增加led芯片的发光面积；在本实施例中，所述凹槽60可以至少贯穿所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35、所述第一型半导体层32、所述有源层33、所述第二型半导体层34和部分所述电流扩展层36(即所述第二型电流扩展层36)组成的叠层。
91.在上述实施例的基础上，可选的，在本技术的一个实施例中，所述凹槽60贯穿所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35、所述第一型半导体层32、所述有源层33、所述第二型半导体层34和所述电流扩展层(即所述第二型电流扩展层36)组成的叠层。
92.需要说明的是，随着所述凹槽60在背离所述第一衬底10方向的深度越来越大，所述凹槽60的侧壁斜率也越来越大，越不利于所述介质层312、所述镜面层311和所述第一键合层21组成的叠层在所述凹槽60侧壁上附着，因此，所述凹槽60的深度也不宜过深。
93.将位于所述介质层312和所述第一型电流扩展层35之间的欧姆接触层记为第一型欧姆接触层313，可选的，在本技术的一个实施例中，如图11所示，所述叠层结构30还包括：位于所述第二型电流扩展层36和所述第二电极50之间的第二型欧姆接触层37，使得所述第二电极50和所述第二型欧姆接触层37之间形成欧姆接触。
94.进一步地，为了增加led芯片的出光角度，进而提高led芯片的光萃取效率，如图11所示，可以将所述第二型欧姆接触层37背离所述第一衬底10的表面进行粗化，形成粗化表面。
95.需要说明的是，在上述各实施例中，可选的，如图2-图3，图5-图11所示，所述凹槽60可以是梯形，且本技术对所述梯形的上下底宽以及侧边斜率均不做限定，具体视情况而定。可选的，如图12所示，所述凹槽60也可以是方形，具体视情况而定。其中，当所述凹槽60为梯形时，所述凹槽60的侧壁具有一定的斜率，那么，后续所述介质层312、所述镜面层311和所述第一键合层21在所述凹槽60内进行沉积时能够更好地在所述凹槽60的侧壁上附着。
96.还需要说明的是，在上述各实施例中，所述第一电极40可以为p电极，所述第二电极50可以为n电极，相应的，所述第一型欧姆接触层313可以为p型欧姆接触层，所述第一型电流扩展层35可以为p型电流扩展层，也叫p型窗口层，所述第一型半导体层32可以为p型半导体层，也叫p型限制层，所述第二型半导体层34可以为n型半导体层，也叫n型限制层，所述第二型电流扩展层36可以为n型电流扩展层，也叫n型窗口层，所述第二型欧姆接触层37可以为n型欧姆接触层，也叫n型粗化层。
97.可选的，所述第一衬底10可以为si衬底或蓝宝石衬底，所述临时衬底可以为gaas衬底；
98.所述第一型欧姆接触层313可以为低温生长的掺杂mg或c的gap层；
99.所述介质层312可以为sio2或mgf2等低折射率透明薄膜；
100.所述镜面层311可以为au或ag金属镜面层，需要说明的是，所述镜面层311的厚度不小于所述介质层312的厚度，以保证所述镜面层311将所述介质层312中的多个开孔填充满；
101.所述第一键合层21和所述第二键合层22均可以为au、ag或in金属层。
102.本技术实施例还提供了一种led芯片的制备方法，该方法包括：
103.s100：提供第一衬底10和第二衬底11。
104.s200：在所述第二衬底11的一侧形成叠层结构30，参考图2所示，所述叠层结构30包括沿背离所述第二衬底11的方向依次排布的第二型半导体层34、有源层33、第一型半导体层32和全方位反射镜层31，所述全方位反射镜层31包括沿背离所述第二衬底11的方向依次排布的欧姆接触层313、介质层312和镜面层311，所述叠层结构30中设置有凹槽60，所述凹槽60至少贯穿所述欧姆接触层313和部分所述第一型半导体层32组成的叠层，其中，所述叠层结构30的形成过程包括：
105.s210：如图13(a)所示，在所述第二衬底11的一侧依次形成所述第二型半导体层34、所述有源层33和所述第一型半导体层32。
106.可选的，所述第二衬底11为gaas衬底，更具体的，所述第二衬底11可以是晶向为(100)偏向《111》2度至15度的gaas衬底。在实际工艺中，在所述第二衬底11的一侧形成所述第二型半导体层34之前，通常先形成缓冲层和腐蚀截止层，且该缓冲层和腐蚀截止层在后续进行衬底转移时，连同所述第二衬底11一起去除，图13(a)中并未画出所述缓冲层和所述腐蚀截止层。
107.具体的，所述有源层33可采用低温多量子阱工艺生长形成。
108.s220：如图13(b)所示，在所述第一型半导体层32背离所述第二衬底11的一侧形成欧姆接触层313。
109.可选的，所述第一型半导体32为p型半导体层，所述第二型半导体层34为n型半导体层，所述欧姆接触层313为低温生长的掺杂mg或c的gap层。
110.s230：如图13(c)所示，对至少由所述欧姆接触层313和部分所述第一型半导体层32组成的叠层进行刻蚀形成凹槽60，使得所述凹槽60至少贯穿所述欧姆接触层313和部分所述第一型半导体层32组成的叠层。
111.具体的，采用干法或湿法刻蚀的方式形成所述凹槽60，如图13(c)所示，所述凹槽60的深度从所述欧姆接触层313开始，至少至部分所述第一型半导体层32，使得所述凹槽60至少贯穿所述欧姆接触层313和部分所述第一型半导体层32组成的叠层。
112.s240：如图13(d)所示，在所述欧姆接触层313背离所述第二衬底11的一侧形成介质层312，并在所述介质层312中设置有多个开孔314。
113.具体的，首先，在所述欧姆接触层313背离所述第二衬底11的一侧蒸镀形成介质层312；可选的，所述介质层为sio2或mgf2等低折射率透明薄膜，所述介质层312的厚度可以为1000a-5000a；
114.然后，利用光刻掩膜工艺在所述介质层312上制作特定数量和大小的开孔314，所述开孔314贯穿所述介质层312；需要说明的是，本技术对所述介质层312上制作的开孔314的数量、大小及位置均不做限定。
115.s250：如图13(e)所示，在所述介质层312背离所述第二衬底11的一侧形成镜面层311，使得所述镜面层311填充所述多个开孔314与所述欧姆接触层313形成欧姆接触，至此得到所述叠层结构30，且所述欧姆接触层313、所述介质层312和所述镜面层311组成所述全方位反射镜层31。
116.具体的，在所述介质层312背离所述第二衬底11的表面蒸镀形成镜面层311，使得所述镜面层311填充所述介质层312中的多个开孔314与所述欧姆接触层313形成欧姆接触；可选的，所述镜面层311为au或ag金属镜面层，需要说明的是，所述镜面层311的厚度不小于所述介质层312的厚度，以保证所述镜面层311将所述介质层312中的多个开孔314填充满。
117.s300：如图13(f)所示，在所述叠层结构30背离所述第二衬底11的一侧形成第一键合层21，使得所述介质层312、所述镜面层311和所述第一键合层21组成的叠层填充所述凹槽60。
118.具体的，在所述镜面层311背离所述第二衬底11的表面蒸镀所述第一键合层21，可选的，所述第一键合层为au、ag或in金属层。
119.s400：如图13(g)所示，在所述第一衬底10的表面形成第二键合层22。
120.可选的，所述第一衬底为si衬底或蓝宝石衬底，其厚度可以为150μm-350μm；所述第二键合层可以为au、ag或in金属层。
121.s500：如图13(h)所示，将所述第一键合层21和所述第二键合层22键合形成键合层20，以从所述叠层结构30背离所述第二衬底11的一侧，将所述叠层结构30键合至所述第一衬底10上，并去除所述第二衬底11，实现衬底转移。
122.具体的，使用键合机台，在高压高温条件下将所述第一键合层21和所述第二键合层22进行键合，具体的条件可以是键合压力8000kg-15000kg、键合温度250度-400度。
123.由前述已知，在该步骤中，在去除所述第二衬底11的同时，也将位于所述第二衬底11和所述第二型半导体层34之间的缓冲层和腐蚀截止层去除掉。
124.s600：如图13(i)所示，在所述第一衬底10背离所述叠层结构30的一侧形成第一电极40，并在所述叠层结构30背离所述第一衬底10的一侧形成第二电极50，最终得到如图2所示的器件结构。
125.具体的，对于所述第二电极50的制备，可以利用光刻掩膜的方法制备所述第二电极50的图形，再利用电子束蒸发或溅射的方法蒸镀所述第二电极50，所述第二电极50的材料可以为au或pt或zn或ti。
126.对于所述第一电极40的制备，可以对所述第一衬底10背离所述叠层结构30的表面进行研磨至指定厚度，如150μm-250μm，然后在所述第一衬底10背离所述叠层结构30的一侧蒸镀形成所述第一电极40。
127.在本实施例中，所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影至少和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影部分交叠。
128.需要说明的是，由于所述第一键合层21填充所述凹槽60后，所述第一键合层21朝向所述第一衬底10的表面可能不平整，不利于后续和所述第二键合层21进行键合，因此，可选的，在本技术的一个实施例中，该方法在形成所述第一键合层21之后，还包括：
129.s700：对所述第一键合层21背离所述第二衬底11的表面进行抛光，使得所述第一键合层21背离所述第二衬底11的表面平整，从而当所述有源层33发出的光入射到所述第一键合层21时，向出光面进行反射，提高led芯片的发光效率。
130.具体的，可使用砂轮或化学机械抛光(cmp)的方法对所述第一键合层21进行抛光，抛除厚度可以为3μm-5μm。
131.还需要说明的是，所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在
所述第一衬底10表面的投影至少部分交叠包括：
132.所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影位于所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影范围内；
133.所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影位于所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影范围内；
134.所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影完全重合；
135.以及所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影部分交叠。
136.也就是说，在垂直于所述第一衬底表面的方向上，所述第二电极50至少遮挡部分所述凹槽60，而所述凹槽60被所述第二电极50遮挡部分对应的至少所述欧姆接触层313和部分所述第一型半导体层32组成的叠层被刻蚀掉，参考图2中虚线箭头代表的电流流向可知，这样至少能够减少电流从第二电极遮挡区域的欧姆接触层和部分第一型半导体层流入第二电极遮挡区域的有源层中，即减少电流横向扩展到所述第二电极50遮挡区域的有源层33中，进而减少被所述第二电极50遮挡的这部分有源层33发光，减小产热，降低结温，提高led芯片的电光转换效率。
137.并且，所述介质层312、所述镜面层311和所述键合层20组成的叠层填充所述凹槽60，使得所述凹槽60的底部和侧壁上均形成反射镜面层，参考图2中实线箭头代表的出光方向可知，所述led芯片的出射光除了包括从所述有源层33直接出射的光和从所述有源层33出射的光经所述全方位反射镜31反射后而出射的光之外，还包括从所述有源层33出射的光经所述凹槽60的底部和侧壁上的反射镜面层反射后而出射的光，从而增加对所述有源层33发出的光的反射，进一步提高led芯片的电光转换效率。
138.由于被所述第二电极50遮挡的有源层33发光为无效发光，且会产热造成结温升高，因此，所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影交叠部分越多，则被所述第二电极遮挡的至少所述欧姆接触层313和部分所述第一型半导体层32组成的叠层被刻蚀掉的越多，越有利于减少产热，降低结温，提高led芯片的电光转换效率。
139.并且，由于没有被所述第二电极50遮挡的有源层33发光为有效发光，因此，所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影不交叠的部分越少，则对没有被所述第二电极50遮挡的有源层33发光产生的影响越小，从而可以实现在减少电流横向扩展到被所述第二电极50遮挡的有源层33中的同时，使得电流可以更多地扩展到没有被所述第二电极50遮挡的有源层33中，进一步提高led芯片的电光转换效率。
140.因此，在理想情况下，应尽量设置所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影完全重合。但考虑到实际工艺，所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影可能位于所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影范围内，也可能和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影部分交叠，还可能所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影位于所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影范围内。
141.当所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影位于所述凹槽60在所述第一衬
底10表面的投影范围内，或所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影部分交叠时，可以设置所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影不交叠的部分占所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影比例不超过预设比例，可选的，所述预设比例可以为10％，以在减少电流横向扩展到被所述第二电极50遮挡的有源层33中的同时，使得电流可以更多地扩展到没有被所述第二电极50遮挡的有源层中，进一步提高led芯片的电光转换效率。
142.再需要说明的是，在本实施例中，由于所述介质层312、所述镜面层311和所述键合层20组成的叠层填充所述凹槽，而所述介质层312中设置有多个开孔314，使得所述镜面层311填充所述多个开孔314与所述欧姆接触层313形成欧姆接触，因此，所述多个开孔314在所述第一衬底10表面的投影和所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影不交叠。
143.并且，所述多个开孔314在所述第一衬底10表面的投影与所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影可以交叠，也可以不交叠，但考虑到当所述介质层312中的开孔314位于所述第二电极50的遮挡区域时，由于电流倾向于沿最短路径走，因此，这时电流会集中在所述第二电极50遮挡区域，导致所述第二电极50遮挡区域的电流密度大，没有被所述第二电极50遮挡区域的电流密度较小，led总体亮度较低，因此，应尽量设置所述介质层312中的多个开孔314在所述第一衬底10表面的投影与所述第二电极50在所述第一衬底10表面的投影不交叠。
144.在上述实施例的基础上，可选的，在本技术的一个实施例中，该方法在形成所述叠层结构30时，在形成所述欧姆接触层313之前，还包括：
145.s221：在所述第一型半导体层32背离所述第二衬底11的一侧形成第一型电流扩展层35，最终得到如图3所示的器件结构，所述第一型电流扩展层35起到电流扩展的作用，从而使得所述有源层33的材料得以充分利用，led发光更加均匀，增加led芯片的发光面积，但同时也会使得电流向所述第二电极50遮挡区域进行扩展，在本实施例中，所述凹槽60至少贯穿所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35和部分所述第一型半导体层32组成的叠层，以减少电流向所述第二电极50遮挡区域进行扩展。
146.在上述实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，如图4所示，所述第二电极50包括焊盘51以及和所述焊盘51连接的多条子电极52，此时，每一条所述子电极52对应一个所述凹槽60，且每一所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和该凹槽对应的所述子电极52在所述第一衬底10表面的投影至少部分交叠。
147.需要说明的是，本技术对所述子电极52的形状与数量均不做限定，具体视情况而定。可选的，如图4所示，所述子电极52为指状电极，但所述子电极52可以根据需求而设计为其他形状。
148.还需要说明的是，由于为led芯片供电的走线是焊接在所述焊盘51上的，具体制作时，需要向所述焊盘51进行打线，因此，考虑到所述焊盘51的稳定性，可选的，在本技术的一个实施例中，所述焊盘51遮挡区域可以不设置所述凹槽60，只在各所述子电极52遮挡区域设置所述凹槽。
149.然而，考虑到所述凹槽60被所述介质层312、所述镜面层311和所述键合层20组成的叠层进行了填充，因此，可选的，在本技术的另一个实施例中，所述焊盘51也对应一个所述凹槽60，且该凹槽60在所述第一衬底10表面的投影和所述焊盘51在所述第一衬底10表面
的投影至少部分交叠。
150.需要说明的是，参考图4所示，图4中位于各所述子电极52两侧的圆圈即为在所述介质层312中设置的开孔314的俯视示意图，可以看到，图4给出了所述介质层312中设置的多个开孔314在所述第一衬底10表面的投影和所述凹槽60在所述第一衬底10表面的投影不交叠的一种排列示意图。
151.由前述已知，传统led芯片中电流经过p型欧姆接触层06、p型窗口层07、p型限制层08和有源层09时，会向n电极013遮挡区域进行扩展，导致电流流入n电极013遮挡区域的有源层09中发光，这部分光进而被n电极遮挡或吸收，产热使得结温升高，led芯片的电光转换效率降低，因此，在本技术各实施例所提供的方法制备形成的led芯片中，所述凹槽60的深度并不限制于从所述欧姆接触层313到至少部分所述第一型半导体层32，下面以所述叠层结构包括位于所述欧姆接触层313和所述第一型半导体层32之间的第一型电流扩展层35为例，对所述凹槽60的深度进行具体说明。
152.在上述实施例的基础上，可选的，在本技术的一个实施例中，如图6所示，所述凹槽60至少贯穿所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35和所述第一型半导体层32组成的叠层。
153.在上述任一实施例的基础上，可选的，在本技术的一个实施例中，如图7所示，所述凹槽60至少贯穿所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35、所述第一型半导体层32和部分所述有源层33组成的叠层。
154.可见，在本实施例中，所述第二电极50遮挡区域的至少所述欧姆接触层313、所述第一型半导体层32和部分所述有源层33组成的叠层被至少部分刻蚀掉，从而能够进一步减少电流横向扩展到所述第二电极50遮挡区域的有源层33中，即进一步减少所述第二电极33遮挡区域的有源层33发光，进一步减小产热，降低结温，提高led芯片的电光转换效率。
155.在上述实施例的基础上，可选的，在本技术的一个实施例中，如图8所示，所述凹槽60至少贯穿所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35、所述第一型半导体层32和所述有源层33组成的叠层。
156.由此可见，在上述各实施例中，所述凹槽60的深度从所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35和部分所述第一型半导体层32开始，可以到所述第一型半导体层32与所述有源层33的界面，也可以到部分所述有源层33中，还可以到所述有源层33和所述第二型半导体层34的界面，即深度越来越大，那么后续对减少电流横向扩展到所述第二电极50遮挡区域的有源层33中的效果也越来越好，因此，理想情况下，可以设置所述凹槽60贯穿所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35、所述第一型半导体层32和所述有源层33组成的叠层。
157.然而，考虑到实际工艺中，所述凹槽60的深度还可能延伸至所述第二型半导体层34中，因此，在上述实施例的基础上，可选的，在本技术的一个实施例中，如图9所示，所述凹槽60至少贯穿所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35、所述第一型半导体层32、所述有源层33和部分所述第二型半导体层34组成的叠层。
158.在上述实施例的基础上，可选的，在本技术的一个实施例中，该方法在形成所述叠层结构30时，在形成所述第二型半导体层34之前，还包括：
159.s211：在所述第二衬底11的一侧形成电流扩展层36，最终得到如图10所示的器件
结构，将该电流扩展层记为第二型电流扩展层36，该第二型电流扩展层36也起到电流扩展的作用，从而使得所述有源层的材料得以充分利用，led发光更加均匀，同时也增加led芯片的发光面积；在本实施例中，所述凹槽60可以至少贯穿所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35、所述第一型半导体层32、所述有源层33、所述第二型半导体层34和部分所述电流扩展层36(即所述第二型电流扩展层36)组成的叠层。
160.在上述实施例的基础上，可选的，在本技术的一个实施例中，所述凹槽60贯穿所述欧姆接触层313、所述第一型电流扩展层35、所述第一型半导体层32、所述有源层33、所述第二型半导体层34和所述电流扩展层(即所述第二型电流扩展层36)组成的叠层。
161.需要说明的是，随着所述凹槽60在背离所述第一衬底10方向的深度越来越大，所述凹槽60的侧壁斜率也越来越大，后续越不利于所述介质层312、所述镜面层311和所述第一键合层21组成的叠层在所述凹槽60侧壁上附着，因此，所述凹槽60的深度也不宜过深。
162.将位于所述介质层312和所述第一型电流扩展层35之间的欧姆接触层记为第一型欧姆接触层313，可选的，在本技术的一个实施例中，该方法在形成所述叠层结构时，在所述第二衬底11的一侧形成所述第二型电流扩展层36之前，还包括：
163.在所述第二衬底11的一侧形成第二型欧姆接触层37，以便于后续所述第二电极50和所述第二型欧姆接触层37之间形成欧姆接触，最终得到如图11所示的器件结构。
164.进一步地，为了增加led芯片的出光角度，进而提高led芯片的光萃取效率，该方法在所述叠层结构30背离所述第一衬底10的一侧形成第二电极50之后，还包括：
165.对所述第二型欧姆接触层37背离所述第一衬底10的表面进行粗化处理，形成粗化表面，最终得到如图11所示的器件结构。
166.在上述任一实施例的基础上，该方法还可以包括：
167.s800：用激光或刀片或电感耦合等离子体(icp)对形成的芯片进行切割或蚀刻，形成设定尺寸的芯粒。
168.需要说明的是，在上述各实施例中，可选的，如图2-图3，图5-图11所示，所述凹槽60可以是梯形，且本技术对所述梯形的上下底宽以及侧边斜率均不做限定，具体视情况而定。可选的，如图12所示，所述凹槽60也可以是方形，具体视情况而定。其中，当所述凹槽60为梯形时，所述凹槽60的侧壁具有一定的斜率，那么，后续所述介质层312、所述镜面层311和所述第一键合层21在所述凹槽60内进行沉积时能够更好地在所述凹槽60的侧壁上附着。
169.还需要说明的是，在上述各实施例中，所述第一电极40可以为p电极，所述第二电极50可以为n电极，相应的，所述第一型欧姆接触层313可以为p型欧姆接触层，所述第一型电流扩展层35可以为p型电流扩展层，也叫p型窗口层，所述第一型半导体层32可以为p型半导体层，也叫p型限制层，所述第二型半导体层34可以为n型半导体层，也叫n型限制层，所述第二型电流扩展层36可以为n型电流扩展层，也叫n型窗口层，所述第二型欧姆接触层37可以为n型欧姆接触层，也叫n型粗化层。
170.综上，本技术实施例所提供的led芯片及其制备方法，将第二电极遮挡区域的至少欧姆接触层和部分第一型半导体层组成的叠层被至少部分刻蚀掉，形成凹槽，从而至少能够减少电流从第二电极遮挡区域的欧姆接触层和部分第一型半导体层流入第二电极遮挡区域的有源层中，即减少电流横向扩展到第二电极遮挡区域的有源层中，进而减少第二电极遮挡区域的有源层发光，实现减小产热，降低结温，提高led芯片的电光转换效率的目的，
同时也可以使得电流更多地扩展到没有被第二电极遮挡的有源层中，进一步提高led芯片的电光转换效率；并且利用介质层、镜面层和键合层填充凹槽，使得凹槽的底部和侧壁上均形成反射镜面层，增加对有源层发出的光的反射。
171.本说明书中各个部分采用并列和递进相结合的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
172.对所公开的实施例的上述说明，本说明书中各实施例中记载的特征可以相互替换或组合，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。