显示装置及显示装置的制造方法与流程

    专利查询2026-06-07  3


    本发明的实施方式涉及显示装置及显示装置的制造方法。


    背景技术:

    1、近年来,作为显示元件而适用了有机发光二极管(oled)的显示装置已被实用化。该显示元件具备包含薄膜晶体管的像素电路、与像素电路连接的下电极、覆盖下电极的有机层和覆盖有机层的上电极。有机层除了发光层之外,还包含空穴传输层、电子传输层等功能层。

    2、需要在制造这种显示元件的过程中抑制可靠性降低的技术。


    技术实现思路

    1、实施方式的目的在于,提供一种能够抑制可靠性降低的显示装置及显示装置的制造方法。

    2、根据一个实施方式,显示装置具备:基板;有机绝缘层,其在所述基板的上方配置于显示图像的显示区域以及与所述显示区域相比位于外侧的周边区域的范围内;下电极,其在所述显示区域中配置于所述有机绝缘层之上;有机层,其配置于所述下电极之上,且包含发光层;上电极,其配置于所述有机层之上;第1隔壁,其配置于所述周边区域,具有第1下部和配置于所述第1下部之上且从所述第1下部的侧面突出的第1上部;以及金属层,其配置于所述周边区域,并与所述有机绝缘层的开口重叠,所述第1隔壁配置于所述开口。

    3、根据一个实施方式,显示装置具备:基板;有机绝缘层,其在所述基板的上方配置于显示图像的显示区域以及与所述显示区域相比位于外侧的周边区域的范围内;下电极,其在所述显示区域中配置于所述有机绝缘层之上;有机层,其配置于所述下电极之上,且包含发光层;上电极,其配置于所述有机层之上;第1隔壁,其配置于所述周边区域,具有第1下部和配置于所述第1下部之上且从所述第1下部的侧面突出的第1上部;以及金属层,其配置于所述周边区域,并与所述有机绝缘层的开口重叠,所述第1隔壁配置于所述有机绝缘层的上方。

    4、根据一个实施方式,显示装置的制造方法在基板的上方形成金属层,在显示图像的显示区域以及与所述显示区域相比位于外侧的周边区域的范围内形成有机绝缘层,在所述显示区域中,在所述有机绝缘层之上形成下电极,形成具有位于所述周边区域的第1下部和位于所述第1下部之上且从所述第1下部的侧面突出的第1上部的第1隔壁,在所述下电极之上形成包含发光层的有机层,在所述有机层之上形成上电极,形成所述有机绝缘层的工序包括在所述周边区域形成与所述金属层重叠的开口的工序。

    5、根据实施方式,能够提供能够抑制可靠性降低的显示装置及显示装置的制造方法。



    技术特征:

    1.一种显示装置,其特征在于,具备:

    2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,

    3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,

    4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,

    5.一种显示装置,其特征在于,具备:

    6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,

    7.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,

    8.根据权利要求1或5所述的显示装置,其特征在于,

    9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,

    10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,

    11.根据权利要求1或7所述的显示装置,其特征在于,

    12.根据权利要求1或5所述的显示装置,其特征在于,

    13.根据权利要求1或5所述的显示装置,其特征在于,

    14.一种显示装置的装置方法,其特征在于,

    15.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法,其特征在于,

    16.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法,其特征在于,

    17.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法,其特征在于,

    18.根据权利要求17所述的显示装置的制造方法,其特征在于,

    19.根据权利要求18所述的显示装置的制造方法,其特征在于,

    20.根据权利要求19所述的显示装置的制造方法,其特征在于,


    技术总结
    本发明提供显示装置及显示装置的制造方法。根据一个实施方式,显示装置具备:基板;有机绝缘层,其在所述基板的上方配置于显示图像的显示区域以及与所述显示区域相比位于外侧的周边区域的范围内;下电极,其在所述显示区域中配置于所述有机绝缘层之上;有机层,其配置于所述下电极之上,且包含发光层;上电极,其配置于所述有机层之上;第1隔壁,其配置于所述周边区域,具有第1下部和配置于所述第1下部之上且从所述第1下部的侧面突出的第1上部;以及金属层,其配置于所述周边区域,并与所述有机绝缘层的开口重叠,所述第1隔壁配置于所述开口。

    技术研发人员:岩桥直哉,高崎良太,柳泽昌,饭泽和美
    受保护的技术使用者:株式会社日本显示器
    技术研发日:
    技术公布日:2024/11/26
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