多电子束光学器件的制作方法

    专利查询2026-06-08  5



    背景技术:

    1、各种高通量电子束评估系统用多个电子束照射样品并试图检测由于照射而从样品发出的反向散射电子。

    2、一些这样的系统可能遭受串扰。

    3、越来越需要提供将表现出低水平串扰的高通量解决方案。


    技术实现思路

    1、可提供一种用于样品的多电子束评估的方法,所述方法可包括(i)使多个初级电子束穿过检测单元的传感器阵列的多个传感器的孔;其中所述多个传感器中的每个传感器与所述多个初级电子束中的初级电子束相关联;(ii)用所述多个初级电子束照射所述样品;(iii)通过所述多个传感器的感测区域感测相关反向散射电子;其中对于所述多个传感器中的每个传感器,所述相关反向散射电子由于用与所述传感器相关联的初级电子束照射所述样品而从所述样品发出;以及(iv)通过串扰减少单元减少串扰;其中对于所述多个传感器中的每个传感器,所述串扰的所述减少包括至少部分地防止所述传感器对串扰反向散射电子的检测,所述串扰反向散射电子由于用与所述传感器不相关联的一个或多个初级束照射所述样品而从所述样品发出。

    2、可提供多电子束光学器件,包括:检测单元,所述检测单元包括传感器阵列;以及串扰减少单元。对于所述传感器阵列的多个传感器中的每个传感器:(i)所述传感器包括孔和感测区域,所述感测区域被配置为感测相关反向散射电子,所述相关反向散射电子由于用与所述传感器相关联并穿过所述孔的初级电子束照射样品而从所述样品发出;以及(ii)所述串扰减少单元被配置为至少部分地防止所述传感器对串扰反向散射电子的检测,所述串扰反向散射电子由于用与所述传感器不相关联的一个或多个初级束照射所述样品而从所述样品发出。



    技术特征:

    1.多电子束光学器件,包括:

    2.根据权利要求1所述的多电子束光学器件,其中所述串扰减少单元包括空间滤波器。

    3.根据权利要求2所述的多电子束光学器件,其中所述空间滤波器包括多个段。

    4.根据权利要求3所述的多电子束光学器件,其中所述多个段中的段包括定位在传感器间边界处的近端。

    5.根据权利要求3所述的多电子束光学器件,其中所述多个段中的段具有三角形横截面。

    6.根据权利要求3所述的多电子束光学器件,其中所述多个段中的段包括第一宽度的近端和第二宽度的远端,所述第二宽度超过所述第一宽度。

    7.根据权利要求1所述的多电子束光学器件,其中所述串扰减少单元包括偏压单元。

    8.根据权利要求7所述的多电子束光学器件,其中对于所述多个传感器中的每个传感器,所述偏压单元被配置为施加一个或多个排斥电场以使串扰反向散射电子从所述传感器被排斥。

    9.根据权利要求7所述的多电子束光学器件,其中对于所述多个传感器中的每个传感器,所述偏压单元被配置为施加一个或多个吸引电场以将相关反向散射电子吸引到所述传感器。

    10.一种用于样品的多电子束评估的系统,所述系统包括:

    11.一种用于样品的多电子束评估的方法,所述方法包括:

    12.根据权利要求11所述的方法,其中所述串扰减少单元包括空间滤波器。

    13.根据权利要求12所述的多电子束光学器件,其中所述空间滤波器包括多个段。

    14.根据权利要求13所述的方法,其中所述多个段中的段包括定位在一个或多个传感器间边界处的近端。

    15.根据权利要求13所述的方法,其中所述多个段中的段具有三角形横截面。

    16.根据权利要求13所述的方法,其中所述多个段中的段包括第一宽度的近端和第二宽度的远端,所述第二宽度超过所述第一宽度。

    17.根据权利要求11所述的方法,其中所述串扰减少单元包括偏压单元。

    18.根据权利要求17所述的方法,其中对于所述多个传感器中的每个传感器,所述偏压单元被配置为施加一个或多个排斥电场以使串扰反向散射电子从所述传感器被排斥。

    19.根据权利要求17所述的方法,其中对于所述多个传感器中的每个传感器,所述偏压单元被配置为施加一个或多个吸引电场以将相关反向散射电子吸引到所述传感器。


    技术总结
    多电子束光学器件,包括:检测单元,所述检测单元包括传感器阵列;以及串扰减少单元。对于所述传感器阵列的多个传感器中的每个传感器:(i)所述传感器包括孔和感测区域,所述感测区域被配置为感测相关反向散射电子,所述相关反向散射电子由于用与所述传感器相关联并穿过所述孔的初级电子束照射样品而从所述样品发出;以及(ii)所述串扰减少单元被配置为至少部分地防止所述传感器对串扰反向散射电子的检测,所述串扰反向散射电子由于用与所述传感器不相关联的一个或多个初级束照射所述样品而从所述样品发出。

    技术研发人员:A·利特曼,R·纳夫塔利
    受保护的技术使用者:应用材料以色列公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/11/26
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