本发明涉及液处理方法、液处理装置和计算机程序产品。
背景技术：
1、在半导体器件的制造步骤中，对作为基片的半导体晶片(下面记载为晶片)供给各种处理液来进行处理。专利文献1中公开了如下内容：在对晶片供给抗蚀剂来形成抗蚀剂膜时，通过向晶片的周缘部供给气体来提高抗蚀剂膜的干燥速度，从而调节该周缘部的膜厚。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2008-60462号公报
技术实现思路
1、发明要解决的技术问题
2、本发明提供一种能够提高对被供给至基片的处理液的干燥状况的调节的自由度的技术。
3、用于解决技术问题的手段
4、本发明的液处理方法包括：收纳步骤，使杯状体的开口面积为第一面积而将基片收纳在所述杯状体内；处理步骤，向被设置在所述杯状体内的基片保持部保持的所述基片供给处理液，接着使所述基片与所述基片保持部一起旋转以除去所述处理液而使所述基片干燥；和改变步骤，改变所述杯状体的开口面积，以使得在进行所述处理步骤的期间形成所述杯状体的开口面积成为比所述第一面积小的第二面积的期间。
5、发明效果
6、本发明能够提高对被供给至基片的处理液的干燥状况的调节的自由度。
1.一种液处理方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的液处理方法，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的液处理方法，其特征在于：
4.如权利要求1或2所述的液处理方法，其特征在于：
5.如权利要求1或2所述的液处理方法，其特征在于：
6.如权利要求1或2所述的液处理方法，其特征在于：
7.如权利要求1或2所述的液处理方法，其特征在于：
8.如权利要求1或2所述的液处理方法，其特征在于：
9.如权利要求1或2所述的液处理方法，其特征在于：
10.一种液处理装置，其特征在于，包括：
11.一种计算机程序产品，其特征在于：
