本发明涉及半导体装置及逆变器装置。
背景技术：
1、为了对半导体装置的寿命进行预测，半导体装置具有寿命监视用的配线。专利文献1所记载的功率半导体模块具有哑配线，对配线的剥离进行预测。
2、专利文献1：日本特开2005-286009号公报
3、通过主配线与寿命监视用的配线之间的电位变化的测量而对取决于配线劣化的半导体装置的寿命进行预测。但是，由于该电位变化包含主配线的劣化的影响，因此无法进行高精度的寿命预测。
技术实现思路
1、本发明用于解决上述课题，其目的在于提供实现高寿命预测精度的半导体装置。
2、本发明涉及的半导体装置具有半导体芯片、第1发射极电极、第2发射极电极、第3发射极电极、第1发射极配线、第2发射极配线及多个第3发射极配线。半导体芯片包含发射极图案。第1发射极配线将第1发射极电极和半导体芯片的发射极图案连接。第2发射极配线将第2发射极电极和半导体芯片的发射极图案连接。多个第3发射极配线将第3发射极电极和半导体芯片的发射极图案连接。第2发射极配线的直径大于第1发射极配线的直径及多个第3发射极配线的每一者的直径。第1发射极配线设置于远离多个第3发射极配线的位置处。
3、发明的效果
4、根据本发明，提供实现高寿命预测精度的半导体装置。
5、通过下面的详细说明和附图，本发明的目的、特征、方案及优点会变得更加清楚。
1.一种半导体装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，
7.一种逆变器装置，其具有权利要求1至6中任一项所述的半导体装置。
