本发明涉及半导体技术，特别是涉及一种包括桥接结构的半导体封装结构。
背景技术：
1、除了为半导体晶粒提供免受环境污染物的保护之外，半导体封装结构还可以在其内部封装的半导体晶粒与基板(例如印刷电路板(printed circuit board，简称pcb))之间提供电连接。
2、尽管现有的半导体封装结构通常满足要求，但在某些方面并不令人满意。例如，不同材料之间的热膨胀不匹配可能会引入应力(stress)，高应力可能会导致裂纹。这会导致半导体封装结构失效。因此，需要对半导体封装结构进行进一步改进。
技术实现思路
1、提供了半导体封装结构。示例性实施例的半导体封装结构包括重分布层、第一半导体晶粒(die)、第二半导体晶粒、模塑材料和坝体结构。重分布层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一半导体晶粒和第二半导体晶粒被布置在重分布层的第一表面上方。模塑材料被布置在第一半导体晶粒和第二半导体晶粒之间。坝体结构被布置在重分布层中。坝体结构被布置在第一半导体晶粒和第二半导体晶粒之间的模塑材料下方。
2、另一个半导体封装结构的实施例包括第一重分布层、桥接结构、第二重分布层、第一半导体晶粒、第二半导体晶粒和坝体结构。桥接结构被布置在第一重分布层之上。第二重分布层被布置在桥接结构之上并与桥接结构电连接。第一半导体晶粒和第二半导体晶粒被布置在第二重分布层上方。第一半导体晶粒和第二半导体晶粒与桥接结构部分垂直的重叠。坝体结构嵌入在第二重分布层中并与桥接结构垂直的重叠。
3、另一半导体封装结构的实施例包括桥接结构、重分布层、第一半导体晶粒、第二半导体晶粒、第一模塑材料和坝体结构。重分布层被布置在桥接结构上方。第一半导体晶粒和第二半导体晶粒被布置在重分布层上方。第一半导体晶粒通过第一重分布层和桥接结构与第二半导体晶粒电连接。第一模塑材料围绕第一半导体晶粒和第二半导体晶粒。坝体结构被布置在重分布层中并位于第一模塑材料和桥接结构之间。
1.一种半导体封装结构，包括：
2.如权利要求1半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：
3.如权利要求1半导体封装结构，其特征在于，所述坝体结构被布置以从所述重分布层的第一表面延伸至所述重分布层的第二表面，并且所述模塑材料的底表面与所述坝体结构的顶表面接触或不接触。
4.如权利要求3半导体封装结构，其特征在于，所述坝体结构的顶表面的宽度大于所述模塑材料的底表面的宽度。
5.如权利要求4半导体封装结构，其特征在于，所述模塑材料的顶表面的宽度大于所述模塑材料的底表面的宽度。
6.如权利要求1半导体封装结构，其特征在于，所述模塑材料延伸到所述重分布层内的空腔中。
7.如权利要求6半导体封装结构，其特征在于，所述模塑材料延伸到所述坝体结构的顶表面以下。
8.如权利要求6半导体封装结构，其特征在于，所述空腔上方的所述模塑材料的宽度大于在所述空腔中的所述模塑材料的宽度。
9.如权利要求1半导体封装结构，其特征在于，所述坝体结构包括多个导电层，并且所述坝体结构进一步包括多个导电孔或多个导电条，所述多个导电孔或多个导电条与所述多个导电层交替的堆叠。
10.如权利要求9半导体封装结构，其特征在于，不同层的导电孔或导电条是交错的。
11.如权利要求9半导体封装结构，其特征在于，所述多个导电孔或多个导电条被布置为多于一列。
12.如权利要求9半导体封装结构，其特征在于，所述导电层的表面形状是正方形、矩形、椭圆形或一个或多个i形。
13.如权利要求9半导体封装结构，其特征在于，至少一个导电层被分割成多个段，不同层的导电层的段是交错的并通过所述导电孔或所述导电条连接。
14.如权利要求9半导体封装结构，其特征在于，所述重分布层包括与所述坝体结构的导电层接触的导电线。
15.如权利要求9半导体封装结构，其特征在于，所述重分布层包括导电线，并且所述导电线与所述坝体结构的导电层间隔开，不连接。
16.如权利要求1半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：
17.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
18.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
19.如权利要求18半导体封装结构，其特征在于，所述坝体结构与所述桥接结构接触。
20.如权利要求18半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：第二模塑材料，围绕所述桥接结构并与所述坝体结构接触。
21.如权利要求18半导体封装结构，其特征在于，所述第一模塑材料在所述坝体结构的侧壁上延伸。
22.如权利要求18半导体封装结构，其特征在于，所述第一模塑材料包括嵌入在所述重分布层中的突出部，并且所述突出部的宽度在朝向所述桥接结构的方向上减小。
