一种去胶工艺中的防溅射装置、去胶设备以及输液设备的制作方法

    专利查询2026-06-16  10


    本发明涉及半导体器件制造领域,具体为一种去胶工艺中的防溅射装置、去胶设备以及输液设备。


    背景技术:

    1、在基板加工过程中,需要借助光刻胶以在基板表面得到所需的图像。在后续工艺中需要再将光刻胶剥离,由于光刻胶与底层膜层有一定粘附性,常规的去胶方法容易导致光刻胶去除存在残留,从而影响基板的良率。

    2、针对光刻胶残留的问题,后续引入了高压去胶的工艺。但是,高压去胶的工艺又带来了药液溅射的问题,腔室内药液飞溅影响后续基板加工工艺。


    技术实现思路

    1、针对上述存在的问题,本发明的目的在于提供一种去胶工艺中的防溅射装置、去胶设备以及输液设备,有效地阻挡药液飞溅。

    2、为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

    3、一种去胶工艺中的防溅射装置,防溅射装置设于腔室内,包括阻挡组件、排气组件、载物台和喷嘴;

    4、所述载物台用于承载基板,所述喷嘴以预设高度设置在所述载物台的上方;

    5、所述阻挡组件包括保护罩,所述保护罩围设在所述基板的外周用于阻挡喷涂在基板上的药液溅射至腔室内。

    6、所述排气组件包括互相连通的排气通管和排气罩,所述排气罩设置在所述喷嘴的外周,所述排气罩的抽风口设置在所述基板的上方,所述排气组件用于将溅射的雾化药液吸抽至所述腔室外部。

    7、本发明又提供一种去胶设备。去胶设备包括第一腔室、过滤单元和所述的防溅射装置,所述防溅射装置设置在所述第一腔室内,所述第一腔室的顶部开设有通孔,所述通孔与所述过滤单元连通用于通入过滤后的气体。

    8、本发明又提供一种输液设备。输液设备应用于去胶设备。输液设备包括药液供给单元、输液管和阀件,所述药液供给单元通过所述输液管将药液流至不同腔室内的喷嘴处,不同的输液路径上的所述阀件的数量相同以及所述输液管长度相同。

    9、与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:

    10、挡板组件包括保护罩,保护罩围设在基板的外周,保护罩作为保护屏障,能够高效地阻挡喷涂在基板上的药液溅射至腔室内。

    11、在高压下,部分药液易雾化。对于颗粒直径小的药液,进一步地,排气组件以抽气的方式将雾化药液由排气罩,再经排气通管带出腔室。这有效地阻挡药液飞溅,保持腔室内部清洁,有利于基板的后续加工。同时,减少了对腔室内部清洗的频次,提升基板加工效率。



    技术特征:

    1.一种去胶工艺中的防溅射装置,防溅射装置设于腔室内,其特征在于,包括阻挡组件、排气组件、载物台和喷嘴;

    2.根据权利要求1所述的去胶工艺中的防溅射装置,其特征在于,所述阻挡组件还包括挡板,所述挡板以预设角度倾斜活动设置在所述喷嘴上,所述挡板用于阻挡喷涂在基板上的药液溅射至腔室内。

    3.根据权利要求2所述的去胶工艺中的防溅射装置,其特征在于,所述预设角度为锐角。

    4.根据权利要求1所述的去胶工艺中的防溅射装置,其特征在于,还包括支撑座,所述保护罩活动安装在所述支撑座上。

    5.根据权利要求4所述的去胶工艺中的防溅射装置,其特征在于,所述保护罩为空心的圆台型结构。

    6.根据权利要求4所述的去胶工艺中的防溅射装置,其特征在于,包括至少两个水平位置调节单元和至少两个保护罩,所述水平位置调节单元设置在所述支撑座上,每个保护罩活动安装在对应的水平位置调节单元上,每个所述水平位置调节单元驱动对应的保护罩向所述基板中心位置的方向靠近或远离。

    7.根据权利要求6所述的去胶工艺中的防溅射装置,其特征在于,包括四个所述水平位置调节单元和四个所述保护罩,所述四个保护罩分别设置在所述载物台的四个方位上。

    8.根据权利要求6所述的去胶工艺中的防溅射装置,其特征在于,包括两个所述保护罩,所述保护罩为曲面状结构;

    9.根据权利要求6所述的去胶工艺中的防溅射装置,其特征在于,每个所述水平位置调节单元包括水平导轨及第一驱动模块,每个所述保护罩设置在对应水平位置调节单元的所述第一驱动模块的输出端,且滑动安装在所述水平导轨上。

    10.根据权利要求6所述的去胶工艺中的防溅射装置,其特征在于,还包括至少两个高度调节单元,所述高度调节单元直接设置在所述支撑座上,每个水平位置调节单元设置在对应的所述高度调节单元上;

    11.根据权利要求2所述的去胶工艺中的防溅射装置,其特征在于,还包括摆动件和清洗单元,所述摆动件包括固定杆和摆臂,所述摆臂转动设置在所述固定杆的一端,所述喷嘴设置在所述摆臂的一端,所述摆臂用于带动所述喷嘴旋转至所述清洗单元上方;

    12.根据权利要求11所述的去胶工艺中的防溅射装置,其特征在于,所述冲洗组件包括进液管路和喷头,所述喷头转动设置在所述进液管路的出口端。

    13.根据权利要求1所述的去胶工艺中的防溅射装置,其特征在于,所述排气通管用于与外部真空泵组连接,所述喷嘴喷射药液的压力值范围为100-1000psi。

    14.一种去胶设备,其特征在于,包括第一腔室、过滤单元和如权利要求1至13任一项所述的防溅射装置,所述防溅射装置设置在所述第一腔室内,所述过滤单元设置在所述第一腔室的外部;

    15.根据权利要求14所述的去胶设备,其特征在于,所述过滤单元包括第二腔室和过滤器,所述第二腔室与所述第一腔室的顶部之间设置有进气通道,所述过滤器设置在所述第二腔室的顶部且用于过滤外部气体。

    16.一种应用于权利要求14-15任一项所述的去胶设备的输液设备,其特征在于,包括药液供给单元、输液管和阀件,所述药液供给单元通过所述输液管将药液流至不同腔室内的喷嘴处,不同的输液路径上的所述阀件的数量相同以及所述输液管长度相同。


    技术总结
    本发明涉及半导体器件制造领域,具体为一种去胶工艺中的防溅射装置、去胶设备以及输液设备。防溅射装置设于腔室内,具体包括阻挡组件、排气组件、载物台和喷嘴;载物台用于承载基板,喷嘴以预设高度设置在载物台的上方;阻挡组件包括保护罩,保护罩围设在基板的外周用于阻挡喷涂在基板上的药液溅射至腔室内。排气组件包括互相连通的排气通管和排气罩,排气罩设置在喷嘴的外周,排气罩的抽风口设置在基板的上方,排气组件用于将溅射的雾化药液吸抽至腔室外部。保护罩形成保护屏障能够高效地阻挡药液溅射。排气组件以抽气地方式将雾化药液由排气罩,再经排气通管带出腔室,进一步地阻挡药液飞溅。

    技术研发人员:李泽然,初振明,仲召明,何西登
    受保护的技术使用者:盛美半导体设备(上海)股份有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/11/26
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