本申请涉及存储，特别涉及一种存储装置的修复方法及存储装置的修复系统。
背景技术：
1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)芯片作为一种存储装置，凭借结构简单、集成度高以及功耗低等优势，现已广泛应用于手机、电脑、服务器等设备，在消费电子领域发挥了重要作用。在dram芯片制造工艺中，dram芯片的存储阵列中可能会出现失效的存储单元，为了应对这种情况，在dram芯片设计时会预留一部分冗余存储阵列，冗余存储阵列上设置有冗余存储单元，冗余存储单元用于替换存储阵列中失效的存储单元，以保证dram芯片能够正常使用。目前，大多数dram芯片由于受到面积限制，冗余存储阵列的数量有限，因此如何利用有限的冗余存储阵列尽可能修复更多的失效的存储单元，提高失效的存储单元的修复率十分重要。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本申请提供一种存储装置的修复方法及存储装置的修复系统，能够提高存储装置中失效存储单元的修复率以及提高存储装置量产的合格率。
2、本申请采用的一个技术方案是：提供一种存储装置的修复方法，其中，存储装置包括存储阵列和冗余存储阵列，冗余存储阵列中的冗余存储单元用于修复替换存储阵列中的失效存储单元，修复方法包括获取存储阵列中失效存储单元的信息，并确定第一失效存储单元；确定第一失效存储单元的最大失效方向；利用与第一失效存储单元的最大失效方向匹配同方向冗余存储阵列修复替换存储阵列中的在最大失效方向上第一失效存储单元所在的存储行/列。
3、其中，获取存储阵列中失效存储单元的信息，并确定第一失效存储单元，包括获取存储阵列中每行和每列存储单元中的失效存储单元的地址信息，并建立失效存储单元分布图；在失效存储单元分布图中，确定具有失效存储单元的首个沿第一方向延伸的存储行/列的第一个失效存储单元作为第一失效存储单元，其中，多个沿第一方向延伸的存储行/列沿第二方向依次排列，第一方向和第二方向彼此交叉。
4、其中，第一方向为存储阵列中字线方向，第二方向为存储阵列中位线方向。
5、其中，确定第一失效存储单元的最大失效方向，包括获取第一失效存储单元所在的沿第一方向延伸的存储行/列中失效存储单元的第一数量，和获取第一失效存储单元所在的沿第二方向延伸的存储列/行中失效存储单元的第二数量，其中，第一数量的失效存储单元和第二数量的失效存储单元分别包括第一失效存储单元；比较第一数量和第二数量，并选择数量较大的沿第一方向延伸的存储行/列或者沿第二方向延伸的存储列/行作为第一失效存储单元的最大失效方向。
6、其中，修复方法进一步包括更新存储阵列中失效存储单元的信息，并更新第一失效存储单元；以更新后的第一失效存储单元，继续执行确定最大失效方向和修复替换的步骤。
7、其中，在移除修复替换的失效存储单元时，同步移除冗余存储阵列中与修复替换的失效存储单元在最大失效方向上的同一存储行/列的冗余存储行/列。
8、其中，修复方法进一步包括确定存储阵列中失效存储单元的数量是否为零；响应于存储阵列中失效存储单元的数量不为零，进一步判断沿第一方向延伸的冗余存储行/列，和/或沿第二方向延伸的冗余存储列/行是否耗尽；响应于沿第一方向延伸的冗余存储行/列和沿第二方向延伸的冗余存储列/行均未被耗尽，返回继续执行更新存储阵列中失效存储单元的信息，并更新第一失效存储单元的步骤。
9、其中，响应于沿第一方向延伸的冗余存储行/列被耗尽，沿第二方向延伸的冗余存储列/行未被耗尽，修复方法进一步包括更新存储阵列中现有的失效存储单元的信息，并统计存储阵列中沿第二方向延伸的每存储列/行上的失效存储单元的个数；按照存储阵列中沿第二方向延伸的存储列/行上的失效存储单元的个数从多至少进行排序；利用沿第二方向延伸的现存的冗余存储列/行按照排序结果依次修复替换存储阵列中沿第二方向延伸的存储列/行上的失效存储单元。
10、本申请采用的另一个技术方案是：提供一种存储装置的修复系统，该修复系统包括主控装置和存储装置，主控装置用于执行上述修复方法以产生修复替换信息；存储装置耦接主控装置，其中，存储装置包括存储晶粒，存储晶粒包括至少一存储块，每个存储块包括存储阵列和冗余存储阵列。
11、其中，存储装置还包括控制晶粒，控制晶粒与存储晶粒封装在一起，其中，控制晶粒接收修复替换信息。
12、本申请实施例的有益效果是：本申请提供的存储装置的修复方法，通过获取存储阵列中失效存储单元的信息后确定第一失效存储单元，并基于第一失效存储单元确定第一失效存储单元的最大失效方向，以确定失效存储单元数量最多的方向，最后通过与第一失效存储单元的最大失效方向匹配同方向的冗余存储阵列的一冗余存储行/列修复替换存储阵列中的在最大失效方向上第一失效存储单元所在的一存储行/列，以使得冗余存储阵列中的冗余存储单元修复替换存储阵列中的失效存储单元，从而实现存储装置中存储阵列的最大数量失效存储单元的修复，进而提高存储装置的失效存储单元的修复率；进一步地，存储装置的失效存储单元的修复，使得存储装置能够正常使用，举例而言，如果将本申请提供的存储装置的修复方法应用于存储装置的量产前的测试，可以提高存储装置量产的合格率；如果将本申请提供的存储装置的修复方法应用于存储装置的正常工作时的修复时，可以缩短每次上电修复的时间。
1.一种存储装置的修复方法，其特征在于，所述存储装置包括存储阵列和冗余存储阵列，所述冗余存储阵列中的冗余存储单元用于修复替换所述存储阵列中的失效存储单元，所述修复方法包括：
2.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的修复方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的修复方法，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的修复方法，其特征在于，进一步包括：
6.根据权利要求5所述的修复方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的修复方法，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的修复方法，其特征在于，进一步包括：
9.根据权利要求8所述的修复方法，其特征在于，响应于沿所述第一方向延伸的所述冗余存储行/列被耗尽，沿所述第二方向延伸的所述冗余存储列/行未被耗尽，所述修复方法进一步包括：
10.一种存储装置的修复系统，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的修复系统，其特征在于，所述存储装置还包括：
