本技术涉及存储，特别涉及一种存储装置的修复方法及存储装置的修复系统。
背景技术：
1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)芯片作为一种存储装置，凭借结构简单、集成度高以及功耗低等优势，现已广泛应用于手机、电脑、服务器等设备，在消费电子领域发挥了重要作用。在dram芯片制造工艺中，dram芯片的存储阵列中可能会出现失效的存储单元，为了应对这种情况，在dram芯片设计时会预留一部分冗余存储区域，例如包括多个冗余存储单元的冗余存储阵列，用于替换存储阵列中失效的存储单元，以保证dram芯片能够正常使用。目前，大多数dram芯片由于受到面积限制，冗余存储单元的数量有限，因此如何利用有限的冗余存储单元尽可能修复更多的失效的存储单元，提高失效的存储单元的修复率十分重要。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本技术提供一种存储装置的修复方法及存储装置的修复系统，能够提高存储装置中失效存储单元的修复率和/或提高存储装置量产的合格率。
2、本技术采用的一个技术方案是：提供一种存储装置的修复方法，其中，存储装置包括存储阵列和冗余存储阵列，其中，冗余存储阵列中的冗余存储单元用于修复替换存储阵列中的失效存储单元，该修复方法包括遍历存储阵列的第一信号线，获取每个第一信号线上的失效存储单元的数量，其中，多个第一信号线在第二方向依次间隔排列，且每个第一信号线沿第一方向延伸；基于第一修复策略，利用第一冗余信号线替换符合第一修复策略的第一信号线上，其中，符合第一修复策略的第一信号线上的失效存储单元的数量大于有效的第二冗余信号线的数量；第一冗余信号线沿第一方向延伸，多个第一冗余信号线在第二方向依次间隔排列；第二冗余信号线沿第二方向延伸，且多个第二冗余信号线在第一方向依次间隔排列。
3、其中，基于第一修复策略，利用第一冗余信号线替换符合第一修复策略的第一信号线，包括：基于失效存储单元的数量，对遍历的第一信号线进行第一排序；基于第一排序的顺序，确定当前第一信号线上的失效存储单元的数量是否大于有效的第二冗余信号线的数量；响应于当前第一信号线上的失效存储单元的数量大于有效的第二冗余信号线的数量，利用第一冗余信号线替换当前第一信号线。
4、其中，第一排序的顺序为按照失效存储单元的数量由多至少的顺序。
5、其中，利用第一冗余信号线替换当前第一信号线，包括：确定每个第一冗余信号线上的失效冗余存储单元的数量，并基于失效冗余存储单元的数量对第一冗余信号线进行第二排序；基于第二排序的顺序，确定当前第一冗余信号线上的失效冗余存储单元的数量是否小于有效的第二冗余信号线的数量；响应于当前第一冗余信号线上的失效冗余存储单元的数量小于有效的第二冗余信号线的数量，利用当前第一冗余信号线替换当前第一信号线。
6、其中，第二排序的顺序为按照失效冗余存储单元的数量由少至多的顺序。
7、其中，将替换完成后的当前第一冗余信号线标记为已使用，并确定当前第一冗余信号线是否为最后一个第一冗余信号线；响应于当前第一冗余信号线非为最后一个第一冗余信号线，确定当前第一信号线是否为存储阵列中最后一个第一信号线；响应于当前第一信号线非为存储阵列中最后一个第一信号线，返回继续执行基于第一排序的顺序，确定当前第一信号线上的失效存储单元的数量是否大于有效的第二冗余信号线的数量的步骤，其中，基于第一排序顺序的下一第一信号线更新为当前第一信号线，基于第二排序顺序的下一第一冗余信号线更新为当前第一冗余信号线。
8、其中，响应于当前第一冗余信号线为最后一个第一冗余信号线，结束基于第一修复策略，利用第一冗余信号线替换符合第一修复策略的第一信号线的步骤；和/或响应于当前第一信号线为存储阵列中最后一个第一信号线，结束基于第一修复策略，利用第一冗余信号线替换符合第一修复策略的第一信号线的步骤；和/或响应于当前第一信号线上的失效存储单元的数量非小于有效的第二冗余信号线的数量，结束基于第一修复策略，利用第一冗余信号线替换符合第一修复策略的第一信号线的步骤。
9、其中，基于第一修复策略，利用有效的第二冗余信号线替换符合第一修复策略的第二信号线，其中，符合第一修复策略的第二信号线上的失效存储单元的数量大于有效的第一冗余信号线的数量。
10、其中，第一信号线为列信号线，第二信号线为行信号线，第一冗余信号线为冗余列信号线，第二冗余信号线为冗余行信号线。
11、其中，遍历经过第一修复策略修复替换后的存储阵列的第一信号线，获取每个第一信号线上的失效存储单元；基于第二修复策略，利用有效的第一冗余信号线替换符合第二修复策略的第一信号线。
12、其中，基于第二修复策略，利用有效的第一冗余信号线替换符合第二修复策略的第一信号线，包括：基于失效存储单元的数量，对遍历的第一信号线进行第一排序；基于第一排序的顺序，确定当前第一信号线上的失效存储单元的数量是否为零；响应于当前第一信号线上的失效存储单元的数量不为零，确定每个有效的第一冗余信号线上的失效冗余存储单元的数量，并基于失效冗余存储单元的数量对有效的第一冗余信号线进行第二排序；基于第二排序的顺序，确定有效的当前第一冗余信号线上的失效冗余存储单元的数量是否小于当前第一信号线上的失效存储单元的数量；响应于有效的当前第一冗余信号线上的失效冗余存储单元的数量小于当前第一信号线上的失效存储单元的数量，利用有效的当前第一冗余信号线替换当前第一信号线。
13、其中，确定有效的当前第一冗余信号线是否为最后一个第一冗余信号线；响应于有效的当前第一冗余信号线非为最后一个第一冗余信号线，返回继续执行基于第一排序的顺序，确定当前第一信号线上的失效存储单元的数量是否为零的步骤，其中，基于第一排序顺序的下一第一信号线更新为当前第一信号线，基于第二排序顺序的下一有效的第一冗余信号线更新为有效的当前第一冗余信号线。
14、其中，响应于当前第一信号线上的失效存储单元的数量为零，结束基于第二修复策略，利用有效的第一冗余信号线替换符合第二修复策略的第一信号线的步骤；和/或响应于有效的当前第一冗余信号线上的失效冗余存储单元的数量大于当前第一信号线上的失效存储单元的数量，结束基于第二修复策略，利用有效的第一冗余信号线替换符合第二修复策略的第一信号线的步骤；和/或响应于当前第一冗余信号线为最后一个第一冗余信号线，结束基于第二修复策略，利用有效的第一冗余信号线替换符合第二修复策略的第一信号线的步骤。
15、其中，基于第二修复策略，利用有效的第二冗余信号线替换符合第二修复策略的第二信号线。
16、本技术采用的另一个技术方案是：提供一种存储装置的修复系统，该修复系统包括主控装置和存储装置，主控装置执行上述修复方法以产生修复替换信息；存储装置耦接主控装置，且存储装置包括存储晶粒，存储晶粒包括至少一存储块，每个存储块包括存储阵列和冗余存储阵列。
17、其中，存储装置还包括控制晶粒，控制晶粒与存储晶粒封装在一起，其中，控制晶粒接收修复替换信息。
18、本技术实施例的有益效果是：本技术提供的存储装置的修复方法，通过遍历存储阵列中所有的第一信号线获取每根第一信号线上的失效存储单元的数量，并在第一信号线上的失效存储单元的数量大于冗余存储阵列中有效的第二冗余信号线的数量则判定第一信号线符合第一修复策略，并在第一信号线符合第一修复策略时利用第一冗余信号线替换该第一信号线，从而实现存储阵列失效存储单元的修复。本发明实施例的修复方法，利用一根第一冗余信号线一次性修复第一方向上尽可能多的失效存储单元，使得这些失效存储单元不需要由多个第二冗余信号线在第二方向逐个地修复，能够提高有限的第一冗余信号线和第二冗余信号线的利用率，从而提高存储装置的失效存储单元的修复率；进一步地，存储装置的失效存储单元的修复，使得存储装置能够正常使用，例如如果将本技术提供的存储装置的修复方法应用于存储装置的量产前的测试，可以提高存储装置量产的合格率；如果将本技术提供的存储装置的修复方法应用于存储装置的正常工作时的修复时，可以缩短每次上电修复的时间。
1.一种存储装置的修复方法，其特征在于，所述存储装置包括存储阵列和冗余存储阵列，其中，所述冗余存储阵列中的冗余存储单元用于修复替换所述存储阵列中的失效存储单元，所述修复方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求1或8所述的方法，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述基于第二修复策略，利用残留有效的所述第一冗余信号线替换符合所述第二修复策略的所述第一信号线，包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，
14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：
15.一种存储装置的修复系统，其特征在于，包括：
16.根据权利要求15所述的修复系统，其特征在于，所述存储装置还包括：
