本技术涉及金刚石制备，特别涉及一种金刚石生长的mpcvd基片台。
背景技术：
1、人造金刚石合成方法主要高温高压法、微波等离子化学气相沉积法、直流电弧等离子体喷射法/热丝化学气相沉积法等， mpcvd法具有等离子体能量密度高、杂质含量低、可控性好等优点，已成为制备大尺寸高品质金刚石的首选方法。
2、目前的mpcvd设备大都不能实现内芯水冷台的升降，当金刚石随着时间的生长，其厚度增加，会出现温度过高的情况，使其不能在一个恒定、适宜的温度下生长，从而进一步影响金刚石的生长速率和质量。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的问题，本实用新型提供一种金刚石生长的mpcvd基片台。
2、本实用新型为解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种金刚石生长的mpcvd基片台，包括底盘、顶盘、中间盘和水冷台，底盘和顶盘之间通过多个导向轴连接，中间盘位于底盘和顶盘之间且与导向轴滑动配合，中间盘和底盘之间设有用于带动中间盘升降的升降机构；
3、顶盘上设有上端开口的外壳，水冷台可上下滑动的设置在外壳内，水冷台下端设有滑动贯穿顶盘且与中间盘固定连接的连接件。
4、作为优选的方案，所述升降机构包括设置在中间盘上的电动推杆，电动推杆的推杆竖直朝向底盘且端部与底盘连接。
5、作为优选的方案，所述中间盘上设有与导向轴滑动配合的滑套。
6、作为优选的方案，所述连接件包括设置在水冷台上且呈圆柱形的固定筒体和设置在固定筒体下端与筒体连通的连接筒体，连接筒体滑动贯穿顶盘且与中间盘固定连接，顶盘底部中心设有伸入连接筒体的连接杆，连接杆底部与连接筒体连接。
7、作为优选的方案，所述固定筒体与水冷台、连接杆形成第一容纳腔，连接筒体与连接杆形成第二容纳腔，第一容纳腔和第二容纳腔相连通且共同形成液冷空腔。
8、作为优选的方案，所述顶盘和中间盘之间设有波纹管，连接筒体位于波纹管内。
9、本申请的有益效果为：1、本申请通过升降机构带动中间盘升降，从而带动水冷台上下升降，从而能够精确控制金刚石的生长位置，确保金刚石在基片表面的均匀性和一致性。
10、2、通过升降机构能够调节水冷台的升降速度和位置，可以优化金刚石的生长条件，提高生长效率和产量。
11、3、本申请升降机构能够实现自动化控制，减少人为操作的干预，提高生产效率并降低操作失误的可能性。
1.一种金刚石生长的mpcvd基片台，其特征在于，包括底盘（1）、顶盘（3）、中间盘（2）和水冷台（8），底盘（1）和顶盘（3）之间通过多个导向轴（4）连接，中间盘（2）位于底盘（1）和顶盘（3）之间且与导向轴（4）滑动配合，中间盘（2）和底盘（1）之间设有用于带动中间盘（2）升降的升降机构；
2.根据权利要求1所述的一种金刚石生长的mpcvd基片台，其特征在于：所述升降机构包括设置在中间盘（2）上的电动推杆（5），电动推杆（5）的推杆竖直朝向底盘（1）且端部与底盘（1）连接。
3.根据权利要求1所述的一种金刚石生长的mpcvd基片台，其特征在于：所述中间盘（2）上设有与导向轴（4）滑动配合的滑套（21）。
4.根据权利要求1所述的一种金刚石生长的mpcvd基片台，其特征在于：所述连接件（7）包括设置在水冷台（8）上且呈圆柱形的固定筒体（71）和设置在固定筒体（71）下端与筒体连通的连接筒体（72），连接筒体（72）滑动贯穿顶盘（3）且与中间盘（2）固定连接，顶盘（3）底部中心设有伸入连接筒体（72）的连接杆（73），连接杆（73）底部与连接筒体（72）连接。
5.根据权利要求4所述的一种金刚石生长的mpcvd基片台，其特征在于：所述固定筒体（71）与水冷台（8）、连接杆（73）形成第一容纳腔，连接筒体（72）与连接杆（73）形成第二容纳腔，第一容纳腔和第二容纳腔相连通且共同形成液冷空腔。
6.根据权利要求4所述的一种金刚石生长的mpcvd基片台，其特征在于：所述顶盘（3）和中间盘（2）之间设有波纹管（6），连接筒体（72）位于波纹管（6）内。
