本申请属于移动通讯领域，具体涉及一种辐射器和低电磁散射天线。
背景技术：
1、基站天线正由单频向着多频全面演进，多频天线是将不同频段、不同制式的天线集成在同一物理口径内，可以节约天面资源、提高集成度。多频天线中通常包括低频天线和高频天线，低频天线辐射器较大且距地高度较高，高频天线辐射器较小且距地高度较低。低频天线和高频天线在同一物理口径内共地排布时，会出现低频天线的辐射器遮挡高频天线的现象。这种遮挡会引起高频天线的“电磁阻塞”，容易造成高频天线电磁波被阻碍，电磁波方向畸变，导致高频电磁波无法穿过低频天线。
2、低电磁散射天线也称为电磁透明天线，常应用于多频天线中的低频天线。低电磁散射天线多采用高低阻抗线或并联1/4波长枝节技术方案，但是仍然存在阻碍高频电磁波的问题，并且采用上述方案会对低频辐射电流产生阻碍，容易损失低电磁散射天线散射的低频电磁波。
3、综上所述，现有的多频天线中，即使采用了低电磁散射天线，也存在高频电磁波和低频电磁波无法正常散射的现象，存在多频天线散射的高频电磁波和低频电磁波发生电磁波损失的问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种辐射器和低电磁散射天线，能够解决多频天线散射的高频电磁波和低频电磁波发生电磁波损失的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种辐射器，该辐射器包括：辐射器主体；并联谐振电路，所述并联谐振电路位于所述辐射器主体上，所述并联谐振电路用于通过谐振抑制辐射器主体产生的高频感应电流以提高所述辐射器主体的高频透明带宽；串联谐振电路，所述串联谐振电路位于所述辐射器主体上，所述串联谐振电路与所述并联谐振电路串联，所述串联谐振电路用于通过谐振传导所述辐射器主体产生的低频辐射电流以提高所述辐射器主体的低频阻抗带宽。
3、第二方面，本申请实施例提供了一种低电磁散射天线，该低电磁散射天线包括如第一方面所述的辐射器。
4、在本申请实施例中，辐射器包括：辐射器主体；并联谐振电路，所述并联谐振电路位于所述辐射器主体上，所述并联谐振电路用于通过谐振抑制辐射器主体产生的高频感应电流以提高所述辐射器主体的高频透明带宽；串联谐振电路，所述串联谐振电路位于所述辐射器主体上，所述串联谐振电路与所述并联谐振电路串联，所述串联谐振电路用于通过谐振传导所述辐射器主体产生的低频辐射电流以提高所述辐射器主体的低频阻抗带宽，能够保证高频电磁波无障碍穿过辐射器主体，同时保证低频电磁波无损散射。
1.一种辐射器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的辐射器，其特征在于，所述并联谐振电路包括第一电感元件和第一电容元件，所述第一电感元件和所述第一电容元件并联，所述第一电感元件包括第一预设结构的第一金属带线，所述第一电容元件包括存在缝隙的第二金属带线。
3.根据权利要求1所述的辐射器，其特征在于，所述串联谐振电路包括第二电感元件和第二电容元件，所述第二电感元件和所述第二电容元件串联，所述第二电感元件包括第二预设结构的第三金属带线，所述第二电容元件包括所述第三金属带线和存在缝隙的第四金属带线，所述第三金属带线和所述第四金属带线耦合。
4.根据权利要求1所述的辐射器，其特征在于，所述并联谐振电路包括具有并联谐振特性的第一超材料单元，所述第一超材料单元包括第一电感线和第一电容片，所述第一电感线和所述第一电容片并联。
5.根据权利要求1所述的辐射器，其特征在于，所述串联谐振电路包括第三电感元件和第三电容元件，所述第三电感元件包括弯折结构的第五金属带线，所述第三电容元件包括所述第五金属带线和第六金属带线，所述第五金属带线和所述第六金属带线耦合。
6.根据权利要求1所述的辐射器，其特征在于，所述并联谐振电路包括具有并联谐振特性的第二超材料单元，所述第二超材料单元包括第二电感线和第二电容片，所述第二电感线和所述第二电容片并联；
7.根据权利要求1所述的辐射器，其特征在于，所述并联谐振电路包括具有并联谐振特征的第三超材料单元；
8.根据权利要求3所述的辐射器，其特征在于，所述第四金属带线和所述第三金属带线的两端耦合。
9.根据权利要求3所述的辐射器，其特征在于，所述第三金属带线位于所述辐射器主体的第一金属贴片层，所述第四金属带线位于所述辐射器主体的第二金属贴片层。
10.根据权利要求1所述的辐射器，其特征在于，在所述串联谐振电路的数量为多个的情况下，任意两个所述串联谐振链路之间串联有所述并联谐振电路。
11.根据权利要求1所述的辐射器，其特征在于，所述并联谐振电路的阻带带宽由所述并联谐振电路的品质因数值确定，所述阻带带宽用于抑制所述辐射器产生的高频感应电流；
12.一种低电磁散射天线，其特征在于，所述低电磁散射天线包括如权利要求1-11任一项所述的辐射器。
