本发明属于光伏，尤其是涉及一种单晶等径变形功率自动补偿方法。
背景技术：
1、单晶生长过程中等径工步由于保持埚位不统一，热场保温性能差异，工艺参数自适应匹配程度低，会产生单晶变形的情况，当前无等径变形检测系统，需要在本地端和集控端目视进行单晶变形巡检，占用了作业人员很多时间和精力，增加作业人员劳动强度和难度。在专利cn202111000678.6中介绍了一种单晶等径变形检测方法及装置，但无法实现针对不同的检测结果进行决策及时自动调整相应的工艺参数，导致单晶断苞，影响成晶率。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本发明提供一种单晶等径变形功率自动补偿方法，有效解决了现有的单晶等径变形检测方法无法实现针对不同的检测结果进行决策及时自动调整相应的工艺参数，导致单晶断苞，影响成晶率的问题。
2、本发明采用的技术方案是：一种单晶等径变形功率自动补偿方法，包括以下步骤：
3、在检测周期内，监测等径过程中单晶表面的变形，获取一组单晶生长图像，计算所述单晶的变形比例值；
4、对所述变形比例值进行等级判定；
5、按照所述等级判定的判定等级进行功率补偿。
6、进一步，所述功率补偿包括以下步骤，
7、按照所述等级判定的判定等级进行第一次功率补偿；
8、在第一补偿周期内，获取一组单晶生长图像，计算所述单晶的变形比例值并进行第一等级判定；
9、按照所述第一等级判定的判定等级进行第二次功率补偿；
10、在第二补偿周期内，获取一组单晶生长图像，计算所述单晶的变形比例值并行进第二等级判定。
11、进一步，所述变形比例值为所述生长图像中，异常像素值与总像素值比值的平均值。
12、进一步，所述等级判定、第一等级判定和第二等级判定的判定等级均为0级、1级、2级、3级。
13、进一步，当所述变形比例值小于第一阈值时，所述判定等级为0级；
14、当所述变形比例值大于等于第一阈值小于第二阈值时，所述判定等级为1级；
15、当所述变形比例值大于等于第二阈值小于第三阈值时，所述判定等级为2级；
16、当所述变形比例值大于等于第三阈值时，所述判定等级为3级。
17、进一步，当所述等级判定的判定等级大于0级时，进行所述第一次功率补偿；
18、当所述第一等级判定的判定等级大于0级时，进行所述第二次功率补偿；
19、当所述第二等级判定的判定等级小于所述第一等级判定的判定等级时，自决策结束，当所述第二等级判定的判定等级大于等于所述第一等级判定的判定等级时，报警输出，进行人工操作。
20、进一步，所述判定等级越大，功率补偿值越大。
21、进一步，所述判定等级为1级和3级时的补偿周期相同；
22、所述判定等级为2级时的补偿周期大于所述所述判定等级为1级和3级时的补偿周期。
23、进一步，所述获取一组单晶生长图像过程中，以固定拍摄周期进行拍摄，所述固定拍摄周期为1～10s。
24、进一步，所述检测周期为20～100s。
25、本发明具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，实现了单晶等径变形的实时监测与决策，自动进行功率补偿，减少作业人员的巡检及人工操作，增强了设备自动化水平，提升了工作效率，避免了单晶断苞，提高了成晶率。
1.一种单晶等径变形功率自动补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种晶等径变形功率自动补偿方法，其特征在于：所述功率补偿包括以下步骤，
3.根据权利要求2所述的一种单晶等径变形功率自动补偿方法，其特征在于：所述变形比例值为所述生长图像中，异常像素值与总像素值比值的平均值。
4.根据权利要求2或3所述的一种单晶等径变形功率自动补偿方法，其特征在于：所述等级判定、第一等级判定和第二等级判定的判定等级均为0级、1级、2级、3级。
5.根据权利要求4所述的一种单晶等径变形功率自动补偿方法，其特征在于：
6.根据权利要求4所述的一种单晶等径变形功率自动补偿方法，其特征在于：
7.根据权利要求4所述的一种单晶等径变形功率自动补偿方法，其特征在于：所述判定等级越大，功率补偿值越大。
8.根据权利要求4所述的一种单晶等径变形功率自动补偿方法，其特征在于：
9.根据权利要求1-3、5-8任一所述的一种单晶等径变形功率自动补偿方法，其特征在于：所述获取一组单晶生长图像过程中，以固定拍摄周期进行拍摄，所述固定拍摄周期为1～10s。
10.根据权利要求1-3、5-8任一所述的一种单晶等径变形功率自动补偿方法，其特征在于：所述检测周期为20～100s。
