本公开涉及半导体，尤其涉及保护环的版图形成方法。
背景技术：
1、保护环(guard ring)对mos(metal oxide semiconductor)器件起到隔离保护的作用，可以有效防止闩锁效应(latch-up)，是集成电路中必不可少的组件之一。
2、随着集成电路集成度的不断提高，mos器件的排列方式不断变化，保护环的形状亦趋于复杂化，为了提高集成电路的版图效率，需要进一步提高保护环的版图效率。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种保护环的版图形成方法。
2、为达到上述目的，本公开实施例的技术方案是这样实现的：
3、本公开提供一种保护环的版图形成方法，包括：形成保护环的参数化图形；对所述参数化图形进行参数设置，以形成初始版图图形；所述初始版图图形至少包括接触区图形；基于所述初始版图图形的形状和尺寸在所述接触区图形中增设接触孔图形，以形成保护环的版图。
4、在一种可选的实施方式中，所述形成保护环的参数化图形，包括：提供保护环的原始参数化图形，所述原始参数化图形的形状为矩形；在平面上调整所述原始参数化图形在延伸方向上的端点，以形成所述保护环的参数化图形；所述保护环的参数化图形包括至少一个沿第一方向延伸的第一部分和/或至少一个沿第二方向延伸的第二部分，所述第一方向与所述第二方向垂直。
5、在一种可选的实施方式中，所述基于所述初始版图图形的形状和尺寸在所述接触区图形中增设接触孔图形，包括：所述接触区图形包括沿所述第一方向延伸的第一区域和/或沿所述第二方向延伸的第二区域；获取所述第一区域的第一延伸尺寸和/或所述第二区域的第二延伸尺寸；利用预设算法基于所述接触孔图形的长度的预设范围、相邻所述接触孔图形的最小间距、所述第一延伸尺寸和/或第二延伸尺寸得到所述接触孔图形的长度和数量；根据所述接触孔图形的预设宽度、所述接触孔图形的长度和数量在所述接触区图形中形成所述接触孔图形。
6、在一种可选的实施方式中，所述形成初始版图图形，还包括：形成包绕所述接触区图形的掺杂区图形。
7、在一种可选的实施方式中，所述对所述参数化图形进行参数设置，包括：设置所述保护环的掺杂类型；和/或，设置多个所述保护环，以及设置每一所述保护环的掺杂类型。
8、在一种可选的实施方式中，所述对所述参数化图形进行参数设置，还包括：设置所述接触区图形的宽度；确定是否形成金属层图形，所述金属层图形通过所述接触孔图形与所述接触区图形连接；若形成所述金属层图形，则设置所述金属层图形的宽度。
9、在一种可选的实施方式中，所述对所述参数化图形进行参数设置，还包括：确定是否开启所述金属层图形的切断功能；若开启所述切断功能，则设置所述金属层图形的目标切断区域；去除位于所述目标切断区域内的所述金属层图形，形成用于设置信号线图形的开口。
10、在一种可选的实施方式中，所述保护环至少包括n型、p型和深n阱型；在设置所述保护环为n型的情况下，所述掺杂区图形为n型掺杂区图形；所述初始版图图形还包括包绕所述n型掺杂区图形的n阱区图形；在设置所述保护环为p型的情况下，所述掺杂区图形为p型掺杂区图形；在设置所述保护环为深n阱型的情况下，所述掺杂区图形为n型掺杂区图形；所述初始版图图形还包括包绕所述n型掺杂区图形的n阱区图形以及位于所述n阱区图形下方并与所述n阱区图形连接的深n阱区图形。
11、在一种可选的实施方式中，在设置所述保护环为深n阱型的情况下，所述对所述参数化图形进行参数设置，还包括：设置所述n阱区图形的宽度。
12、在一种可选的实施方式中，所述设置多个保护环，以及设置每一个所述保护环的掺杂类型，包括：将所述保护环设置为n型或深n阱型；确定是否在所述保护环的与所述保护环的延伸方向垂直的方向上的单侧或双侧设置p型保护环。
13、在一种可选的实施方式中，在确定在所述保护环的与所述保护环的延伸方向垂直的方向上的单侧或双侧设置其他保护环的情况下，所述对所述参数化图形进行参数设置，还包括：设置相邻所述保护环的掺杂区图形的间距。
14、在本公开的技术方案中，通过对保护环的参数化图形进行参数设置可以基于参数化图形同时形成多个版图图形，并基于接触区图形的尺寸和形状同时形成多个接触孔图形，相较于需要逐个形成版图图形的版图形成方法，本公开提供的版图形成方法有效提高了保护环的版图效率。
1.一种保护环的版图形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：
2.根据权利要求1所述的保护环的版图形成方法，其特征在于，所述形成保护环的参数化图形，包括：
3.根据权利要求2所述的保护环的版图形成方法，其特征在于，所述基于所述初始版图图形的形状和尺寸在所述接触区图形中增设接触孔图形，包括：
4.根据权利要求1所述的保护环的版图形成方法，其特征在于，所述形成初始版图图形，还包括：
5.根据权利要求4所述的保护环的版图形成方法，其特征在于，所述对所述参数化图形进行参数设置，包括：
6.根据权利要求5所述的保护环的版图形成方法，其特征在于，所述对所述参数化图形进行参数设置，还包括：
7.根据权利要求6所述的保护环的版图形成方法，其特征在于，所述对所述参数化图形进行参数设置，还包括：
8.根据权利要求5所述的保护环的版图形成方法，其特征在于，所述保护环至少包括n型、p型和深n阱型；
9.根据权利要求8所述的保护环的版图形成方法，其特征在于，在设置所述保护环为深n阱型的情况下，所述对所述参数化图形进行参数设置，还包括：
10.根据权利要求8所述的保护环的版图形成方法，其特征在于，所述设置多个保护环，以及设置每一个所述保护环的掺杂类型，包括：
11.根据权利要求10所述的保护环的版图形成方法，其特征在于，在确定在所述保护环的与所述保护环的延伸方向垂直的方向上的单侧或双侧设置其他保护环的情况下，所述对所述参数化图形进行参数设置，还包括：
