本发明涉及一种加工与检测装置及方法。
背景技术：
1、随着半导体技术的进步，发光二极管的工艺越来越成熟，且往多样化发展，其中一种发展是将发光二极管越作越小，小至现今所谓的微型发光二极管。
2、在微型发光二极管的工艺中，一种技术是将大量的微型发光二极管从一个基板转移至另一个基板上，其中可以使用激光照射微型发光二极管，以使微型发光二极管从一个基板剥离。
3、然而，采用激光照射发光二极管的剥离工艺有时候会未能正常地使微型发光二极管剥离，例如微型发光二极管未完全地剥离，或者微型发光二极管在剥离的过程中受损。但是，由于微型发光二极管尺寸很小，采用现有技术的制造者无法立即得知激光剥离工艺是否正常地完成。
技术实现思路
1、本发明是针对一种加工与检测装置，其可在加工时立即检测。
2、本发明是针对一种加工与检测方法，其可在加工时立即检测。
3、本发明的一实施例提出一种加工与检测装置，用以对加工物件进行加工与检测。加工与检测装置包括承载平台、激光单元、波长测量单元及计算单元。承载平台用以承载加工物件，加工物件包括基板及其上的多个微型发光二极管。激光单元用以发射激光，激光对承载平台上的加工物件执行工艺工序且激发各微型发光二极管辐射出光信号。波长测量单元用以对各微型发光二极管受激辐射的光信号执行实时测量，以获取各微型发光二极管的光谱。计算单元用以分析这些微型发光二极管的光谱，以判断工艺工序是否有异常。
4、本发明的一实施例提出一种加工与检测方法，包括：提供加工物件，其中加工物件包括基板及其上的多个微型发光二极管；以激光单元发射激光，激光对加工物件执行工艺工序且激发各微型发光二极管辐射出光信号；以波长测量单元在激光单元对加工物件执行工艺工序的同时对各微型发光二极管受激辐射出的光信号执行实时测量，以获取各微型发光二极管的光谱；以及以计算单元分析这些微型发光二极管的光谱，以判断工艺工序是否有异常。
5、在本发明的实施例的加工与检测装置及加工与检测方法中，激光单元在对加工物件执行工艺工序时，也会同时激发各微型发光二极管辐射出光信号。因此，本发明的实施例利用波长测量单元对各微型发光二极管受激辐射的光信号执行实时测量，以获取各微型发光二极管的光谱，进而借由分析光谱以判断工艺工序是否有异常。所以，本发明的实施例的加工与检测装置及加工与检测方法可在加工时立即检测工艺工序是否有异常。
1.一种加工与检测装置，其特征在于，用以对加工物件进行加工与检测，所述加工与检测装置包括：
2.根据权利要求1所述的加工与检测装置，其特征在于，还包括预设数据库，所述预设数据库包括至少一正常光谱或异常光谱，以供所述计算单元将各所述多个微型发光二极管的所述光谱与所述预设数据库比对。
3.根据权利要求1所述的加工与检测装置，其特征在于，所述波长测量单元包括：
4.根据权利要求3所述的加工与检测装置，其特征在于，相邻的所述多个光电二极管的间距至少部分不相同。
5.根据权利要求3所述的加工与检测装置，其特征在于，所述多个光电二极管所检测的波长的差异至少部分不相同。
6.根据权利要求3所述的加工与检测装置，其特征在于，所述多个光电二极管对波长的响应曲线至少部分不相同。
7.根据权利要求3所述的加工与检测装置，其特征在于，所述波长测量单元还包括屏蔽，配置于所述多个光电二极管的至少一部分与所述色散元件之间，以沿所述色散方向缩减所述多个光电二极管的波长感测范围。
8.根据权利要求3所述的加工与检测装置，其特征在于，所述波长测量单元还包括收光元件，配置于所述多个光电二极管的至少一部分与所述色散元件之间，以沿所述色散方向扩增所述多个光电二极管的波长感测范围。
9.根据权利要求3所述的加工与检测装置，其特征在于，所述多个光电二极管的反应时间短于各所述多个微型发光二极管受激发后辐射出所述光信号的持续时间。
10.根据权利要求3所述的加工与检测装置，其特征在于，所述激光单元发出激光以激发各微型发光二极管辐射出所述光信号，且所述多个光电二极管的反应时间短于所述激光的周期。
11.一种加工与检测方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的加工与检测方法，其特征在于，所述计算单元将所述多个微型发光二极管的光谱与预设数据库比对，以借由判断所述多个微型发光二极管的光谱是否为异常光谱来判断所述工艺工序是否有异常，其中所述预设数据库包括至少一正常光谱或异常光谱。
13.根据权利要求12所述的加工与检测方法，其特征在于，还包括反应于所述光谱为异常光谱，而对具有所述异常光谱的所述多个微型发光二极管重新执行所述工艺工序或记录位置。
14.根据权利要求12所述的加工与检测方法，其特征在于，还包括反应于所述光谱为异常光谱，而停止执行所述工艺工序。
15.根据权利要求12所述的加工与检测方法，其特征在于，所述工艺工序为以所述激光单元发射激光至各所述微型发光二极管以将所述多个微型发光二极管自所述基板上剥离。
16.根据权利要求11所述的加工与检测方法，其特征在于，所述多个微型发光二极管的光谱包括至少一第一光谱和至少一第二光谱，所述至少一第一光谱与所述至少一第二光谱具有相异的光谱特征，以所述计算单元分析各所述多个微型发光二极管的光谱以判断所述工艺工序是否有异常的步骤，包括根据所述至少一第一光谱和所述至少一第二光谱，检测所述多个微型发光二极管于所述工艺工序中是否有异常。
17.根据权利要求16所述的加工与检测方法，其特征在于，具有所述至少一第一光谱的所述多个微型发光二极管为正常，具有所述至少一第二光谱的所述多个微型发光二极管为异常。
18.根据权利要求17所述的加工与检测方法，其特征在于，还包括对异常的所述多个微型发光二极管重新执行所述工艺工序或记录位置。
19.根据权利要求11所述的加工与检测方法，其特征在于，所述波长测量单元包括：
20.根据权利要求19所述的加工与检测方法，其特征在于，所述波长测量单元中的光电二极管的反应时间短于各所述多个微型发光二极管受激发后辐射出所述光信号的持续时间。
