本发明涉及基片处理系统和边缘环的安装方法。
背景技术：
1、专利文献1中公开了一种聚焦环更换方法，其用于能够对被载置在设置于处理室内部的载置台上的基片进行等离子体处理的等离子体处理装置，对以包围基片的周围的方式被载置在载置台上的聚焦环进行更换。上述更换方法包括：不使处理室向大气开放，而利用输送聚焦环的输送装置从处理室内送出聚焦环的送出步骤；和在送出步骤之后，对载置台的载置聚焦环的面进行清洁处理的清洁步骤。上述更换方法还包括：在清洁步骤之后，不使处理室向大气开放，而利用输送装置将聚焦环送入到处理室内并载置在载置台上的送入步骤。另外，专利文献1中公开了，在利用静电卡盘将聚焦环吸附在载置台上的情况下，在送出步骤之前进行除电处理。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2018-10992号公报
技术实现思路
1、发明要解决的技术问题
2、本发明的技术将使用输送装置更换的边缘环适当地静电吸附在基片支承台上。
3、用于解决技术问题的手段
4、本发明的一个方式是一种基片处理系统，其包括等离子体处理装置、与所述等离子体处理装置连接的减压输送装置、和控制装置，所述等离子体处理装置包括：能够被减压的处理容器；设置在所述处理容器内的基片支承台，其包括基片载置面、能够以边缘环包围基片的方式载置边缘环的环载置面、和用于将所述边缘环静电吸附在所述环载置面上的静电卡盘，所述基片支承台与用于供给偏置用的脉冲状的直流电压的电源连接；用于使所述边缘环升降的升降机构；和用于在所述处理容器内生成等离子体的等离子体生成部，所述减压输送装置具有用于输送所述边缘环的输送机器人，所述控制装置能够控制：利用所述升降机构，使由所述输送机器人输送到所述处理容器内并交接到所述升降机构的所述边缘环下降而将其载置在所述环载置面上的载置步骤；将已被载置的所述边缘环静电吸附在所述环载置面上的步骤；和在对产品基片进行等离子体处理之前，在所述处理容器内生成等离子体，使所述边缘环在所述静电卡盘上的静电吸附稳定化的稳定化步骤，所述稳定化步骤包括对所述基片支承台施加所述偏置用的脉冲状的直流电压的施加步骤，所述施加步骤包括：施加第一偏置电压的第一步骤；和在所述第一步骤后，施加比所述第一偏置电压高的第二偏置电压的第二步骤。
5、发明效果
6、采用本发明，能够将使用输送装置更换的边缘环适当地静电吸附在基片支承台上。
1.一种基片处理系统，其特征在于：
2.一种基片处理系统，其特征在于：
3.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：
4.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：
5.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：
6.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：
7.如权利要求6所述的基片处理系统，其特征在于：
8.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：
9.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：
10.如权利要求2所述的基片处理系统，其特征在于：
11.如权利要求2所述的基片处理系统，其特征在于：
12.如权利要求2所述的基片处理系统，其特征在于：
13.如权利要求2所述的基片处理系统，其特征在于：
14.如权利要求13所述的基片处理系统，其特征在于：
15.如权利要求2所述的基片处理系统，其特征在于：
16.一种边缘环的安装方法，其特征在于，包括：
