一种真空晶圆加热器升降机构的制作方法

    专利查询2026-07-13  3


    本发明涉及半导体设备领域,尤其涉及半导体设备的基座调节。


    背景技术:

    1、半导体设备是制作芯片的设备,随着制程节点的不断向下推进,半导体设备已经成为了先进制程芯片向下突破的核心。

    2、在一些半导体设备中,例如cvd、外延、快速热处理(rtp)、刻蚀等,需要在基座内设置加热器,从而在工艺期间加热晶圆,用来提供工艺所需的工艺温度,最终完成处理工艺。

    3、在现有技术中,随着制程节点的推进,晶圆对于加热的均匀性、气流分布的均匀性和等离子体分布的均匀性要求越来越高,因此现有技术为了保证上述工艺的均匀性,一般采用可调节水平度的基座来承载晶圆,但是现有技术的水平调节机构不易在狭小空间内操作,且步骤繁琐、不易控制、机构复杂。


    技术实现思路

    1、有鉴于此,本发明的目的在于提供一种真空晶圆加热器升降机构,可以解决基座的调平装置不易在狭小空间操作、操作繁琐和不易控制的问题。

    2、为实现上述目的,本发明提供了一种真空晶圆加热器升降机构,包括:

    3、腔体;

    4、基座,所述基座设置于所述腔体内,用于承载待加工晶圆,所述基座内设置加热组件;

    5、底座,所述底座设置于所述腔体下方,所述底座与所述基座的支撑轴连接;

    6、调平装置,所述调平装置设置于所述腔体与底座之间,用于调节所述基座的水平度;

    7、连接组件,所述连接组件连接所述底座和调平装置;

    8、其中,所述调平装置包括调平板、竖杆、第一竖向调节件和第二竖向调节件;所述竖杆的上端与所述腔体的下壁连接,所述竖杆的下端与所述调平板的第一端转动连接,所述第一竖向调节件和第二竖向调节件设置于所述调平板的第二端,用于分别调节调平板第二端相对于所述下壁的距离,所述第一端和第二端相对。

    9、可选的,所述调平板大致地水平设置,所述第一竖向调节件和第二竖向调节件分别靠近所述调平板相对的侧面设置。

    10、可选的,第一竖向调节件和第二竖向调节件均包括粗调组件,用于粗略调节调平板第二端相对于所述下壁的距离。

    11、可选的,所述粗调组件包括杆、弹性体和螺栓;所述杆的上端与所述腔体的下壁连接,所述杆的下端与所述调平板活动连接;所述弹性体设置于所述下壁和调平板的上表面之间,用于向调平板提供向下的力;所述螺栓设置于所述调平板的下表面,与所述杆的下端螺纹连接,用于粗略调节调平板第二端相对于所述下壁的距离。

    12、可选的,所述第一竖向调节件和第二竖向调节件均包括细调组件,所述细调组件设置于所述调平板的下表面和螺栓之间,用于细调调平板第二端相对于所述螺栓的距离,进而调节调平板第二端相对于所述下壁的距离。

    13、可选的,所述细调组件包括具有斜面的两个滑块和推杆,所述两个滑块的斜面相对,所述推杆用于推动其中一个滑块的斜面相对于另一滑块滑动的斜面滑动。

    14、可选的,所述两个滑块包括上滑块和下滑块,所述上滑块的斜面设置于其下表面,所述下滑块的斜面设置于其上表面;所述上滑块和下滑块的斜面均沿着第一方向延伸,所述第一方向为调平板的第一端和第二端连线的方向。

    15、可选的,所述上滑块包括凸板,所述凸板设置于所述上滑块的下表面靠近一个侧面,所述侧面为上滑块的靠近调平板第二端的侧面,所述凸板用于方便推杆沿着第一方向往复移动,从而推动所述上滑块沿着第一方向相对于下滑块移动。

    16、可选的,所述凸板设置螺纹孔,所述推杆设置与所述螺纹孔配合的螺纹,所述推杆的尾端与所述下滑块的侧面抵接。

    17、可选的,所述推杆的首端设置旋拧头。

    18、可选的,所述上滑块从调平板的第一端向第二端的方向厚度增加以形成所述上滑块的斜面。

    19、可选的,所述弹性体为宝塔弹簧,所述宝塔弹簧套设于所述杆上。

    20、可选的,所述底座的上表面设置ω形凹槽,所述凹槽内设置冷却管道。

    21、可选的,还包括密封的波纹管,所述波纹管套设于所述基座的支撑轴,波纹管的上端与腔体的下壁连接,所述波纹管的下端与所述底座的上表面连接。

    22、可选的,所述竖杆的下端设置球头,所述调平板的第一端的中间位置设置半球形凹槽,所述半球形凹槽与所述球头配合实现转动连接。

    23、可选的,所述球头通过两个相同的压板将所述球头转动固定在所述半球形凹槽内。

    24、与现有技术相比,本发明的有益效果是:

    25、本发明的调平装置有三个点支撑调平板,仅需要调节其中两个点,即第一竖向调节件和第二竖向调节件,操作简单,调节点数量少,易于调节。且第一竖向调节件和第二竖向调节件均靠近第二端,避开了狭小空间,便于使用者操作;不仅如此,本发明的调平装置结构简单。



    技术特征:

    1.一种真空晶圆加热器升降机构,其特征在于,包括:

    2.根据权利要求1所述的真空晶圆加热器升降机构,其特征在于,所述调平板水平设置,所述第一竖向调节件和第二竖向调节件分别靠近所述调平板相对的侧面设置。

    3.根据权利要求1所述的真空晶圆加热器升降机构,其特征在于,第一竖向调节件和第二竖向调节件均包括粗调组件,用于粗略调节调平板第二端相对于所述下壁的距离。

    4.根据权利要求3所述的真空晶圆加热器升降机构,其特征在于,所述粗调组件包括杆、弹性体和螺栓;所述杆的上端与所述腔体的下壁连接,所述杆的下端与所述调平板活动连接;所述弹性体设置于所述下壁和调平板的上表面之间,用于向调平板提供向下的力;所述螺栓设置于所述调平板的下表面,与所述杆的下端螺纹连接,用于粗略调节调平板第二端相对于所述下壁的距离。

    5.根据权利要求4所述的真空晶圆加热器升降机构,其特征在于,所述第一竖向调节件和第二竖向调节件均包括细调组件,所述细调组件设置于所述调平板的下表面和螺栓之间,用于细调调平板第二端相对于所述螺栓的距离,进而调节调平板第二端相对于所述下壁的距离。

    6.根据权利要求5所述的真空晶圆加热器升降机构,其特征在于,所述细调组件包括具有斜面的两个滑块和推杆,所述两个滑块的斜面相对,所述推杆用于推动其中一个滑块的斜面相对于另一滑块滑动的斜面滑动。

    7.根据权利要求6所述的真空晶圆加热器升降机构,其特征在于,所述两个滑块包括上滑块和下滑块,所述上滑块的斜面设置于其下表面,所述下滑块的斜面设置于其上表面;所述上滑块和下滑块的斜面均沿着第一方向延伸,所述第一方向为调平板的第一端和第二端连线的方向。

    8.根据权利要求7所述的真空晶圆加热器升降机构,其特征在于,所述上滑块包括凸板,所述凸板设置于所述上滑块的下表面靠近一个侧面,所述侧面为上滑块的靠近调平板第二端的侧面,所述凸板用于方便推杆沿着第一方向往复移动,从而推动所述上滑块沿着第一方向相对于下滑块移动。

    9.根据权利要求8所述的真空晶圆加热器升降机构,其特征在于,所述凸板设置螺纹孔,所述推杆设置与所述螺纹孔配合的螺纹,所述推杆的尾端与所述下滑块的侧面抵接。

    10.根据权利要求9所述的真空晶圆加热器升降机构,其特征在于,所述推杆的首端设置旋拧头。

    11.根据权利要求7所述的真空晶圆加热器升降机构,其特征在于,所述上滑块从调平板的第一端向第二端的方向厚度增加以形成所述上滑块的斜面。

    12.根据权利要求4-11任一所述的真空晶圆加热器升降机构,其特征在于,所述弹性体为宝塔弹簧,所述宝塔弹簧套设于所述杆上。

    13.根据权利要求1-11任一所述的真空晶圆加热器升降机构,其特征在于,所述底座的上表面设置ω形凹槽,所述凹槽内设置冷却管道。

    14.根据权利要求1-11任一所述的真空晶圆加热器升降机构,其特征在于,还包括密封的波纹管,所述波纹管套设于所述基座的支撑轴,波纹管的上端与腔体的下壁连接,所述波纹管的下端与所述底座的上表面连接。

    15.根据权利要求1-11任一所述的真空晶圆加热器升降机构,其特征在于,所述竖杆的下端设置球头,所述调平板的第一端的中间位置设置半球形凹槽,所述半球形凹槽与所述球头配合实现转动连接。

    16.根据权利要求15所述的真空晶圆加热器升降机构,其特征在于,所述球头通过两个相同的压板将所述球头转动固定在所述半球形凹槽内。


    技术总结
    本发明公开了一种真空晶圆加热器升降机构,包括:腔体;基座设置于所述腔体内;底座设置于所述腔体下方,所述底座与所述基座的支撑轴连接;调平装置设置于所述腔体与底座之间;连接组件连接所述底座和调平装置;调平装置包括调平板、竖杆、第一竖向调节件和第二竖向调节件;竖杆的上端与腔体的下壁连接,竖杆的下端与所述调平板的第一端转动连接,第一竖向调节件和第二竖向调节件设置于所述调平板的第二端,用于分别调节调平板第二端相对于所述下壁的距离。本发明的调平装置采用三点定位,在一侧调节,方便人手操作,调节简单。

    技术研发人员:李海滨,许旭铭
    受保护的技术使用者:江苏首芯半导体科技有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/11/26
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