本公开的实施例的各方面涉及一种显示装置。
背景技术：
1、显示装置是显示用于向用户提供视觉信息的图像的装置。在各种类型的显示装置之中，有机发光二极管显示器最近已经引起了关注。
2、头戴式显示器(“hmd”)可以是用于提供虚拟现实(“vr”)或增强现实(“ar”)的设备。微型显示器可以应用于诸如头戴式显示器的各种产品。硅上有机发光二极管(“oledos”)显示器可以用作微型显示器。
3、本背景技术部分中公开的上述信息是为了增强对本公开的背景技术的理解，并且因此，上述信息可能包含不构成现有技术的信息。
技术实现思路
1、在硅上有机发光二极管显示器中，阳极电极、有机发光层和阴极电极可以形成在半导体基底上。半导体基底可以包括用于控制每个像素的互补金属氧化物半导体(cmos)电路。cmos电路可以形成在阱上。
2、本公开的一个或多个实施例涉及一种具有改善的显示质量的显示装置。
3、根据本公开的一个或多个实施例的一种显示装置包括：基底，包括第一阱区和与所述第一阱区间隔开的第二阱区；第一像素电路，包括设置在所述第一阱区上的第一晶体管和设置在所述第二阱区上的第二晶体管；以及第二像素电路，包括设置在所述第一阱区上的第三晶体管和设置在所述第二阱区上的第四晶体管。
4、在实施例中，所述第二阱区可以具有与所述第一阱区的电压不同的电压。
5、在实施例中，所述第一阱区的所述电压可以高于所述第二阱区的所述电压。
6、在实施例中，所述第一阱区可以具有矩形形状，并且所述第二阱区可以包括：第一部分，在第一方向上延伸，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一阱区间隔开；第二部分，在所述第二方向上延伸，并且在所述第一方向上与所述第一阱区间隔开；以及第三部分，与所述第一部分和所述第二部分接触。
7、在实施例中，所述第一晶体管和所述第三晶体管中的每一者可以是驱动晶体管。
8、在实施例中，所述显示装置还可以包括第三像素电路，所述第三像素电路包括：第五晶体管，设置在所述第一阱区上；以及第六晶体管，设置在所述第二阱区上。
9、在实施例中，所述第五晶体管可以是驱动晶体管。
10、在实施例中，所述基底还可以包括：第三阱区，具有与所述第一阱区的结构的相对于第一方向的镜像相对应的结构；和第四阱区，具有与所述第二阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构。
11、在实施例中，所述第三阱区可以具有与所述第一阱区的所述电压基本上相等的电压。
12、在实施例中，所述第四阱区可以具有与所述第二阱区的所述电压基本上相等的电压。
13、在实施例中，所述显示装置还可以包括：第四像素电路，包括设置在所述第三阱区上的第七晶体管和设置在所述第四阱区上的第八晶体管；第五像素电路，包括设置在所述第三阱区上的第九晶体管和设置在所述第四阱区上的第十晶体管；以及第六像素电路，包括设置在所述第三阱区上的第十一晶体管和设置在所述第四阱区上的第十二晶体管。
14、在实施例中，所述第七晶体管、所述第九晶体管和所述第十一晶体管中的每一者可以是驱动晶体管。
15、在实施例中，所述基底还可以包括：第五阱区，具有与所述第一阱区的结构的相对于与所述第一方向交叉的第二方向的镜像相对应的结构；和第六阱区，具有与所述第二阱区的结构的相对于所述第二方向的镜像相对应的结构。
16、在实施例中，所述第五阱区可以具有与所述第一阱区的所述电压基本上相等的电压。
17、在实施例中，所述第六阱区可以具有与所述第二阱区的所述电压基本上相等的电压。
18、在实施例中，所述显示装置还可以包括：第七像素电路，包括设置在所述第五阱区上的第十三晶体管和设置在所述第六阱区上的第十四晶体管；第八像素电路，包括设置在所述第五阱区上的第十五晶体管和设置在所述第六阱区上的第十六晶体管；以及第九像素电路，包括设置在所述第五阱区上的第十七晶体管和设置在所述第六阱区上的第十八晶体管。
19、在实施例中，所述第十三晶体管、所述第十五晶体管和所述第十七晶体管中的每一者可以是驱动晶体管。
20、在实施例中，所述基底还可以包括：第七阱区，具有与所述第五阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构；和第八阱区，具有与所述第六阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构。
21、在实施例中，所述第七阱区可以具有与所述第五阱区的所述电压基本上相等的电压。
22、在实施例中，所述第八阱区可以具有与所述第六阱区的所述电压基本上相等的电压。
23、在实施例中，所述显示装置还可以包括：第十像素电路，包括设置在所述第七阱区上的第十九晶体管和设置在所述第八阱区上的第二十晶体管；第十一像素电路，包括设置在所述第七阱区上的第二十一晶体管和设置在所述第八阱区上的第二十二晶体管；以及第十二像素电路，包括设置在所述第七阱区上的第二十三晶体管和设置在所述第八阱区上的第二十四晶体管。
24、在实施例中，所述第十九晶体管、所述第二十一晶体管和所述第二十三晶体管中的每一者可以是驱动晶体管。
25、根据本公开的一个或多个实施例的一种显示装置包括：基底，包括：第一阱区，具有矩形形状；第二阱区，包括在第一方向上延伸并且在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一阱区间隔开的第一部分和在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上与所述第一阱区间隔开的第二部分；以及第三阱区，具有比所述第一阱区的电压低并且与所述第二阱区的所述电压不同的电压；第一像素电路，包括：设置在所述第一阱区上的第一晶体管和设置在所述第二阱区或所述第三阱区上的第二晶体管；第二像素电路，包括：设置在所述第一阱区上的第三晶体管和设置在所述第二阱区或所述第三阱区上的第四晶体管；以及第三像素电路，包括：设置在所述第一阱区上的第五晶体管和设置所述第二阱区或所述第三阱区上的第六晶体管。
26、在实施例中，所述第二阱区可以具有比所述第一阱区的所述电压低的电压，并且所述第三阱区可以与所述第一部分和所述第二部分接触。
27、在实施例中，所述基底还可以包括：第四阱区，具有与所述第一阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构；第五阱区，具有与所述第二阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构；以及第六阱区，具有与所述第三阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构。
28、在实施例中，所述第四阱区可以具有与所述第一阱区的所述电压基本上相等的电压。
29、在实施例中，所述第五阱区可以具有与所述第二阱区的所述电压基本上相等的电压。
30、在实施例中，所述第六阱区可以具有与所述第三阱区的所述电压基本上相等的电压。
31、在实施例中，所述显示装置还可以包括：第四像素电路，包括设置在所述第四阱区上的第七晶体管以及设置在所述第五阱区或所述第六阱区上的第八晶体管；第五像素电路，包括设置在所述第四阱区上的第九晶体管以及设置在所述第五阱区或所述第六阱区上的第十晶体管；以及第六像素电路，包括设置在所述第四阱区上的第十一晶体管以及设置在所述第五阱区或所述第六阱区上的第十二晶体管。
32、在实施例中，所述第七晶体管、所述第九晶体管和所述第十一晶体管中的每一者可以是驱动晶体管。
33、在实施例中，所述基底还可以包括：第七阱区，具有与所述第一阱区的结构的相对于所述第二方向的镜像相对应的结构；第八阱区，具有与所述第二阱区的结构的相对于所述第二方向的镜像相对应的结构；以及第九阱区，具有与所述第三阱区的结构的相对于所述第二方向的镜像的结构。
34、在实施例中，所述第七阱区可以具有与所述第一阱区的所述电压基本上相等的电压。
35、在实施例中，所述第八阱区可以具有与所述第二阱区的所述电压基本上相等的电压。
36、在实施例中，所述第九阱区可以具有与所述第三阱区的所述电压基本上相等的电压。
37、在实施例中，所述显示装置还可以包括：第七像素电路，包括设置在所述第七阱区上的第十三晶体管和设置在所述第八阱区或所述第九阱区上的第十四晶体管；第八像素电路，包括设置在所述第七阱区上的第十五晶体管以及设置在所述第八阱区或所述第九阱区上的第十六晶体管；以及第九像素电路，包括设置在所述第七阱区上的第十七晶体管以及设置在所述第八阱区或所述第九阱区上的第十八晶体管。
38、在实施例中，所述第十三晶体管、所述第十五晶体管和所述第十七晶体管中的每一者可以是驱动晶体管。
39、在实施例中，所述基底还可以包括：第十阱区，具有与所述第七阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构；第十一阱区，具有与所述第八阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构；以及第十二阱区，具有与所述第九阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构。
40、在实施例中，所述第十阱区可以具有与所述第七阱区的所述电压基本上相等的电压。
41、在实施例中，所述第十一阱区可以具有与所述第八阱区的所述电压基本上相等的电压。
42、在实施例中，所述第十二阱区可以具有与所述第九阱区的所述电压基本上相等的电压。
43、在实施例中，所述显示装置还可以包括：第十像素电路，包括设置在所述第十阱区上的第十九晶体管和设置在所述第十一阱区或所述第十二阱区上的第二十晶体管；第十一像素电路，包括设置在所述第十阱区上的第二十一晶体管和设置在所述第十一阱区或所述第十二阱区上的第二十二晶体管；以及第十二像素电路，包括设置在所述第十阱区上的第二十三晶体管和设置在所述第十一阱区或所述第十二阱区上的第二十四晶体管。
44、在实施例中，所述第十九晶体管、所述第二十一晶体管和所述第二十三晶体管中的每一者可以是驱动晶体管。
45、根据本公开的一个或多个实施例的一种显示装置包括：基底，包括：第一阱区，具有矩形形状；第二阱区，具有比所述第一阱区的电压低的电压，在第一方向上延伸，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一阱区间隔开；第三阱区，具有比所述第一阱区的所述电压低并且与所述第二阱区的所述电压不同的电压，在所述第二方向上延伸，并且在所述第一方向上与所述第一阱区间隔开；以及第四阱区，具有比所述第一阱区的所述电压低并且与所述第二阱区的所述电压和所述第三阱区的所述电压中的每一者不同的电压，并且与所述第二阱区和所述第三阱区接触；第一像素电路，包括设置在所述第一阱区上的第一晶体管和设置在所述第二阱区、所述第三阱区或所述第四阱区上的第二晶体管；第二像素电路，包括设置在所述第一阱区上的第三晶体管和设置在所述第二阱区、所述第三阱区或所述第四阱区上的第四晶体管；以及第三像素电路，包括设置在所述第一阱区上的第五晶体管和设置在所述第二阱区、所述第三阱区或所述第四阱区上的第六晶体管。
46、在实施例中，所述基底还可以包括：第五阱区，具有与所述第一阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构；第六阱区，具有与所述第二阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构；第七阱区，具有与所述第三阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构；以及第八阱区，具有与所述第四阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构。
47、在实施例中，所述第五阱区可以具有与所述第一阱区的所述电压基本上相等的电压。
48、在实施例中，所述第六阱区可以具有与所述第二阱区的所述电压基本上相等的电压。
49、在实施例中，所述第七阱区可以具有与所述第三阱区的所述电压基本上相等的电压。
50、在实施例中，所述第八阱区可以具有与所述第四阱区的所述电压基本上相等的电压。
51、在实施例中，所述显示装置还可以包括：第四像素电路，包括设置在所述第五阱区上的第七晶体管以及设置在所述第六阱区、所述第七阱区或所述第八阱区上的第八晶体管；第五像素电路，包括设置在所述第五阱区上的第九晶体管以及设置在所述第六阱区、所述第七阱区或所述第八阱区上的第十晶体管；以及第六像素电路，包括设置在所述第五阱区上的第十一晶体管以及设置在所述第六阱区、所述第七阱区或所述第八阱区上的第十二晶体管。
52、在实施例中，所述第七晶体管、所述第九晶体管和所述第十一晶体管中的每一者可以是驱动晶体管。
53、在实施例中，所述基底还可以包括：第九阱区，具有与所述第一阱区的结构的相对于所述第二方向的镜像相对应的结构；第十阱区，具有与所述第二阱区的结构的相对于所述第二方向的镜像相对应的结构；第十一阱区，具有与所述第三阱区的结构的相对于所述第二方向的镜像相对应的结构；以及第十二阱区，具有与所述第四阱区的结构的相对于所述第二方向的镜像相对应的结构。所述第十二阱区可以具有基本上等于所述第四阱区的所述电压的电压。
54、在实施例中，所述第九阱区可以具有基本上等于所述第一阱区的所述电压的电压。
55、在实施例中，所述第十阱区可以具有基本上等于所述第二阱区的所述电压的电压。
56、在实施例中，所述第十一阱区可以具有基本上等于所述第三阱区的所述电压的电压。
57、在实施例中，所述第十二阱区可以具有基本上等于所述第四阱区的所述电压的电压。
58、在实施例中，所述显示装置还可以包括：第七像素电路，包括设置在所述第九阱区上的第十三晶体管以及设置在所述第十阱区、所述第十一阱区或所述第十二阱区上的第十四晶体管；第八像素电路，包括设置在所述第九阱区上的第十五晶体管以及设置在所述第十阱区、所述第十一阱区或所述第十二阱区上的第十六晶体管；以及第九像素电路，包括设置在所述第九阱区上的第十七晶体管以及设置在所述第十阱区、所述第十一阱区或所述第十二阱区上的第十八晶体管。
59、在实施例中，所述第十三晶体管、所述第十五晶体管和所述第十七晶体管中的每一者可以是驱动晶体管。
60、在实施例中，所述基底还可以包括：第十三阱区，具有与所述第九阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构；第十四阱区，具有与所述第十阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构；第十五阱区，具有与所述第十一阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构；以及第十六阱区，具有与所述第十二阱区的结构的相对于所述第一方向的镜像相对应的结构。
61、在实施例中，所述第十三阱区可以具有与所述第九阱区的所述电压基本上相等的电压。
62、在实施例中，所述第十四阱区可以具有与所述第十阱区的所述电压基本上相等的电压。
63、在实施例中，所述第十五阱区可以具有与所述第十一阱区的所述电压基本上相等的电压。
64、在实施例中，所述第十六阱区可以具有与所述第十二阱区的所述电压基本上相等的电压。
65、在实施例中，所述显示装置还可以包括：第十像素电路，包括设置在所述第十三阱区上的第十九晶体管和设置在所述第十四阱区、所述第十五阱区或所述第十六阱区上的第二十晶体管；第十一像素电路，包括设置在所述第十三阱区上的第二十一晶体管以及设置在所述第十四阱区、所述第十五阱区或所述第十六阱区上的第二十二晶体管；以及第十二像素电路，包括设置在所述第十三阱区上的第二十三晶体管以及设置在所述第十四阱区、所述第十五阱区或所述第十六阱区上的第二十四晶体管。
66、在实施例中，所述第十九晶体管、所述第二十一晶体管和所述第二十三晶体管中的每一者可以是驱动晶体管。
67、根据本公开的一个或多个实施例的一种显示装置包括：基底，包括第一阱区和与所述第一阱区间隔开的第二阱区；第一像素电路，包括设置在所述第一阱区上的第一晶体管和设置在所述第二阱区上的第二晶体管；以及第二像素电路，包括设置在所述第一阱区上的第三晶体管和设置在所述第二阱区上的第四晶体管。另外，所述第二阱区可以具有与所述第一阱区的电压不同的电压。
68、换句话说，多个晶体管可以形成在一个阱上。在这种情况下，高电压晶体管(诸如驱动晶体管)可以形成在高电压阱上。另外，低电压晶体管(诸如开关晶体管)可以形成在低电压阱上。
69、根据本公开的一个或多个实施例，因为可以设置高电压阱和低电压阱两者，所以高电压晶体管和低电压晶体管可以彼此分离地定位。另外，晶体管可以彼此相邻地设置在指定的阱上。因此，像素之间的间隔可以减小(例如，可以变窄)。因此，可以改善显示装置的分辨率。
1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一阱区的所述电压高于所述第二阱区的所述电压。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第一阱区具有矩形形状，并且所述第二阱区包括：
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第一晶体管和所述第三晶体管中的每一者是对应的像素电路的驱动晶体管。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括第三像素电路，所述第三像素电路包括：
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述第五晶体管是驱动晶体管。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述基底还包括：
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述第七晶体管、所述第九晶体管和所述第十一晶体管中的每一者是对应的像素电路的驱动晶体管。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
