显示基板及显示装置的制作方法

    专利查询2026-09-18  19


    本公开涉及显示,特别是指一种显示基板及显示装置。


    背景技术:

    1、目前,显示器件的显示屏正往大屏化、全屏化方向发展。通常,显示器件(例如手机、平板电脑等)具有摄像装置(或成像装置),该摄像装置通常设置在显示屏显示区域外的一侧。但是,由于摄像装置的安装需要一定的位置,因此不利于显示屏的全屏化、窄边框设计。例如,可以将摄像装置与显示屏的显示区域结合在一起,在显示区域中为摄像装置预留位置,以获得显示屏显示区域的最大化。


    技术实现思路

    1、本公开实施例提供了一种显示基板,所述显示基板包括显示区、阻隔墙设置区和开孔区,所述显示区围绕所述阻隔墙设置区,所述阻隔墙设置区围绕所述开孔区,所述阻隔墙设置区设置有至少一圈围绕所述开孔区的阻隔墙;

    2、所述显示区包括驱动电路以及发光器件,所述发光器件包括电极层、有机功能层;所述驱动电路包括薄膜晶体管,所述电极层与所述薄膜晶体管电连接;所述阻隔墙用于将所述有机功能层隔断;

    3、其中,所述显示基板包括:

    4、衬底基板,在所述衬底基板上设置的有源层,所述有源层包括所述薄膜晶体管的有源区;在所述有源层远离所述衬底基板的一侧设置的第一栅金属层(4069),所述第一栅金属层包括所述薄膜晶体管的栅极;

    5、第一源漏金属层(4071),设置在所述第一栅金属层远离所述衬底基板的一侧;

    6、第一平坦层(4066),设置在所述第一源漏金属层远离所述衬底基板的一侧,且其在所述衬底基板上的正投影从所述显示区延伸至所述开孔区;

    7、第二源漏金属层,设置在所述第一平坦层远离所述衬底基板的一侧,所述薄膜晶体管的源漏电极至少部分位于所述第二源漏金属层,所述源漏电极将所述发光器件的电极层与所述薄膜晶体管的有源区电连接,所述第二源漏金属层还包括所述阻隔墙。

    8、可选地,所述阻隔墙包括:

    9、第一金属图形(404),在所述第一平坦层远离所述衬底基板的一侧,

    10、第二金属图形(402),在所述第一金属图形的远离所述衬底基板的一侧,

    11、其中,所述第一金属图形在所述衬底基板上的正投影位于所述第二金属图形在所述衬底基板上的正投影内。

    12、可选地,所述阻隔墙还包括:

    13、第三金属图形(405),所述第三金属图形位于所述第一金属图形靠近所述衬底基板的一侧,所述第一金属图形在所述衬底基板上的正投影位于所述第三金属图形在所述衬底基板上的正投影内。

    14、可选地,所述第一金属图形的厚度大于所述第二金属图形的厚度以及所述第三金属图形的厚度。

    15、可选地,所述第一金属图形的厚度为150nm-900nm,所述第二金属图形的厚度为30nm-300nm,所述第三金属图形的厚度为30nm-300nm。

    16、可选地,所述第一金属图形的材料包括铝或铜;

    17、所述第二金属图形的材料包括钛或钼。

    18、可选地,沿远离所述衬底基板的方向,所述阻隔墙包括依次叠置的所述第三金属图形、所述第一金属图形和所述第二金属图形。

    19、可选地,所述第三金属图形采用ti,所述第一金属图形采用al,所述第二金属图形采用ti。

    20、可选地,所述阻隔墙与所述第一平坦层直接接触。

    21、可选地,所述阻隔墙的至少一个侧面形成有凹口。

    22、可选地,所述凹口的开口方向平行于所述显示基板的衬底基板。

    23、可选地,还包括:

    24、第二平坦层(4067),设置在所述第二源漏金属层远离所述衬底基板的一侧;

    25、阳极(4062),设置在所述第二平坦层远离所述衬底基板的一侧。

    26、可选地,还包括图像传感器和/或红外传感器,所述图像传感器和/或红外传感器结合于所述显示基板的衬底基板,并且在所述衬底基板上的正投影与所述开孔区至少部分重叠。

    27、本公开实施例提供了一种显示装置,包括如上所述的显示基板。



    技术特征:

    1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括显示区、阻隔墙设置区和开孔区,所述显示区围绕所述阻隔墙设置区,所述阻隔墙设置区围绕所述开孔区,所述阻隔墙设置区设置有至少一圈围绕所述开孔区的阻隔墙;

    2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述阻隔墙包括:

    3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述阻隔墙还包括:

    4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一金属图形的厚度大于所述第二金属图形的厚度以及所述第三金属图形的厚度。

    5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述第一金属图形的厚度为150nm-900nm,所述第二金属图形的厚度为30nm-300nm,所述第三金属图形的厚度为30nm-300nm。

    6.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,

    7.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,沿远离所述衬底基板的方向,所述阻隔墙包括依次叠置的所述第三金属图形、所述第一金属图形和所述第二金属图形。

    8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第三金属图形采用ti,所述第一金属图形采用al,所述第二金属图形采用ti。

    9.根据权利要求1-8中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述阻隔墙与所述第一平坦层直接接触。

    10.根据权利要求1-8中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述阻隔墙的至少一个侧面形成有凹口。

    11.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述凹口的开口方向平行于所述显示基板的衬底基板。

    12.根据权利要求1-8中任一项所述的显示基板,其特征在于,还包括:

    13.根据权利要求1-8中任一项所述的显示基板,其特征在于,还包括图像传感器和/或红外传感器,所述图像传感器和/或红外传感器结合于所述显示基板的衬底基板,并且在所述衬底基板上的正投影与所述开孔区至少部分重叠。

    14.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-13中任一项所述的显示基板。


    技术总结
    一种显示基板(100)及显示装置,属于显示技术领域。显示基板(100)包括显示区(101)、阻隔墙设置区和开孔区(1011),所述显示区(101)围绕所述阻隔墙设置区,所述阻隔墙设置区围绕所述开孔区(1011),所述阻隔墙设置区设置有至少一圈围绕所述开孔区的阻隔墙;所述显示基板包括:衬底基板,第一源漏金属层(4071),第一平坦层(4066),第二源漏金属层,所述第二源漏金属层还包括所述阻隔墙。上述技术方案可以提高显示基板(100)的良率。

    技术研发人员:顾品超,黄炜赟,蒋冬华,赵吾阳
    受保护的技术使用者:京东方科技集团股份有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/11/26
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