本技术涉及半导体制造设备领域，尤其涉及一种晶圆传送机构。
背景技术：
1、在半导体制造工艺中，晶圆传送机构用于将晶圆从一个腔室转移至另一个腔体的机构。在晶圆传送机构中，负载锁定腔用于在进行真空处理的设备之间建立一个隔离区域，以防止外界杂质进入到真空环境中对晶圆造成污染。然而，现有的负载锁定腔大多数采用真空腔内含有滑块或传送机构，又或者将机械臂与腔体后开口之间密封，均无法完全避免机械臂与腔体摩擦产生杂质颗粒，会在传送过程中导致晶圆污染。
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种改进的晶圆传送机构，用于避免机械臂与腔体摩擦产生杂质颗粒，从而减少晶圆的污染。
技术实现思路
1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本实用新型提供了一种晶圆传送机构，通过控制机械臂不与开口内壁接触，避免机械臂与腔体摩擦产生杂质颗粒，从而避免造成晶圆污染。
3、具体来说，根据本实用新型的第一方面提供的上述晶圆传送机构包括负载锁定腔、传输腔及机械臂。所述负载锁定腔用于从设备前端模块获取待加工的晶圆，和/或向所述设备前端模块传输完成加工的晶圆。所述传输腔经由第一开口连接所述负载锁定腔，并经由至少一个第二开口连接对应数量的工艺腔。所述机械臂经由设于所述传输腔的第三开口伸入所述传输腔，用于从所述负载锁定腔获取待加工的晶圆，并将所述待加工的晶圆传输到对应的工艺腔进行加工，和/或从所述工艺腔获取完成加工的晶圆，并将所述完成加工的晶圆返回到所述负载锁定腔。所述第三开口的内壁与所述机械臂的最大活动区域保持0.1～5mm的间隙。
4、进一步地，在本实用新型的一些实施例中，所述负载锁定腔中设有检测所述负载锁定腔中是否存在晶圆的传感器。所述传感器被设于所述负载锁定腔的顶面、底面和/或侧面。
5、进一步地，在本实用新型的一些实施例中，所述传感器选自对射型光电传感器或反射式光电传感器中的至少一种。
6、进一步地，在本实用新型的一些实施例中，所述负载锁定腔中设有控温模块，用于对所述待加工的晶圆和/或所述完成加工的晶圆进行温度控制。
7、进一步地，在本实用新型的一些实施例中，所述控温模块包括加热模块。所述加热模块中设有加热丝、加热底座和/或热风口，用于加热所述待加工的晶圆。
8、进一步地，在本实用新型的一些实施例中，所述控温模块包括冷却模块。所述冷却模块中设有液冷管、液冷板和/或冷风口，用于冷却所述完成加工的晶圆。
9、进一步地，在本实用新型的一些实施例中，所述机械臂的端部设有放置所述晶圆的机械手指。所述机械手指上设有测温探头，以检测所述晶圆的温度。
10、进一步地，在本实用新型的一些实施例中，所述测温探头包括红外测温探头。
11、进一步地，在本实用新型的一些实施例中，所述机械手指内部设有热电偶丝，以连接所述测温探头。
12、进一步地，在本实用新型的一些实施例中，所述机械手指上还设有湿度传感器和/或酸碱度传感器，以检测所述晶圆的湿度和/或酸碱度。
1.一种晶圆传送机构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆传送机构，其特征在于，所述负载锁定腔中设有检测所述负载锁定腔中是否存在晶圆的传感器，其中，所述传感器被设于所述负载锁定腔的顶面、底面和/或侧面。
3.如权利要求2所述的晶圆传送机构，其特征在于，所述传感器选自对射型光电传感器或反射式光电传感器中的至少一种。
4.如权利要求1所述的晶圆传送机构，其特征在于，所述负载锁定腔中设有控温模块，用于对所述待加工的晶圆和/或所述完成加工的晶圆进行温度控制。
5.如权利要求4所述的晶圆传送机构，其特征在于，所述控温模块包括加热模块，其中设有加热丝、加热底座和/或热风口，用于加热所述待加工的晶圆。
6.如权利要求4所述的晶圆传送机构，其特征在于，所述控温模块包括冷却模块，其中设有液冷管、液冷板和/或冷风口，用于冷却所述完成加工的晶圆。
7.如权利要求4所述的晶圆传送机构，其特征在于，所述机械臂的端部设有放置所述晶圆的机械手指，所述机械手指上设有测温探头，以检测所述晶圆的温度。
8.如权利要求7所述的晶圆传送机构，其特征在于，所述测温探头包括红外测温探头。
9.如权利要求7所述的晶圆传送机构，其特征在于，所述机械手指内部设有热电偶丝，以连接所述测温探头。
10.如权利要求7所述的晶圆传送机构，其特征在于，所述机械手指上还设有湿度传感器和/或酸碱度传感器，以检测所述晶圆的湿度和/或酸碱度。
