一种掩膜版的制作方法

1.本发明涉及显示设备技术领域，具体涉及一种掩膜版。


背景技术：

2.oled mask(掩膜版)用于玻璃基板有机材料的蒸镀，在真空蒸镀过程中，由于玻璃基板与掩膜版之间的摩擦，导致玻璃基板与掩膜版之间产生大量静电，随着多个腔室蒸镀的连续进行，累积在玻璃基板上的静电迅速增大，在玻璃基板与掩膜版接触或者分离的瞬间释放静电。而静电会造成玻璃基板上的电路层或者蒸镀的有机材料被击穿，导致屏幕发光时出现黑点或者局部区域不能点亮的不良，造成蒸镀的良品率低。


技术实现要素：

3.针对现有的掩膜版在工作时致使玻璃基板产生大量静电的技术问题；本发明提供了一种掩膜版，能够减小掩膜版工作时，玻璃基板产生静电量，以降低玻璃基板上的电路层或者蒸镀的有机材料被击穿的概率，从而提高玻璃基板蒸镀良品率。
4.本发明通过以下技术方案实现：
5.本发明提供了一种掩膜版，包括掩膜版本体，所述掩膜版本体的端面设有若干凹槽。
6.在一可选的实施例中，所述掩膜版本体包括第一基体层和第二基体层；所述第一基体层设有若干通孔；所述第二基体层用于覆盖所述通孔的一端，以通过所述第二基体层覆盖所述通孔的一端围成所述凹槽。
7.在一可选的实施例中，所述第一基体层用于贴合玻璃基板或另一掩膜版。
8.在一可选的实施例中，所述第一基体层的材质为弱磁性金属。
9.在一可选的实施例中，所述第一基体层包括横向构体和纵向构体，所述横向构体和所述纵向构体均设有所述通孔。
10.在一可选的实施例中，所述横向构体和所述纵向构体连接处为实心构体。
11.在一可选的实施例中，所述横向构体用于与玻璃基板或另一掩膜版搭接的区域以及所述纵向构体端部均半刻处理。
12.在一可选的实施例中，所述第一基体层的厚度为0.05mm-0.1mm。
13.在一可选的实施例中，所述第二基体层的面积小于所述第一基体层的面积。
14.在一可选的实施例中，所述第一基体层包括横向构体和纵向构体，所述通孔设于所述横向构体上。
15.本发明具有的有益效果：
16.本发明提供的掩膜版，在掩膜版本体的端面设有若干凹槽，可减小掩膜版本体的重量，由于掩膜版在使用时，通过磁性隔板将其吸附在玻璃基板的下端面或玻璃基板下端上其他掩膜版的下端面，因此，能够减小磁性隔板吸附掩膜版后掩膜版与玻璃基板之间的压力，进而减小掩膜版与玻璃基板间的摩擦力，从而减小摩擦产生的静电量，以降低玻璃基
板上的电路层或者蒸镀的有机材料被击穿的概率，提高玻璃基板蒸镀良品率。
附图说明
17.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
18.图1为本发明一实施例掩膜版结构示意图；
19.图2为本发明一实施例掩膜版使用状态示意图；
20.图3为本发明一实施例掩膜版爆炸构示意图；
21.图4为本发明一实施例掩膜版爆炸结构示意图；
22.图5为本发明一实施例掩膜版爆炸结构示意图。
23.附图标记：
24.1-掩膜版本体，11-凹槽，12-第一基体层，121-通孔，122-横向构体，123-纵向构体，13-第二基体层，2-精细金属掩膜版，3-玻璃基板，4-磁性隔板。
具体实施方式
25.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
26.因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
27.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
28.在本技术实施例的描述中，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖向”、“纵向”、“侧向”、“水平”、“内”、“外”、“前”、“后”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
29.在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“开有”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
30.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相
互组合。
31.实施例1
32.结合附图1，本实施例提供了一种掩膜版，包括掩膜版本体1，掩膜版本体1的端面设有若干凹槽11。
33.应当理解的是，掩膜版本体1设置有供有机材料蒸汽通过的镂空孔，可掩膜版本体1的实心构体上设置凹槽11，从而减轻掩膜版本体1的重量。
34.需要说明的是，本实施例在掩膜版本体1上设置凹槽11目的，仅是减轻掩膜版本体1的重量，而凹槽11并不贯穿掩膜版本体1，不会影响掩膜版的功能。因此，凹槽11可设置在掩膜版本体1与玻璃基体或其他掩膜版接触的一面(上端面)、掩膜版结构面(下端面)或者掩膜版本体1两端面均设有凹槽11。
35.由于掩膜版厚度较小，难以通过常规的机械加工方式加工出凹槽11，可通过光刻、蚀刻等方式加工，而凹槽11的深度通常小于0.1mm，如0.05mm。
36.同时，掩膜版需要能够被磁性隔板4吸附在玻璃基板3或其他掩膜版上，需要能够被磁体吸附，通常采用弱磁性材料不锈钢或铁镍合金等。
37.综上，本实施例提供的掩膜版，在掩膜版本体1的端面设有若干凹槽11，可减小掩膜版本体1的重量。结合图2，由于掩膜版在使用时，通过磁性隔板4将其吸附在玻璃基板3的下端面或玻璃基板3下端上其他掩膜版的下端面并保持。
38.因此，本实施例能够在真空蒸镀时，减小掩膜版与玻璃基板3之间的压力，进而减小掩膜版与玻璃基板3间的摩擦力，从而减小摩擦产生的静电量，以降低玻璃基板3上的电路层或者蒸镀的有机材料被击穿的概率，提高玻璃基板3蒸镀良品率。
39.实施例2
40.结合附图3，本实施例提供了一种掩膜版，基于实施例1所记载的结构和原理，为便于加工，本实施例提供的掩膜版包括两基体层，即：
41.掩膜版本体1包括第一基体层12和第二基体层13；第一基体层12设有若干通孔121；第二基体层13用于覆盖通孔121的一端，以通过第二基体层13覆盖通孔121的一端围成凹槽11。
42.具体来说，在加工掩膜版时，先在第一基体层12上加工出多个通孔121，然后将第二基体层13覆盖在第一基体层12上加工有通孔121的地方，以形成一端具有凹槽11的掩膜版本体1，从而杜绝有机材料蒸汽从通孔121通过。
43.第二基体层13贴合在第一基体层12上，能够确保掩膜版本体1有足够拉伸强度，也可能与玻璃基板3或其他精细金属掩膜版2搭接遮挡。同时，通过第二基体层13贴合在第一基体层12上，可提高第一基体层12的平面度和整体的承接强度。
44.其中，为尽可能的减小掩膜版本体1的重量，第二基体层13的面积小于第一基体层12的面积，通常使得第二基体层13能完全覆盖即可。第一基体层12和第二基体层13的厚度尽可能的小，优选采用0.05mm-0.1mm厚度的金属片。
45.可以理解的是，为了尽可能减小掩膜版本体1与另一掩膜版或玻璃的接触面积，将掩膜版本体1设置凹槽11的一端面贴合在玻璃基板3或其他精细金属掩膜版2上，即第一基体层12用于贴合玻璃基板3或另一掩膜版。
46.优选的，基于第一基体层12用于贴合玻璃基板3或另一掩膜版，通常采用弱磁性材
料制成第一基体层12，如采用不锈钢(本领域常用304不锈钢)，而第二基体层13采用铁镍合金，以进一步减小真空蒸镀时掩膜版与玻璃基板3之间的压力。当然，也可以是，第一基体层12采用铁镍合金、第二基体层13采用不锈钢，或两层均采用不锈钢材质。
47.实施例3
48.结合图4，本实施例提供了一种掩膜版，基于实施例2所记载的结构和原理，作为掩膜版本体1的一个具体实施方式，第一基体层12包括横向构体122和纵向构体123，横向构体122和纵向构体123均设有通孔121，以最大化的减轻掩膜版本体1的重量。
49.其中，横向构体122和纵向构体123连接处为实心构体，以确保掩膜版本体1有足够的拉伸强度。
50.优选的，横向构体122用于与玻璃基板3或另一掩膜版搭接的区域以及纵向构体123端部均半刻处理，从而使玻璃基板3或另一掩膜版第一基体层12的表面平齐或另一掩膜版的高度略低于第一掩膜版高度，使得玻璃基板3或另一掩膜版入该掩膜版本体1，进而在使得磁性隔板4吸附掩膜版本体1的时候，进一步减小玻璃基板3或另一掩膜版下部与第一基体层12的压力。
51.实施例4
52.结合图4，本实施例提供了一种掩膜版，基于实施例3所记载的结构和原理，不同的是，通孔121设于横向构体122上，即仅在横向构体122上设置通孔121，以降低掩膜版本体1的加工难度。
53.结合图4和图5，需要解释的是，由于在有机材料蒸镀的过程中，主要是掩膜版的横向构体122与玻璃基板3接触，因此可仅在横向构体122上开口/镂空。相应的是，可仅通过单片第二基体层13贴合对应的通孔121即可，无需全部覆盖横向构体122。
54.以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，依据本发明的技术实质，在本发明的精神和原则之内，对以上实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等，均仍属于本发明技术方案的保护范围之内。