一种OLED发光模组及其制作方法和显示装置与流程

一种oled发光模组及其制作方法和显示装置
技术领域
1.本发明实施例涉及oled显示技术领域，尤其涉及一种oled发光模组及其制作方法和显示装置。


背景技术：

2.目前，顶发射或者透明有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)发光模组的阴极采用超薄镁-银金属复合电极，这种镁-银金属复合电极的面电阻较大，应用在显示装置中会使得显示效果均一性不佳，同时镁-银金属复合电极对水、氧等非常敏感，在后续膜层的制作中通入水、氧，镁-银金属复合电极会发生氧化反应，恶化oled发光模组性能。


技术实现要素：

3.本发明实施例提供的oled发光模组及其制作方法和显示装置，可以提高oled的发光均匀性，也可以提高阴极或阳极的抗氧化性。
4.第一方面，本发明实施例提供一种oled发光模组，该oled发光模组包括：
5.衬底；
6.第一电极层，所述第一电极层位于所述衬底的一侧，所述第一电极层具有透明性；
7.透光缓冲层，所述透光缓冲层位于所述第一电极层远离所述衬底的一侧；
8.第一透明导电层，所述第一透明导电层位于所述透光缓冲层远离所述第一电极层的一侧且与所述第一电极层连接。
9.可选的，本发明实施例提供的oled发光模组还包括驱动电路层、多个第二电极层、多个发光功能层、像素定义层、光学调节层和封装层；
10.所述驱动电路层位于所述衬底的一侧；
11.所述第二电极层位于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧；
12.所述发光功能层位于所述第二电极层远离所述驱动电路层的一侧；
13.所述像素定义层位于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，所述像素定义层包括多个开口，所述开口用于放置所述第二电极层和所述发光功能层；所述第一电极层位于所述发光功能层远离所述第二电极层的一侧；
14.所述光学调节层位于所述第一透明导电层远离所述透光缓冲层的一侧；
15.所述封装层位于所述光学调节层远离所述第一透明导电层的一侧。可选的，所述透光缓冲层在所述衬底上的垂直投影覆盖所述发光功能层在所述衬底上的垂直投影。
16.可选的，所述透光缓冲层包括多个呈阵列排布的透光缓冲子层；
17.所述透光缓冲子层与所述发光功能层一一对应；
18.所述透光缓冲子层在所述衬底上的垂直投影覆盖所述发光功能层在所述衬底上的垂直投影。可选的，本发明实施例提供的oled发光模组还包括导电搭接层；
19.所述导电搭接层与所述第二电极层位于所述驱动电路层的同一侧，所述第一电极
层与所述导电搭接层连接。
20.可选的，所述第一透明导电层的厚度范围包括10～100nm。
21.可选的，所述透光缓冲层的材料包括银、镁、钙、折射率大于1.6有机光电材料或折射率大于1.8的无机材料。
22.可选的，本发明实施例提供的oled发光模组还包括第二透明导电层；
23.所述第二透明导电层位于所述第一透明导电层远离所述透光缓冲层的一侧，所述第二透明导电层与所述第一透明导电层连接。
24.第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明任意实施例提供的oled发光模组。
25.第三方面，本发明实施例还提供了一种oled发光模组的制作方法，该制作方法包括：
26.提供一衬底；
27.在所述衬底的一侧制作第一电极层，其中，所述第一电极层具有透明性；
28.在所述第一电极层远离所述衬底的一侧制作透光缓冲层；
29.在所述透光缓冲层远离所述第一电极层的一侧制作第一透明导电层。
30.本发明实施例提供一种oled发光模组，设置第一透明导电层位于透光缓冲层远离第一电极层的一侧，第一透明导电层与第一电极层连接，相当于第一透明导电层与第一电极层并联，相比于第一电极层单独作为阴极，第一透明导电层与第一电极层构成阴极的电阻更小，因此，设置第一透明导电层提高了oled的发光均匀性。设置透光缓冲层位于第一电极层远离衬底的一侧，透光缓冲层可以保护第一电极层不易被氧化，从而提高了第一电极层的抗氧化性能。本发明实施例提供的oled发光模组，可以提高oled的发光均匀性，也可以提高阴极或阳极的抗氧化性。
附图说明
31.图1为本发明实施例提供的一种oled发光模组的结构示意图；
32.图2为本发明实施例提供的又一种oled发光模组的结构示意图；
33.图3为本发明实施例提供的又一种oled发光模组的结构示意图；
34.图4为本发明实施例提供的又一种oled发光模组的结构示意图；
35.图5为本发明实施例提供的又一种oled发光模组的结构示意图；
36.图6为本发明实施例提供的又一种oled发光模组的结构示意图；
37.图7为本发明实施例提供的又一种oled发光模组的结构示意图；
38.图8-11表示本实施例提供的不同的oled发光模组与现有的oled发光模组的实测结果示意图；
39.图12为本发明实施例提供的一种oled发光模组的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
40.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
41.图1为本发明实施例提供的一种oled发光模组的结构示意图，参考图1，该oled发光模组包括衬底110；第一电极层120，第一电极层120位于衬底110的一侧，第一电极层120具有透明性；透光缓冲层130，透光缓冲层130位于第一电极层120远离衬底110的一侧；第一透明导电层140，第一透明导电层140位于透光缓冲层130远离第一电极层120的一侧且与第一电极层120连接。
42.具体的，第一电极层120可以是阴极层，也可以是阳极层，本实施例以第一电极层120作为阴极层为例进行说明。第一电极层120的材料可以是镁-银合金，厚度可以是5～25nm，可以采用真空热蒸发的方法制作第一电极层120。第一透明导电层140的电阻率小于1.0
×
10-3
ω/cm2，第一透明导电层140的材料可以是azo(al2o
3-zno)、gzo(geo
2-zno)、izo(in2o
3-zno)、氧化铟锡或氮化钛。第一透明导电层140位于第一电极层120远离衬底110的一侧且与第一电极层120连接，即第一透明导电层140与第一电极层120并联，第一透明导电层140与第一电极层120并联后的电阻值小于第一电极层120的电阻值，第一透明导电层140与第一电极层120可以构成阴极，因此，设置第一透明导电层140可以降低阴极电阻，从而提高oled发光模组的发光均匀性，将本实施例提供的oled发光模组应用在显示装置中可以提高显示装置显示画面的均匀性。透光缓冲层130可以采用真空热蒸发的方法制作，透光缓冲层130可以具有导电性，也可以不具有导电性，图1所示的结构表示透光缓冲层130具有导电性，当透光缓冲层130具有导电性时，第一透明导电层140可以完全不与第一电极层120相邻，其次，当透光缓冲层130的具有导电性时，透光缓冲层130、第一电极层120及第一透明导电层140可以作为阴极，从而提高oled发光模组的发光均匀性。图2为本发明实施例提供的又一种oled发光模组的结构示意图，参考图2，图2所示的结构表示透光缓冲层130可以不具有导电性，当透光缓冲层130不具有导电性时，第一透明导电层140需要与第一电极层120部分相邻。采用ald(atomic layer deposition，原子层沉积)制作第一透明导电层140，在制作第一透明导电层140的过程中需要通入o3或水蒸气作为反应气体，若在第一电极层120远离衬底110的表面直接制作第一透明导电层140，第一电极层120通常会被氧化，因此，设置透光缓冲层130位于第一电极层120远离衬底110的一侧，可以降低第一电极层120与o3或水蒸气的发生反应的速率，从而保护第一电极层120不易被氧化。
43.本发明实施例提供一种oled发光模组，设置第一透明导电层位于透光缓冲层远离第一电极层的一侧，第一透明导电层与第一电极层连接，相当于第一透明导电层与第一电极层并联，相比于第一电极层单独作为阴极，第一透明导电层与第一电极层构成阴极的电阻更小，因此，设置第一透明导电层提高了oled发光模组的发光均匀性。设置透光缓冲层位于第一电极层远离衬底的一侧，透光缓冲层可以保护第一电极层不易被氧化，从而提高了第一电极层的抗氧化性能。本发明实施例提供的oled发光模组，可以提高oled的发光均匀性，也可以提高阴极或阳极的抗氧化性。
44.可选的，图3为本发明实施例提供的又一种oled发光模组的结构示意图，图4为本发明实施例提供的又一种oled发光模组的结构示意图，参考图3和图4，本实施例提供的oled发光模组还包括驱动电路层181、多个第二电极层150、多个发光功能层160、像素定义层182、光学调节层170和封装层180；驱动电路层181位于衬底110的一侧；第二电极层150位于驱动电路层181远离衬底110的一侧；发光功能层160位于第二电极层150远离驱动电路层181的一侧；像素定义层182位于驱动电路层181远离衬底110的一侧，像素定义层182包括多
个开口，开口用于放置第二电极层150和发光功能层160；第一电极层120位于发光功能层160远离第二电极层150的一侧；光学调节层170位于第一透明导电层140远离透光缓冲层130的一侧；封装层180位于光学调节层170远离第一透明导电层140的一侧。
45.具体的，图3所示的结构表示透光缓冲层130具有导电性，图4所示的结构表示透光缓冲层130可以不具有导电性。驱动电路层181用于控制发光功能层160发光，发光功能层160包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层依次层叠设置。若第二电极层150为阳极，则可以采用物理气相沉积、真空热蒸发或化学气相沉积等方式制作，且第二电极层150的材料可以包括银、铝、钼、铜、钛、镍、铬、钨、金或铟掺杂的氧化锡中的至少一种。第二电极层150可以是单层也可以是多层层叠结构。光学调节层170的材料可以是npb、tpd、cbp、氟化锂、硒化锌或硫化锌等。封装层180的厚度可以根据实际需求进行设置，封装层180用于保护第一透明导电层140、第一电极层120和发光功能层160等。
46.可选的，参考图1-图4的任一图，透光缓冲层130在衬底110上的垂直投影覆盖发光功能层160在衬底110上的垂直投影。
47.具体的，设置透光缓冲层130在衬底110上的垂直投影覆盖发光功能层160在衬底110上的垂直投影，是为了使透光缓冲层130保护发光功能层160，使发光功能层160不易被腐蚀，进而保证oled发光模组可以正常发光。透光缓冲层130在衬底110上的垂直投影覆盖发光功能层160在衬底110上的垂直投影，即透光缓冲层130在第一电极层120远离衬底110一侧可以整层铺设，整层铺设透光缓冲层130可以提高oled发光模组的制作效率。
48.图5为本发明实施例提供的又一种oled发光模组的结构示意图，图6为本发明实施例提供的又一种oled发光模组的结构示意图，参考图5和图6，透光缓冲层包括多个呈阵列排布的透光缓冲子层131；透光缓冲子层131与发光功能层160一一对应；透光缓冲子层131在衬底110上的垂直投影覆盖发光功能层160在衬底110上的垂直投影。
49.具体的，图5所示的结构表示透光缓冲子层131具有导电性，图6所示的结构表示透光缓冲子层131可以不具有导电性。将透光缓冲层设置成阵列的形式时，预留的旁边的非发光区域可以使ald制作的第一透明导电层140与第一电极层120电连接，能够更好的提高导电性能，也可以均匀分散第一透明导电层140和第一电极层120的接触点，降低压降。设置透光缓冲子层131与发光功能层160一一对应以及透光缓冲子层131在衬底110上的垂直投影覆盖发光功能层160在衬底110上的垂直投影，可以使每一透光缓冲子层131分别保护一发光功能层160不被腐蚀，从而保证oled发光模组可以正常发光。发光功能层160发出的光的颜色可以是红色、蓝色或绿色。
50.可选的，参考图3-图6中的任意一图，本实施例提供的oled发光模组还包括导电搭接层190；导电搭接层190与第二电极层150位于驱动电路层181的同一侧，第一电极层120与导电搭接层190连接。
51.具体的，导电搭接层190可以与电源连接，电源信号可以通过导电搭接层190传递至第一电极层120和第一透明导电层140中。
52.可选的，第一透明导电层的厚度范围包括10～100nm。
53.具体的，设置第一透明导电层的厚度为10～100nm，若第一透明导电层的厚度小于10nm，则第一透明导电层与第一电极层构成的阴极电阻仍较大，不能保证oled发光模组发
光的均匀性，若第一透明导电层的厚度设置的较厚，则采用ald制作的第一透明导电层的时间较长，影响oled发光模组的制作效率。因此，将第一透明导电层的厚度设置在10～100nm之间，既可以保证oled发光模组发光的均匀性，也可以提高oled发光模组的制作效率。
54.可选的，透光缓冲层的材料包括银、镁、钙、折射率大于1.6有机光电材料或折射率大于1.8的无机材料。
55.具体的，当透光缓冲层的材料为银、镁或钙时，透光缓冲层具有导电性，透光缓冲层的厚度可以设置在5～20nm的范围内，若透光缓冲层的厚度小于5nm，则提高第一电极层的抗氧化性较弱，若透光缓冲层的厚度大于20nm，则透光缓冲层的透光性能较差，因此，当透光缓冲层的材料为银、镁或钙时，将透光缓冲层的厚度设置在5～20nm的范围内，既可以提高第一电极层的抗氧化能性，也可以保证透光缓冲层的透光性。
56.当透光缓冲层的材料为折射率大于1.6的有机光电材料时，透光缓冲层的材料具体可以为npb、meo-tpd或cbp等，当透光缓冲层的材料为npb、meo-tpd或cbp时，透光缓冲层不具有导电性，透光缓冲层的厚度可以为30～100nm。
57.若透光缓冲层的材料为折射率大于1.8的无机材料，则透光缓冲层的材料具体可以为氟化锂、硒化锌或硫化锌等，当透光缓冲层的材料为氟化锂、硒化锌或硫化锌时，透光缓冲层不具有导电性，透光缓冲层的厚度可以为20～60nm，且透光缓冲层可以复用为光学调节层，设置透光缓冲层的材料为氟化锂、硒化锌或硫化锌时，无需在oled发光模组内设置光学调节层。
58.图7为本发明实施例提供的又一种oled发光模组的结构示意图，参考图7，本发明实施例提供的oled发光模组还包括第二透明导电层141；第二透明导电层141位于第一透明导电层140远离透光缓冲层130的一侧，第二透明导电层141与第一透明导电层140连接。
59.具体的，光学调节层170位于第二透明导电层141远离第一透明导电层140的一侧，第二透明导电层141可以采用溅射法制作，相比于ald，溅射法的制作效率更高。若第一透明导电层140采用溅射法制作，则在制作第一透明导电层140的过程中，透光缓冲层130及第一电极层120会受到损坏。在第一透明导电层140远离透光缓冲层130的一侧采用溅射法制作第二透明导电层141既可以保护透光缓冲层130及第一电极层120不被损坏，也可以将第一电极层120、第一透明导电层140和第二透明导电层141作为阴极，降低阴极电阻，提高oled发光模组的发光均匀性。第一透明导电层140的厚度可以是10～100nm，第二透明导电层141的厚度可以是100～500nm。
60.图8-图11表示本实施例提供的不同的oled发光模组与现有的oled发光模组的实测结果示意图，参考图8-图11，图8-图11中的曲线a表示现有技术中的oled发光模组，现有技术中的oled发光模组包括衬底、第二电极层、发光功能层以及第一电极层，图8-图11中的曲线b表示本实施例中提供的一种oled发光模组，将该oled发光模组记为第一oled发光模组，该oled发光模组包括衬底、第二电极层、发光功能层、第一电极层以及第一透明导电层，图8-图11中的曲线c表示本实施例中提供的又一种oled发光模组，将该oled发光模组记为第二oled发光模组，该oled发光模组包括衬底、第二电极层、发光功能层、第一电极层、透光缓冲层以及第一透明导电层，其中，透光缓冲层的材料为钙，图8-图11中的曲线d表示本实施例中提供的又一种oled发光模组，将该oled发光模组记为第三oled发光模组，该oled发光模组包括衬底、第二电极层、发光功能层、第一电极层、透光缓冲层以及第一透明导电层，
其中，透光缓冲层的材料为npb，图8中的横坐标表示电压，图8中的纵坐标表示亮度，图9中的横坐标表示亮度，图9中的纵坐标表示电流效率，图10中的横坐标表示波长，图10中的纵坐标表示归一化发光强度，图11中的横坐标表示时间，图11中的纵坐标表示亮度。
61.下表为不同的器件的参数表：
[0062][0063]
分析图8-图11以及上表的参数，可以看出，设置透光缓冲层的oled发光模组(第二oled发光模组和第三oled发光模组)的性能优于未设置透光缓冲层的oled发光模组(第一oled发光模组)的性能，也优于现有技术的oled发光模组的性能。
[0064]
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明任意实施例提供的oled发光模组。
[0065]
图12为本发明实施例提供的一种oled发光模组的制作方法的流程示意图，参考图12，该制作方法包括如下步骤：
[0066]
s110、提供一衬底。
[0067]
s120、在衬底的一侧制作第一电极层，其中，第一电极层具有透明性。
[0068]
s130、在第一电极层远离衬底的一侧制作透光缓冲层。
[0069]
s140、在透光缓冲层远离第一电极层的一侧制作第一透明导电层。
[0070]
本实施例提供的oled发光模组的制作方法与本发明任意实施例提供的oled发光模组属于相同的发明构思，具有相应的有益效果，未在本实施例详尽的技术细节，详尽本发明任意实施例提供的oled发光模组。
[0071]
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行
了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。