一种平面接触式平台改善装置的制作方法

1.本实用新型涉及一种平面接触式平台改善装置，可用于半导体封装测试技术领域。


背景技术：

2.晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。
3.晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。
4.晶圆封装前端制程：贴片
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磨片
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ocr
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镭射预切割
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机械切割，经过磨片后的产品经平面接触式平台站需作业员手动拿取晶圆置于平面接触式平台上扫描并贴条形码便于晶圆身份识别。
5.现有技术中，当前做法的不足之处：平面接触式平台，工作人员作业时晶圆背面（研磨后）直接与桌面接触，会有如下两个问题：1.如桌面表面有突起，工作人员作业时移动晶圆会有刮伤和顶破片风险；2.如桌面表面有异物，则易使异物吸附于晶圆背面流入下一站（切割站），在建立真空时易导致硅片碎掉或暗裂，容易带来高风险。


技术实现要素：

6.本实用新型的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提出一种平面接触式平台改善装置。
7.本实用新型的目的将通过以下技术方案得以实现：一种平面接触式平台改善装置， 包括旋转平台、限位柱和旋转轴，所述旋转轴贯穿设置于所述旋转平台的中部，所述旋转平台为阶梯镂空式旋转平台，所述旋转平台为倒u型，
8.所述限位柱包括第一限位柱和第二限位柱，所述第一限位柱和第二限位柱设置在旋转平台的左右两边，该装置还包括第一阶梯、第二阶梯、第三阶梯和第四阶梯，所述第一阶梯和第二阶梯具有高度差，所述第三阶梯和第四阶梯具有高度差，所述第一阶梯和第四阶梯的高度相等，所述第二阶梯和第三阶梯的高度相等。
9.优选地，所述第一限位柱和第二限位柱之间设置有铁圈。
10.优选地，所述第一限位柱和第二限位柱的大小、形状均一致。
11.优选地，所述第一阶梯和第四阶梯的宽度一致。
12.优选地，所述第二阶梯和第三阶梯的宽度一致。
13.优选地，所述第一阶梯和第四阶梯的高度为1.2cm。
14.优选地，所述旋转平台的深度为1.8cm。
15.优选地，所述旋转平台的宽度为7.5cm。
16.本实用新型技术方案的优点主要体现在：本技术方案采用镂空式平台与现有的接触式平台相比：1.减少了晶圆与载具的直接接触，降低了晶圆破片和暗裂的几率；2.尺寸限位，减少晶圆在平台上的活动空间，稳定性高；3.旋转式平台，材料与治具一体化移动，避免了人员移动操作时，晶圆与平台摩擦导致刮伤的风险。
17.本技术方案解决了现有技术中如桌面表面有突起，工作人员作业时移动晶圆会有刮伤和顶破片风险；如桌面表面有异物，则易使异物吸附于晶圆背面流入下一站（切割站），在建立真空时易导致硅片碎掉或暗裂，容易带来高风险的综合问题。
附图说明
18.图1为本实用新型的一种平面接触式平台改善装置的俯视图。
19.图2为本实用新型的一种平面接触式平台改善装置的正视图。
具体实施方式
20.本实用新型的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本实用新型技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本实用新型要求保护的范围之内。
21.本实用新型揭示了一种平面接触式平台改善装置，如图1和图2所示，该平面接触式平台改善装置，包括旋转平台1、限位柱和旋转轴2，所述旋转轴2贯穿设置于所述旋转平台的中部，所述旋转平台1为阶梯镂空式旋转平台，所述旋转平台1为倒u型，所述旋转平台1的深度为1.8cm，所述旋转平台1的宽度为7.5cm。
22.所述限位柱包括第一限位柱3和第二限位柱4，所述第一限位柱3和第二限位柱4设置在旋转平台1的左右两边，所述第一限位柱10和第二限位柱20之间设置有铁圈，所述第一限位柱10和第二限位柱20能够限制铁圈活动，铁圈中间设置有一层膜，用于放置晶圆。
23.该装置还包括第一阶梯10、第二阶梯20、第三阶梯30和第四阶梯40，所述第一阶梯10和第二阶梯20具有高度差，所述第三阶梯30和第四阶梯40具有高度差，所述第一阶梯10和第四阶梯40的高度相等，所述第二阶梯20和第三阶梯30的高度相等。
24.所述第一限位柱10和第二限位柱20的大小、形状均一致，所述第一阶梯10和第四阶梯40的宽度一致，所述第二阶梯20和第三阶梯30的宽度一致。所述第一阶梯10和第四阶梯40的高度为1.2cm。
25.本技术方案将原本接触式平台设计成阶梯镂空式，对应于8/12 晶圆尺寸尺寸，晶圆放置时被抬高，底部悬空不接触平台，原本固定的桌面，底部加旋转轴，作业时便于人员转动操作。
26.本技术方案采用镂空式平台与现有的接触式平台相比：1.减少了晶圆与载具的直接接触，降低了晶圆破片和暗裂的几率；2.尺寸限位，减少晶圆在平台上的活动空间，稳定性高；3.旋转式平台，材料与治具一体化移动，避免了人员移动操作时，晶圆与平台摩擦导致刮伤的风险。
27.本技术方案解决了现有技术中如桌面表面有突起，工作人员作业时移动晶圆会有刮伤和顶破片风险；如桌面表面有异物，则易使异物吸附于晶圆背面流入下一站（切割站），
在建立真空时易导致硅片碎掉或暗裂，容易带来高风险的综合问题。
28.本实用新型尚有多种实施方式，凡采用等同变换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种平面接触式平台改善装置，其特征在于：包括旋转平台（1）、限位柱和旋转轴（2），所述旋转轴（2）贯穿设置于所述旋转平台的中部，所述旋转平台（1）为阶梯镂空式旋转平台，所述旋转平台（1）为倒u型，所述限位柱包括第一限位柱（3）和第二限位柱（4），所述第一限位柱（3）和第二限位柱（4）设置在旋转平台（1）的左右两边，该装置还包括第一阶梯（10）、第二阶梯（20）、第三阶梯（30）和第四阶梯（40），所述第一阶梯（10）和第二阶梯（20）具有高度差，所述第三阶梯（30）和第四阶梯（40）具有高度差，所述第一阶梯（10）和第四阶梯（40）的高度相等，所述第二阶梯（20）和第三阶梯（30）的高度相等。2.根据权利要求1所述的一种平面接触式平台改善装置，其特征在于：所述第一限位柱（3）和第二限位柱（4）之间设置有铁圈。3.根据权利要求1所述的一种平面接触式平台改善装置，其特征在于：所述第一限位柱（3）和第二限位柱（4）的大小、形状均一致。4.根据权利要求1所述的一种平面接触式平台改善装置，其特征在于：所述第一阶梯（10）和第四阶梯（40）的宽度一致。5.根据权利要求1所述的一种平面接触式平台改善装置，其特征在于：所述第二阶梯（20）和第三阶梯（30）的宽度一致。6.根据权利要求1所述的一种平面接触式平台改善装置，其特征在于：所述第一阶梯（10）和第四阶梯（40）的高度为1.2cm。7.根据权利要求1所述的一种平面接触式平台改善装置，其特征在于：所述旋转平台（1）的深度为1.8cm。8.根据权利要求1所述的一种平面接触式平台改善装置，其特征在于：所述旋转平台（1）的宽度为7.5cm。

技术总结
本实用新型揭示了一种平面接触式平台改善装置，该装置包括旋转平台、限位柱和旋转轴，旋转轴贯穿设置于所述旋转平台的中部，旋转平台为阶梯镂空式旋转平台，旋转平台为倒U型，限位柱包括第一限位柱和第二限位柱，第一限位柱和第二限位柱设置在旋转平台的左右两边，该装置还包括第一阶梯、第二阶梯、第三阶梯和第四阶梯，第一阶梯和第二阶梯具有高度差。本技术方案采用镂空式平台与现有的接触式平台相比：1.减少了晶圆与载具的直接接触，降低了晶圆破片和暗裂的几率；2.尺寸限位，减少晶圆在平台上的活动空间，稳定性高；3.旋转式平台，材料与治具一体化移动，避免了人员移动操作时，晶圆与平台摩擦导致刮伤的风险。与平台摩擦导致刮伤的风险。与平台摩擦导致刮伤的风险。


技术研发人员：陈育仁 刘凌翔 秦锦峰
受保护的技术使用者：矽品科技（苏州）有限公司
技术研发日：2021.10.15
技术公布日：2022/5/25