霍尔传感器封装方法及霍尔传感器与流程

1.本技术涉及霍尔传感器制造技术领域，特别是涉及一种霍尔传感器封装方法及霍尔传感器。


背景技术：

2.霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。常规的霍尔传感器只能感应垂直通过霍尔敏感区域的磁场变化，而无法感应水平通过的磁场变化。通过在霍尔芯片的有源表面设置集磁片，能够实现对上述两个方向的磁场的感应，从而增大霍尔传感器的应用范围。目前采用电镀或溅射的方式将集磁片施加到霍尔芯片的有源表面，工艺过程复杂。


技术实现要素：

3.基于此，针对目前将集磁片施加到霍尔芯片的有源表面的工艺过程复杂的问题，有必要提供一种霍尔传感器封装方法，有助于简化上述工艺过程。
4.根据本技术的一个方面，提供一种霍尔传感器封装方法，所述霍尔传感器包括霍尔芯片，所述霍尔传感器封装方法包括以下步骤：
5.采用贴装工艺将集磁片设置于所述霍尔芯片的有源表面上的预设位置；其中，所述集磁片的材料为软磁合金；
6.固化并包封贴装后的所述集磁片。
7.在其中一个实施例中，所述采用贴装工艺将集磁片设置于所述霍尔芯片的有源表面上的预设位置具体包括：
8.通过点胶工艺将绝缘胶设置于所述霍尔芯片的有源表面上的所述预设位置；
9.利用真空吸附将所述集磁片放置于所述霍尔芯片的有源表面上设有所述绝缘胶的所述预设位置。
10.在其中一个实施例中，所述采用贴装工艺将集磁片设置于所述霍尔芯片的有源表面上的预设位置之前还包括：
11.采用预设工艺对集磁片带材进行切割，以得到所述集磁片。
12.在其中一个实施例中，所述预设工艺包括线切割或冲切中的一种。
13.在其中一个实施例中，所述采用预设工艺对集磁片带材进行切割，以得到所述集磁片之后还包括：
14.对切割得到的所述集磁片进行清洗。
15.在其中一个实施例中，所述采用预设工艺对集磁片带材进行切割，以得到所述集磁片之后还包括：
16.将所述集磁片有序定向排列。
17.在其中一个实施例中，所述集磁片的材料为硅钢或坡莫合金。
18.在其中一个实施例中，所述集磁片在所述霍尔芯片的有源表面上的正投影形状为八边形。
19.在其中一个实施例中，所述集磁片的厚度为0.2mm～0.5mm。
20.根据本技术的另一个方面，还提供一种霍尔传感器，采用如上述任一项所述的霍尔传感器封装方法制作得到。
21.上述霍尔传感器封装方法采用软磁合金材料的集磁片，利用贴装工艺将集磁片设置于霍尔芯片的有源表面上的预设位置，替代了目前采用电镀或溅射的实现方式，避免了电镀工艺对化学药水浓度等参数以及对成品电镀厚度的控制以及溅射工艺对靶材的品质要求，简化了将集磁片施加到霍尔芯片的有源表面的工艺过程。
附图说明
22.图1为本技术一个实施例中霍尔传感器封装方法的流程示意图；
23.图2为本技术一个实施例中霍尔传感器的结构示意图；
24.图3为本技术另一个实施例中霍尔传感器的结构示意图；
25.图4为本技术另一个实施例中霍尔传感器封装方法的流程示意图；
26.图5为本技术一个实施例中的霍尔传感器的磁场转换示意图。
27.附图标记说明：
28.1、引线框架；2、霍尔芯片；21、霍尔元件；3、集磁片。
具体实施方式
29.为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
30.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
31.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
32.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
33.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示
第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
34.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
35.霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。根据霍尔效应原理，从霍尔元件的控制电流端通入电流，并在霍尔元件平面的法线方向上施加磁感应强度为b的磁场，那么在垂直于电流和磁场方向(即霍尔输出端之间)，将产生一个电势vh，称其为霍尔电势，其大小正比于控制电流与磁感应强度的乘积。
36.常规的霍尔传感器只能感应垂直通过霍尔敏感区域的磁场变化，而无法感应水平通过的磁场变化。通过在霍尔芯片的有源表面设置集磁片，可以基于边缘效应将水平方向的磁场转换为竖直方向的磁场，使霍尔传感器能够实现对上述两个方向的磁场的感应，从而增大霍尔传感器的应用范围。相关技术中采用电镀或溅射的方式将集磁片施加到霍尔芯片的有源表面，工艺过程复杂。
37.本技术发明人注意到，电镀方法需要对化学药水浓度、生产线药水温度、药水腐蚀的时间以及成品电镀厚度进行控制，工艺过程复杂而且成品率低。且电镀方法涉及化学药水和重金属污染，不符合绿色环保要求。溅射方法需要特殊的高纯度靶材，靶材溅射薄膜的品质要求苛刻，比如大尺寸、细晶粒和低偏析，这些要求靶材有更好的微观结构，所以工艺过程复杂且成本高。
38.针对上述问题，本技术实施例提供了一种霍尔传感器封装方法及霍尔传感器，有助于简化将集磁片施加到霍尔芯片的有源表面的工艺过程。应当说明的是，本技术的工艺步骤是在霍尔芯片贴装并焊接至引线框架后进行的，由于从晶圆得到霍尔芯片以及将霍尔芯片贴装并焊接至引线框架的工艺步骤均属于半导体封装的常规流程，且不是本技术实施例所要求保护的重点，在此不过多赘述。
39.图1示出了本技术一个实施例中霍尔传感器封装方法的流程示意图。
40.在一些实施例中，参见图1，本技术实施例提供了一种霍尔传感器封装方法，霍尔传感器包括霍尔芯片，该方法包括以下步骤：
41.s101、采用贴装工艺将集磁片设置于霍尔芯片的有源表面上的预设位置；其中，集磁片的材料为软磁合金。
42.结合霍尔传感器的结构进行说明，参阅图2和图3，霍尔传感器包括引线框架1、霍尔芯片2和集磁片3。霍尔芯片2的有源表面上集成有至少一个霍尔单元，每个霍尔单元包括两个霍尔元件21，与霍尔芯片2的有源表面相反的背表面贴装于引线框架1。该霍尔传感器通过在霍尔芯片2的有源表面设置集磁片3，可以基于边缘效应将水平方向的磁场转换为竖直方向的磁场，使霍尔传感器能够实现对上述两个方向的磁场的感应，从而增大霍尔传感器的应用范围。霍尔元件21的数量、排布以及集磁片3的形状、数量和排布根据实际需要设置，本技术实施例对此不作具体限定。
43.例如，参阅图2和图3，在一些实施例中，霍尔芯片2的有源表面上集成有两个霍尔
元件21，集磁片3的数量为两个，两个集磁片3相互对称设置，两个集磁片3相对的边缘之间存在一定间隙。当外界磁场消失时，两个集磁片3的剩磁可以在间隙处相互抵消，避免磁场干扰，从而保证霍尔传感器的检测精度。
44.集磁片在霍尔芯片的有源表面上的预设位置，需根据霍尔芯片上霍尔元件的中心位置以及集磁片的尺寸、形状、数量相对设置，使设置于预设位置的集磁片具有较强的边缘效应，以使得更多水平方向的磁场转换为竖直方向的磁场，从而增大霍尔传感器的测量量程。具体到图2所示的实施例中，两个集磁片3之间的距离为d1，集磁片3的边缘位置与霍尔元件21的中心位置的距离为d2，在放置集磁片时需要满足上述的相对位置关系。
45.优选地，两个集磁片3之间的距离d1控制在0.3mm～1mm的范围内，可最大化的转化水平磁场分量，进而提高霍尔传感器的检测量程。另外，还可以使得集磁片的剩磁更彻底地在间隙处相互抵消，避免磁场干扰，从而保证霍尔传感器的检测精度。优选地，集磁片3的边缘位置与霍尔元件21的中心位置的距离d2控制在0.07mm～0.2mm范围内，可最大化的转化水平磁场分量，进而提高霍尔传感器的检测量程。
46.软磁合金材料的集磁片可采用物理方式制备，并且能够良好地适用于贴装工艺，同时由于软磁合金具有较高的磁导率，使用软磁合金材料的集磁片有助于提高霍尔传感器的量程。而且，较高的磁导率还避免了由于集磁片的磁饱和引起的温度集中以及应力集中等现象，保证了霍尔传感器的测量精度以及测量稳定性。此外，采用电镀或溅射方式施加的集磁片由于检测量程较小，往往将集磁片截断以提高检测量程，而本技术采用软磁合金材料的集磁片，利用软磁合金材料的高导磁率即可满足大量程的需求。因此，本技术实施例中的霍尔传感器封装方法无需对集磁片进行截断处理，进一步简化了工艺过程。
47.优选地，集磁片的材料为硅钢或坡莫合金。硅钢的饱和磁感应强度能够达到2000mt、矫顽力可以达到40a/m、初始导磁率为1500h/m、最大导磁率达到20000h/m、电阻率达到50μω/cm、居里温度可以达到750k。坡莫合金的饱和磁感应强度能够达到740mt、矫顽力可以达到2.4a/m、初始导磁率为40000h/m、最大导磁率达到200000h/m、电阻率达到60μω/cm、居里温度可以达到450k。采用硅钢或坡莫合金制备得到的集磁片用于霍尔传感器封装工艺，能够获得检测量程大、测量精度高、测量稳定性好的霍尔传感器。
48.s102、固化并包封贴装后的集磁片。
49.具体地，固化处理使贴装后的集磁片与霍尔芯片紧密连接，再通过包封处理将引线框架、霍尔芯片和集磁片通过树脂包裹在一起，起到防潮、隔离、保护的作用。在一些实施例中，包封处理包括塑封、塑封后烘烤、切筋成型、打印、测试、包装等步骤，属于半导体封装的常规流程，在此不过多赘述。
50.上述霍尔传感器封装方法采用软磁合金材料的集磁片，利用贴装工艺将集磁片设置于霍尔芯片的有源表面上的预设位置，替代了目前采用电镀或溅射的实现方式，避免了电镀工艺对化学药水浓度等参数以及对成品电镀厚度的控制以及溅射工艺对靶材的品质要求，简化了将集磁片施加到霍尔芯片的有源表面的工艺过程。
51.图4示出了本技术另一个实施例中霍尔传感器封装方法的流程示意图。
52.参见图4，本技术实施例提供了一种霍尔传感器封装方法，霍尔传感器包括霍尔芯片，该方法包括如下步骤：
53.s201、采用预设工艺对集磁片带材进行切割，以得到集磁片；其中，集磁片的材料
为软磁合金。
54.具体地，通过对集磁片带材进行切割，可以得到厚度统一、形状和尺寸符合要求的集磁片，实现集磁片的高效量产。可以理解，集磁片带材的厚度应与集磁片的目标厚度一致。并且，由于切割属于物理制备方式，避免了化学药水和重金属污染，具有良好的环保性。优选地，集磁片带材可以为硅钢带材或者坡莫合金带材。
55.作为一种优选的实施方式，对集磁片带材进行切割所采用的预设工艺为线切割。线切割的适用范围广，只要是导电材料均可加工，而与材料的厚度，尺寸和硬度无关。且无需特殊工具(例如冲切所需要的目标形状的冲切模)，只需在线切割设备上输入预设切割路径，即可高精度地加工复杂的形状。同时由于线切割是非接触过程，因此材料上的负载不会太大，并且热变形也很小。具体地，采用直径0.2mm的钼丝，设置线切割速度为1～2m/s，切割一次完成。此外，对集磁片带材进行切割所采用的预设工艺也可为冲切，通过目标形状的冲切模，可实现集磁片的高效量产。
56.s202、对切割得到的集磁片进行清洗。
57.具体地，通过清洗切割得到的集磁片能够去除油污和切割残留的切屑，避免其对霍尔传感器的封装和性能产生影响。优选地，可采用超声清洗的方式，利用超声波在液体中的空化作用、加速作用及直进流作用对液体和污物直接、间接作用，使污物层被分散、乳化、剥离而达到清洗目的，超声清洗的效率高、效果好。
58.s203、将集磁片有序定向排列。
59.具体地，通过将集磁片有序定向排序，有助于后续贴装工艺过程中快速、精准拾取单颗的集磁片，从而提高集磁片的贴装效率。优选地，采用柔性振动盘进行集磁片的有序定向排序，将散装的多个集磁片倒入柔性振动盘，设定振动频率为50～140hz、20pcs/s，柔性振动盘通过自动化振动筛选使集磁片落到真空吸附的上料托盘中，保证上料托盘的每个穴位都有一颗集磁片被吸附，其它没有被吸附的集磁片被去除掉，可用于下一次集磁片的定向排列。柔性振动盘适用于对不同的规格的集磁片有序定向排序，且避免了卡料。
60.s204、通过点胶工艺将绝缘胶设置于霍尔芯片的有源表面上的预设位置；利用真空吸附将集磁片放置于霍尔芯片的有源表面上设有绝缘胶的预设位置。
61.在该实施例中，采用贴装工艺将集磁片设置于霍尔芯片的有源表面上的预设位置具体包括：通过点胶工艺将绝缘胶设置于霍尔芯片的有源表面上的预设位置；利用真空吸附将集磁片放置于霍尔芯片的有源表面上设有绝缘胶的预设位置。绝缘胶的牌号可选用84-3j或者en-4900gn3。上述点胶工艺以及真空吸附均可使用常规的贴片设备去完成，实现高效率量产贴装集磁片，有效降低成本。
62.作为一种优选的实施方式，可以使用半导体装片机(die bonder)进行集磁片的贴装，利用半导体装片机的点胶头将绝缘胶设置于霍尔芯片的有源表面上的预设位置，利用真空拾取头吸附单颗的集磁片，并把集磁片放置于霍尔芯片的有源表面上设有绝缘胶的预设位置。半导体装片机能够保证贴装垂直角度小于5
°
，即引线框架平面和被贴装的集磁片平面之间的夹角角度小于5
°
。借助半导体装片机的光学识别功能，还能够保证集磁片放置位置公差在
±
30um，保证了较高的贴装精度。除了使用半导体装片机进行集磁片的贴装，也可以使用表面贴装(smt)设备去实现，能够保证使用需求即可，本技术实施例对此不作具体限定。
63.s205、固化并包封贴装后的集磁片。
64.具体地，上述步骤的具体过程，可参考前述实施例的内容，此处不再赘述。特别指出针对绝缘胶，优选采用烘烤固化的方式，实现集磁片的快速固定。
65.在一些实施例中，集磁片的材料为取向硅钢。冷轧硅钢根据内部晶粒朝向分为取向硅钢和无取向硅钢。取向硅钢的晶粒基本朝一个方向，且含硅量较高，无取向硅钢晶粒分布杂乱无章，含硅量较低。与无取向硅钢相比，取向硅钢的铁损更低，磁性具有强烈的方向性，并且在其轧制方向上具有优越的高磁导率与低损耗特性。取向硅钢制备得到的集磁片也相应地在取向方向上具有高磁导率与低损耗的特性。优选地，在放置集磁片时，将集磁片的取向方向设置为与需要转换的磁场水平分量的方向一致，有助于增强集磁片的边缘效应，使得更多水平方向的磁场转换为竖直方向的磁场，从而增大霍尔传感器的测量量程。
66.图5示出了本技术一个实施例中的霍尔传感器的磁场转换示意图。当霍尔传感器用于测量电流时，集磁片设定在xz轴坐标平面，待测电流产生磁场b时，产生相对于集磁片的水平磁场x分量，集磁片则可以基于边缘效应将通过其上霍尔元件的水平磁场x分量转换为竖直的磁场b-y，霍尔元件即可检测到竖直磁场分量，进而检测到产生磁场变化的电流大小。在图5所示的实施例中，集磁片的取向方向与x轴平行，有助于增强集磁片的边缘效应，使得更多水平磁场x分量的磁场转换为竖直方向的磁场b-y，从而增大霍尔传感器的测量量程。
67.在一些实施例中，参阅图2和图3，集磁片在霍尔芯片的有源表面上的正投影形状为八边形，其中四个边为短边对称设置，四个边为长边对称设置。八边形的集磁片无尖角且加工时不易产生毛刺，避免了毛刺对霍尔传感器的封装和性能的影响。八边形的集磁片易于加工，有多种加工方式。例如，采用线切割按照预设路径加工，可一次切割完成。又例如，采用八边形的冲切模，也可一次切割完成。此外，还可将集磁片原材料先加工成正方形，再对直角进行倒角，也能够简单制得。
68.图2和图3提供了两种八边形集磁片的排布方式。在图2所示的实施例中，集磁片3的竖直方向的长边沿y轴设置，集磁片3的水平方向的长边沿x轴设置，两个集磁片3相对于x轴对称设置。两个霍尔元件21相对于x轴对称设置，并且分别位于两个集磁片3的长边上。在图3所示的实施例中，集磁片3的竖直方向的短边沿y轴设置，集磁片3的水平方向的短边沿x轴设置，两个集磁片3相对于x轴对称设置。两个霍尔元件21相对于x轴对称设置，并且分别位于两个集磁片3的短边上。经过检验，图3所示的集磁片的磁场转化率明显高于图2所示的集磁片的磁场转化率。
69.在一些实施例中，集磁片的厚度为0.2mm～0.5mm，厚度处于该数值范围内可以增强集磁片的边缘效应，使得更多水平方向的磁场转换为竖直方向的磁场，从而增大霍尔传感器的测量量程。例如，在实际应用中，通过实验最优地，集磁片的厚度为0.26毫米。另外，在一些实施例中，例如图2或图3的实施例，一个霍尔芯片的有源表面上对称设置有多个集磁片，多个集磁片的厚度相同，使得这些集磁片可以产生相同的作用，并抵消剩磁，提高霍尔传感器的检测精度。
70.需要说明的是，上述阐述的一些技术方案在实际实施过程中可以作为独立实施例来实施，也可以彼此之间进行组合并作为组合实施例实施。例如，一个霍尔芯片的有源表面上对称设置有多个集磁片时，采用预设工艺对集磁片带材进行切割得到集磁片，从而能够
方便地得到厚度相等的集磁片，有助于抵消剩磁。又例如，图2所示实施例中，当需要将两个集磁片3之间的距离d1控制在0.3mm～1mm的范围内，将集磁片3的边缘位置与霍尔元件21的中心位置的距离d2控制在0.07mm～0.2mm范围内时，采用半导体装片机进行集磁片的贴装操作，通过光学识别功能能够有效保证上述尺寸位置要求，从而得到检测量程大、检测精度高的霍尔传感器。上述阐述的一些技术方案为示例性的方案，具体如何进行组合来实施，可以根据实际需要来进行选择，本技术实施例不作具体地限制。
71.另外，在对上述本技术实施例内容进行阐述时，仅基于方便阐述的思路，按照相应顺序对不同实施例进行阐述，如按照实际实施过程中的要求预设的顺序，而并非是对不同实施例之间的执行顺序进行限定。相应地，在实际实施过程中，若需要实施本技术实施例提供的多个实施例，则不一定需要按照本发明阐述实施例时所提供的执行顺序，而是可以根据需求安排不同实施例之间的执行顺序。
72.基于同一发明构思，本技术实施例还提供了一种霍尔传感器，采用如上述实施例中的霍尔传感器封装方法制作得到。
73.综上所述，本技术实施例提供的霍尔传感器封装方法采用软磁合金材料的集磁片，利用贴装工艺将集磁片设置于霍尔芯片的有源表面上的预设位置，替代了目前采用电镀或溅射的实现方式，避免了电镀工艺对化学药水浓度等参数以及对成品电镀厚度的控制以及溅射工艺对靶材的品质。本技术的霍尔传感器封装方法制备得到的霍尔传感器检测量程大，测量精度以及测量稳定性好。
74.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
75.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本专利的保护范围应以所附权利要求为准。

技术特征：
1.一种霍尔传感器封装方法，所述霍尔传感器包括霍尔芯片，其特征在于，包括以下步骤：采用贴装工艺将集磁片设置于所述霍尔芯片的有源表面上的预设位置；其中，所述集磁片的材料为软磁合金；固化并包封贴装后的所述集磁片。2.根据权利要求1所述的霍尔传感器封装方法，其特征在于，所述采用贴装工艺将集磁片设置于所述霍尔芯片的有源表面上的预设位置具体包括：通过点胶工艺将绝缘胶设置于所述霍尔芯片的有源表面上的所述预设位置；利用真空吸附将所述集磁片放置于所述霍尔芯片的有源表面上设有所述绝缘胶的所述预设位置。3.根据权利要求1所述的霍尔传感器封装方法，其特征在于，所述采用贴装工艺将集磁片设置于所述霍尔芯片的有源表面上的预设位置之前还包括：采用预设工艺对集磁片带材进行切割，以得到所述集磁片。4.根据权利要求3所述的霍尔传感器封装方法，其特征在于，所述预设工艺包括线切割或冲切中的一种。5.根据权利要求3所述的霍尔传感器封装方法，其特征在于，所述采用预设工艺对集磁片带材进行切割，以得到所述集磁片之后还包括：对切割得到的所述集磁片进行清洗。6.根据权利要求3所述的霍尔传感器封装方法，其特征在于，所述采用预设工艺对集磁片带材进行切割，以得到所述集磁片之后还包括：将所述集磁片有序定向排列。7.根据权利要求1至6任一项所述的霍尔传感器封装方法，其特征在于，所述集磁片的材料为硅钢或坡莫合金。8.根据权利要求1至6任一项所述的霍尔传感器封装方法，其特征在于，所述集磁片在所述霍尔芯片的有源表面上的正投影形状为八边形。9.根据权利要求1至6任一项所述的霍尔传感器封装方法，其特征在于，所述集磁片的厚度为0.2mm～0.5mm。10.一种霍尔传感器，其特征在于，采用如权利要求1至9任一项所述的霍尔传感器封装方法制作得到。

技术总结
本申请涉及一种霍尔传感器封装方法及霍尔传感器，所述霍尔传感器包括霍尔芯片，其特征在于，包括以下步骤：采用贴装工艺将集磁片设置于所述霍尔芯片的有源表面上的预设位置；其中，所述集磁片的材料为软磁合金；固化并包封贴装后的所述集磁片。上述霍尔传感器封装方法采用软磁材料的集磁片，利用贴装工艺将集磁片设置于霍尔芯片的有源表面上的预设位置，替代了目前采用电镀或溅射的实现方式，避免了电镀工艺对化学药水浓度等参数以及对成品电镀厚度的控制以及溅射工艺对靶材的品质要求，简化了将集磁片施加到霍尔芯片的有源表面的工艺过程。艺过程。艺过程。


技术研发人员：王雄星
受保护的技术使用者：江苏兴宙微电子有限公司
技术研发日：2022.02.18
技术公布日：2022/5/25