1.本发明涉及碳化硅技术领域,具体而言,涉及一种晶片清洗设备和清洗方法。
背景技术:
2.碳化硅材料作为外延芯片的衬底材料,对衬底表面质量有很高的要求,特别是最终清洗环节的处理,需要对晶片进行细致清洗,以去除表面有机物/金属离子以及颗粒等杂质。现有的晶片需要经过两道清洗工序,分别在槽式清洗设备中完成一道清洗工序后,再在单腔体清洗设备中完成另一到清洗工序。
3.然而在槽式清洗设备和单腔体清洗设备中对晶片进行分别清洗的方式,会涉及槽体结构复杂、制程时间长、且转移过程中容易造成二次污染等问题。
技术实现要素:
4.本发明的目的包括,例如,提供了一种晶片清洗设备和清洗方法,其能够在同一箱体内的两个清洗座体可以实现分布清洗,如此降低了药液重复使用以及转移过程中造成二次污染的风险,节约了清洗药液成本。
5.本发明的实施例可以这样实现:
6.第一方面,本发明提供一种晶片清洗设备,用于清洗晶片,包括:
7.清洗箱、晶片取放装置和两个清洗移动装置;
8.所述清洗箱内设置两个清洗座体;
9.每个所述清洗座体上均设置有用于承载所述晶片的托盘;
10.两个所述清洗移动装置分别对应设置于两个所述清洗座体的上方,用于向两个所述清洗座体输送清洗药液,对所述托盘承载的所述晶片进行清洗;
11.所述晶片取放装置用于在所述清洗座体上拾取和放置所述晶片。
12.晶片清洗设备包括清洗箱和两个清洗移动装置,而清洗箱中有分别设置有两个与清洗移动装置一一对应的清洗座体,清洗移动装置能够将与其对应的清洗座体中的晶片进行清洗。如此实现了在单台晶片清洗设备中具有两个相互独立的清洗环境以实现对晶片的分步清洗。进一步的,单台晶片清洗设备就替代了现有技术中的槽式清洗设备和单腔体清洗设备两台,优化了清洗制程,提高了清洗效率,减小了空间占用率,提高了设备集成度。
13.在可选的实施方式中,两个所述清洗移动装置分别为第一清洗移动装置和第二清洗移动装置,两个所述清洗座体分别为第一清洗座体和第二清洗座体;
14.所述第一清洗移动装置对应设置于所述第一清洗座体的上方,所述第二清洗移动装置对应设置于所述第二清洗座体的上方;
15.其中,所述第一清洗移动装置被配置为对承载于所述第一清洗座体的托盘上的晶片进行第一次清洗;
16.所述晶片取放装置被配置为在进行第一次清洗后,将所述晶片从所述第一清洗座体的托盘上拾取并将所述晶片放置于所述第二清洗座体的托盘上;
17.所述第二清洗移动装置被配置为对承载于所述第二清洗座体的托盘上的晶片进行第二次清洗,其中,两次清洗的药液不同。
18.在可选的实施方式中,所述清洗座体还包括限位机构,所述限位机构可拆卸地设置在所述托盘,用于在所述托盘上对所述晶片进行限位。
19.在可选的实施方式中,所述限位机构包括限位底盘,以及穿设于所述限位底盘且突出设置于所述限位底盘的针脚;所述针脚穿设于所述限位底盘并与所述托盘可拆卸的连接。
20.在可选的实施方式中,所述晶片清洗设备还包括旋转机构,所述旋转机构从清洗箱底部穿过所述清洗座体并与所述清洗座体之间留有间隙,所述托盘设置在所述清洗座体和所述旋转机构上,所述旋转机构带动所述托盘旋转。
21.在可选的实施方式中,所述托盘具有一中心圆孔;
22.所述旋转机构包括设在所述清洗座体内的第一部分和延伸入所述中心圆孔的第二部分,所述第一部分和第二部分相连。
23.在可选的实施方式中,所述中心圆孔为一通孔;所述旋转机构内还设置有若干冲洗液管道,所述冲洗液管道从所述旋转机构的第一部分的底部进入所述旋转机构并穿过所述旋转机构;在所述旋转机构的第二部分朝向所述托盘的一侧,所述洗液管道设置有开口;在平行于放置所述晶片的平面,所述第二部分的截面面积小于所述第一部分的截面面积。
24.在可选的实施方式中,所述清洗移动装置包括导轨、移动臂、连接柱和若干清洗管道;
25.所述移动臂通过连接柱可移动地与所述导轨连接,所述移动臂被配置为通过在导轨上的移动以靠近或远离清洗座体;所述清洗管道设置在移动臂内用于对晶片进行清洗;不同的所述清洗管道中配置有不同的药水。
26.在可选的实施方式中,所述晶片取放装置包括夹持机和多个抓手;多个所述抓手均与所述夹持机连接,用于使所述抓手相互靠近以抓取晶片或相互远离以释放晶片。
27.第二方面,本发明提供一种清洗方法,提供一种晶片清洗设备,晶片清洗设备包括清洗箱、晶片取放装置和两个清洗移动装置,所述清洗箱内设置两个清洗座体;两个所述清洗移动装置一一对应地设置在两个所述清洗座体上;
28.一个所述清洗移动装置被配置为对承载于一个所述清洗座体的托盘上的晶片进行第一次清洗;
29.所述晶片取放装置被配置为在进行第一次清洗后,将所述晶片从该所述清洗座体的托盘上拾取并将所述晶片放置于另一所述清洗座体的托盘上;
30.另一所述清洗移动装置被配置为对承载于该另一所述清洗座体的托盘上的晶片进行第二次清洗,其中,两次清洗的药液不同。
31.本发明实施例的有益效果包括,例如:
32.本方案的晶片清洗设备,包括清洗箱、晶片取放装置和两个清洗移动装置;清洗箱内设置两个清洗座体;使用时,两个清洗移动装置分别对应设置于两个清洗座体的上方,用于向两个清洗座体输送清洗药液,对托盘承载的晶片进行清洗;晶片取放装置用于在清洗座体上拾取和放置晶片。这样的晶片清洗设备能够在单台晶片清洗设备中,通过在不同的清洗座体中分别进行两道工序的清洗,改善了不同清洗设备中分别处理带来的不便和麻
烦,提高了清洗效率。
33.本方案的清洗方法通过晶片清洗设备中两个清洗移动装置和两个清洗座体一一配合,以使得在一个清洗座体中对晶片完成第一次清洗后,晶片取放装置将完成第一次清洗的晶片转移至另一清洗座体中完成第二次清洗。因为两次清洗的药液不同,这样的清洗方法能够实现在单台晶片清洗设备中完成两道清洗工序的分步清洗,同时降低了药液重复使用以及转移过程中造成二次污染的风险,节约了清洗药液成本,并能解决易挥发酸碱气体反应的问题。
附图说明
34.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
35.图1为本发明实施例的晶片清洗设备的结构示意图;
36.图2为本发明实施例的晶片清洗设备的另一视角的结构示意图;
37.图3为本发明实施例的清洗移动装置的结构示意图;
38.图4为本发明实施例的晶片取放装置的使用示意图。
39.图标:10-晶片清洗设备;11-清洗箱;100-清洗座体;101-第一清洗座体;102-第二清洗座体;110-限位机构;111-限位底盘;112-针脚;200-晶片取放装置;210-夹持机;220-抓手;300-清洗移动装置;301-第一清洗移动装置;302-第二清洗移动装置;310-导轨;320-移动臂;330-连接柱;340-清洗管道;400-托盘;410-中心圆孔;500-旋转机构;510-第一部分;520-第二部分;530-冲洗液管道;610-第一机械臂;620-第二机械臂;700-排废口;20-晶片。
具体实施方式
40.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
41.因此,以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围,而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
42.应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
43.在本发明的描述中,需要说明的是,若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
44.此外,若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
45.需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明的实施例中的特征可以相互结合。
46.碳化硅是继第一代半导体si、第二代半导体gaas之后发展起来的重要的第三代半导体材料,它具有宽禁带、高击穿场强、高热导率、高载流子浓度、高抗辐射能力及良好的化学稳定性等优越特性,在新能源汽车、汽车灯照、通用照明、电动车、5g通讯应用等领域有广泛的应用市场,已成为未来新能源发展的方向之一。
47.碳化硅材料对衬底表面质量有很高的要求,特别是最终清洗环节的处理。
48.现有技术的最终清洗工艺采用槽式清洗和腔体清洗工艺,涉及spm/hpm/sc1\sc2等多道清洗工艺。其存在槽体结构复杂、制程时间长、且转移过程中容易造成二次污染等问题。
49.具体的,因为一些化学品在空间上的不兼容性,要实现在一个腔体完成清洗非常困难,因此目前较多是利用rca槽式设备清洗后再以腔体清洗收尾,整个生产过程被拉长,且在转移过程中存在污染隐患。
50.为改善上述技术问题,在下面的实施例中提供一种晶片清洗设备和清洗方法。
51.图1为本实施例的晶片清洗设备的俯视的结构示意图,图2为本实施例的晶片清洗设备的结构示意图;图3为本实施例的清洗移动装置的结构示意图;图4为本实施例的晶片取放装置的使用示意图。
52.请参阅图1,本实施例提供了一种晶片清洗设备10,用于清洗晶片20,包括清洗箱11、晶片取放装置200和两个清洗移动装置300;
53.清洗箱11内设置两个清洗座体100;
54.每个清洗座体100上均设置有用于承载晶片20的托盘400;
55.两个清洗移动装置300分别对应设置于两个清洗座体100的上方,用于向两个清洗座体100输送清洗药液,对托盘400承载的晶片20进行清洗;
56.晶片取放装置200用于在清洗座体100上拾取和放置晶片20。
57.这样的晶片清洗设备10在单个清洗箱11中具有一一对应的两个清洗移动装置300和两个清洗座体100,以实现在同一设备即可对晶片20进行分步清洗。相对于现有技术需要槽式清洗设备和单腔体清洗设备这两台设备才能完成对晶片20的分布清洗,本方案的晶片清洗设备10提高了设备集成度,减小了空间占用率,优化了清洗制程,提高了清洗效率,因此具有出色的经济效益。
58.进一步的,从图1中还可以看出,两个清洗移动装置300分别为第一清洗移动装置301和第二清洗移动装置302,两个清洗座体100分别为第一清洗座体101和第二清洗座体102。
59.第一清洗移动装置301对应设置于第一清洗座体101的上方,第二清洗移动装置302对应设置于第二清洗座体102的上方。
60.其中,第一清洗移动装置301被配置为对承载于第一清洗座体101的托盘400上的晶片20进行第一次清洗;
61.晶片取放装置200被配置为在进行第一次清洗后,将晶片20从第一清洗座体101的托盘400上拾取并将晶片20放置于第二清洗座体102的托盘400上;
62.第二清洗移动装置302被配置为对承载于第二清洗座体102的托盘400上的晶片20进行第二次清洗,其中,两次清洗的药液不同。
63.第一清洗座体101和第二清洗座体102是相互独立和相互隔离的,这样就可以在第一清洗座体101中第一清洗移动装置301采用第一种药液进行清洗,以完成第一次清洗;在第二清洗座体102中第二清洗移动装置302采用第二种药液进行清洗,以完成第二次清洗。如此使得晶片清洗设备10中完成对晶片20的两次分布清洗,且两次清洗过程完全独立,降低了药液重复使用以及转移过程中造成二次污染的风险,节约了清洗药液成本,同时提高了清洗效率。
64.请继续参阅图1和图2(图2中仅示出了一个清洗座体100的情况),从图中可以看出,清洗座体100还包括限位机构110,限位机构110可拆卸地设置在托盘400,用于在托盘400上对晶片20进行限位。
65.进一步的,限位机构110包括限位底盘111,以及穿设于限位底盘111且突出设置于限位底盘111的针脚112;针脚112穿设于限位底盘111并与托盘400可拆卸的连接。
66.针脚112与限位底盘111可拆卸配合的方式,能够使得针脚112能够适应不同尺寸的晶片20,从而增加了晶片清洗设备10的适应性和应用场景。
67.从图中还可以看出,在本实施例中,托盘400上的周缘上均布有八个针脚112。沿托盘400的径向方向,调整针脚112的间距就能够夹持不同的尺寸的晶片20。通过均布的针脚112既能够保障晶片20与托盘400的稳定连接,又能够使得晶片20与托盘400具有预设间距,从而便于清洗液对晶片20表面的清洗。
68.从图2中还可以看出,在本实施例中,晶片清洗设备10还包括旋转机构500,旋转机构500从清洗箱11底部穿过清洗座体100并与清洗座体100之间留有间隙,托盘400设置在清洗座体100和旋转机构500上,旋转机构500带动托盘400旋转。
69.旋转机构500带动托盘400上的晶片20旋转,而清洗移动装置300则保持固定,则清洗移动装置300与晶片20产生相对旋转运动,如此使得清洗药液能够更加仔细、完整地对晶片20表面进行清洗,从而保障清洗后晶片20的品质。另外,相较于清洗移动装置300通过位移的方式对晶片20进行清洗,这样的设置方式能够简化动力机构的运动方式,提供晶片清洗设备10的结构可靠性和稳定性。
70.在本实施例中,托盘400具有一中心圆孔410;旋转机构500包括设在清洗座体100内的第一部分510和延伸入中心圆孔410的第二部分520,第一部分510和第二部分520相连。
71.进一步的,中心圆孔410为一通孔;旋转机构500内还设置有若干冲洗液管道530,冲洗液管道530从旋转机构500的第一部分510的底部进入旋转机构500并穿过旋转机构500;在旋转机构500的第二部分520朝向托盘400的一侧,洗液管道设置有开口。在平行于放置晶片20的平面,第二部分520的截面面积小于第一部分510的截面面积。
72.这里的冲洗液管道530用于对晶片20的背面进行冲洗清洗。具体的,沿清洗箱11的高度方向,清洗移动装置300用于对晶片20正面表面进行清洗、冲洗液管道530对晶片20的背面进行清洗,如此实现对晶片20正反面高效、快速地清洗,提高了清洗效率,保障了清洗的质量。
73.可选的,这里的旋转机构500为旋转电机。
74.从图2中还可以看出,在本实施例中,清洗箱11的底部设置有排废口700。这样的设
置能够方便的清洗废液能够及时排除,从而防止药液的污染,保证了晶片20清洗的效果。
75.请参阅图1、图2和图3,从图中可以看出,在本实施例中,清洗移动装置300包括导轨310、移动臂320、连接柱330和若干清洗管道340;
76.移动臂320通过连接柱330可移动地与导轨310连接,移动臂320被配置为通过在导轨310上的移动以靠近或远离清洗座体100;清洗管道340设置在移动臂320内用于对晶片20进行清洗;不同的清洗管道340中配置有不同的药水。
77.可选的,如图3所示,在本实施例中,移动臂320中包括四个中空通孔,每个中空通道中均设置有一个药液管道。四个药液管道分别运输药液1、药液2、药液3和di水。
78.其中,药液1为sc1清洗液。sc1清洗液是氨水、双氧水以及水的混合物,三者体积比例为1:2:50。其反应温度为25摄氏度,功能是去除晶圆上的微粒杂质以及聚合物。清洗机理是氧化和电性排斥。
79.药液2为sc2清洗液。sc2清洗液是盐酸、双氧水和水的混合物,三者的体积比例为1:1:50。sc2清洗液的主要功能是清除晶片20上的金属离子。其清洗机理是其能提供一个低ph值的环境,碱性的金属离子,金属氢化物将能溶于sc2清洗液里。
80.药液3为spm或hpm清洗液。spm(h2so4∶h2o2∶h2o)。spm具有很高的金属氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能将有机物氧化生成二氧化碳和水。用spm清洗硅片可以去除表面的种有机沾污和部分金属。
81.di水。di水是指除去了呈离子形式杂质后的纯水。
82.因为sc1中的nh4oh,以及sc2中的hcl易挥发的,在本实施例中,在药液管道中通入提前配置好的药液,并将sc1中的nh4oh和sc2易挥发的hcl分开清洗,从而两个药液是在不同清洗座体100内完成清洗,因此减少二者挥发气体相互反应生成的结晶物,改善了易挥发酸碱气体反应的问题。
83.请参阅图4,从图中可以看出,晶片取放装置200包括夹持机210和多个抓手220;多个抓手220均与夹持机210连接,用于使抓手220相互靠近以抓取晶片20或相互远离以释放晶片20。
84.进一步的,从图4中还可以看出,晶片清洗设备10包括第一机械臂610和第二机械臂620;第一机械臂610用于将晶片20从上料台输送至晶片取放装置200;第二机械臂620用于完成第二次清洗的晶片20送入干净片盒。
85.可以理解的是,在本发明的其他实施例中,晶片取放装置200可以没有第一机械臂610和第二机械臂620,晶片清洗设备10可以仅通过晶片取放装置200完成晶片20的上料、转移和下料,或者晶片清洗设备10通过其他方式完成晶片20的上料和下料,这里仅仅是一个示例,不作限定。
86.使用时,其运行过程如下:
87.1.将待清洗的晶片20放置在上料台,第一机械臂610将晶片20从上料台传送至晶片取放装置200;
88.2.晶片取放装置200将晶片20方式在第一清洗座体101上;旋转机构500带动托盘400上的晶片20旋转,第一清洗移动装置301移动到托盘400的中间位置;
89.3.洗液管道和清洗管道340分别喷射配置好的化学药液,按照设定的配方进行移动式冲洗;
90.4.移动臂320喷射配置好的化学药液,按照设定的配方进行第一次清洗;
91.5.冲洗结束后,晶片取放装置200从第一清洗座体101上取出晶片20并放置在第二清洗座体102中的托盘400上继续进行第二次清洗;
92.6.第二次清洗完成后,晶片取放装置200将晶片20从第二清洗座体102传送至第二机械臂620处,第二机械臂620将清洗干净的晶片20送入干净片盒,清洗结束。
93.使用本晶片清洗设备10清洗提高了清洗效率和降低了单片清洗成本,单片清洗时间可控制在10min内,并清洗良率可达到99%以上,金属离子含量<1e10atoms/cm2。
94.第二方面,本发明提供一种清洗方法,提供一种晶片清洗设备10,晶片清洗设备10包括清洗箱11、晶片取放装置200和两个清洗移动装置300,清洗箱11内设置两个清洗座体100;两个清洗移动装置300一一对应地设置在两个清洗座体100上;
95.一个清洗移动装置300被配置为对承载于一个清洗座体100的托盘400上的晶片20进行第一次清洗;
96.晶片取放装置200被配置为在进行第一次清洗后,将晶片20从该清洗座体100的托盘400上拾取并将晶片20放置于另一清洗座体100的托盘400上;
97.另一清洗移动装置300被配置为对承载于该另一清洗座体100的托盘400上的晶片20进行第二次清洗,其中,两次清洗的药液不同。
98.这样的清洗方法,通过晶片清洗设备10实现了单台多腔体清洗设备替代槽式清洗设备和单腔体清洗设备,优化了清洗制程,易挥发多种药液隔离清洗,防止挥发气体反应。
99.综上,本发明实施例提供了一种晶片清洗设备10和清洗方法,至少具有以下优点:
100.晶片清洗设备10为多腔体式结构,无须经过槽式清洗设备 单腔体清洗设备的两次分别清洗,整个清洗过程在箱体内部完成,结构简单。清洗药液通过设定好的配比冲洗晶片20衬底表面,肺炎及时排出清洗箱11。通过晶片清洗设备10能有效去除有机物/金属离子以及颗粒,降低了药液重复使用以及转移过程中造成二次污染的风险,节约了清洗药液成本,并能解决易挥发酸碱气体反应的问题。晶片清洗设备10能够实现“上料—清洗—下料”一步到位,整个清洗过程完全与外部隔离,且规避了易挥发药液交叉污染的隐患。
101.以上,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
技术特征:
1.一种晶片清洗设备,用于清洗晶片,其特征在于,包括:清洗箱(11)、晶片取放装置(200)和两个清洗移动装置(300);所述清洗箱(11)内设置两个清洗座体(100);每个所述清洗座体(100)上均设置有用于承载所述晶片(20)的托盘(400);两个所述清洗移动装置(300)分别对应设置于两个所述清洗座体(100)的上方,用于向两个所述清洗座体(100)输送清洗药液,对所述托盘(400)承载的所述晶片(20)进行清洗;所述晶片取放装置(200)用于在所述清洗座体(100)上拾取和放置所述晶片(20)。2.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,其特征在于:两个所述清洗移动装置(300)分别为第一清洗移动装置(301)和第二清洗移动装置(302),两个所述清洗座体(100)分别为第一清洗座体(101)和第二清洗座体(102);所述第一清洗移动装置(301)对应设置于所述第一清洗座体(101)的上方,所述第二清洗移动装置(302)对应设置于所述第二清洗座体(102)的上方;其中,所述第一清洗移动装置(301)被配置为对承载于所述第一清洗座体(101)的托盘(400)上的晶片(20)进行第一次清洗;所述晶片取放装置(200)被配置为在进行第一次清洗后,将所述晶片(20)从所述第一清洗座体(101)的托盘(400)上拾取并将所述晶片(20)放置于所述第二清洗座体(102)的托盘(400)上;所述第二清洗移动装置(302)被配置为对承载于所述第二清洗座体(102)的托盘(400)上的晶片(20)进行第二次清洗,其中,两次清洗的药液不同。3.根据权利要求2所述的晶片清洗设备,其特征在于:所述清洗座体(100)还包括限位机构(110),所述限位机构(110)可拆卸地设置在所述托盘(400),用于在所述托盘(400)上对所述晶片(20)进行限位。4.根据权利要求3所述的晶片清洗设备,其特征在于:所述限位机构(110)包括限位底盘(111),以及穿设于所述限位底盘(111)且突出设置于所述限位底盘(111)的针脚(112);所述针脚(112)穿设于所述限位底盘(111)并与所述托盘(400)可拆卸的连接。5.根据权利要求2所述的晶片清洗设备,其特征在于:所述晶片清洗设备还包括旋转机构(500),所述旋转机构(500)从清洗箱(11)底部穿过所述清洗座体(100)并与所述清洗座体(100)之间留有间隙,所述托盘(400)设置在所述清洗座体(100)和所述旋转机构(500)上,所述旋转机构(500)带动所述托盘(400)旋转。6.根据权利要求5所述的晶片清洗设备,其特征在于:所述托盘(400)具有一中心圆孔(410);所述旋转机构(500)包括设在所述清洗座体(100)内的第一部分(510)和延伸入所述中心圆孔(410)的第二部分(520),所述第一部分(510)和第二部分(520)相连。7.根据权利要求6所述的晶片清洗设备,其特征在于:所述中心圆孔(410)为一通孔;所述旋转机构(500)内还设置有若干冲洗液管道(530),所述冲洗液管道(530)从所述旋转机构(500)的第一部分(510)的底部进入所述旋转机构(500)并穿过所述旋转机构(500);在所述旋转机构(500)的第二部分(520)朝向所述托盘(400)的一侧,所述洗液管道设置有开口;在平行于放置所述晶片(20)的平面,所述第二部
分(520)的截面面积小于所述第一部分(510)的截面面积。8.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,其特征在于:所述清洗移动装置(300)包括导轨(310)、移动臂(320)、连接柱(330)和若干清洗管道(340);所述移动臂(320)通过连接柱(330)可移动地与所述导轨(310)连接,所述移动臂(320)被配置为通过在导轨(310)上的移动以靠近或远离清洗座体(100);所述清洗管道(340)设置在移动臂(320)内用于对晶片(20)进行清洗;不同的所述清洗管道(340)中配置有不同的药水。9.根据权利要求1所述的晶片清洗设备,其特征在于:所述晶片取放装置(200)包括夹持机(210)和多个抓手(220);多个所述抓手(220)均与所述夹持机(210)连接,用于使所述抓手(220)相互靠近以抓取晶片(20)或相互远离以释放晶片(20)。10.一种清洗方法,其特征在于,包括:提供一种晶片清洗设备,晶片清洗设备包括清洗箱(11)、晶片取放装置(200)和两个清洗移动装置(300),所述清洗箱(11)内设置两个清洗座体(100);两个所述清洗移动装置(300)一一对应地设置在两个所述清洗座体(100)上;一个所述清洗移动装置(300)被配置为对承载于一个所述清洗座体(100)的托盘(400)上的晶片(20)进行第一次清洗;所述晶片取放装置(200)被配置为在进行第一次清洗后,将所述晶片(20)从该所述清洗座体(100)的托盘(400)上拾取并将所述晶片(20)放置于另一所述清洗座体(100)的托盘(400)上;另一所述清洗移动装置(300)被配置为对承载于该另一所述清洗座体(100)的托盘(400)上的晶片(20)进行第二次清洗,其中,两次清洗的药液不同。
技术总结
本发明涉及碳化硅技术领域,具体而言,涉及一种晶片清洗设备和清洗方法。晶片清洗设备,包括清洗箱、晶片取放装置和两个清洗移动装置;清洗箱内设置两个清洗座体;每个清洗座体上均设置有用于承载晶片的托盘;两个清洗移动装置分别对应设置于两个清洗座体的上方,用于向两个清洗座体输送清洗药液,对托盘承载的晶片进行清洗;晶片取放装置用于在清洗座体上拾取和放置晶片。晶片清洗设备能够在同一箱体内的两个清洗座体可以实现分布清洗,如此降低了药液重复使用以及转移过程中造成二次污染的风险,节约了清洗药液成本。节约了清洗药液成本。节约了清洗药液成本。
技术研发人员:陈勇 蔡文必
受保护的技术使用者:福建北电新材料科技有限公司
技术研发日:2022.02.18
技术公布日:2022/5/25
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