显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年11月23日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0157726号韩国专利申请的优先权，上述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
3.本公开涉及一种显示装置。


背景技术：

4.随着面向信息的社会的发展，对用于显示图像的显示装置的各种需求不断增加。显示装置包括液晶显示器(lcd)、等离子体显示面板(pdp)、有机发光显示器(oled)、微型发光二极管显示器等。
5.显示装置包括发光二极管和连接到发光二极管的多个薄膜晶体管。多个薄膜晶体管可以包括包含多晶硅的薄膜晶体管或包括氧化物的薄膜晶体管。包含多晶硅的薄膜晶体管的优点在于它可以稳定地供给驱动电流。包含氧化物的薄膜晶体管的优点在于它可以快速地导通并且表现出良好的截止电流特性。


技术实现要素：

6.本公开的各方面提供一种可以通过抑制基底中的电子充电和界面极化来改善薄膜晶体管的电特性的显示装置。
7.应当注意的是，本公开的特征不限于上面提到的特征；并且通过以下描述，本发明构思的其它特征对于本领域技术人员而言将是明显的。
8.根据本公开的实施例，子基底包括掺杂剂并且阻挡层包括具有比子基底的介电常数更高的介电常数的材料，使得可以抑制在子基底与阻挡层之间的界面处可能发生的电子充电和界面极化。
9.此外，根据本公开的实施例，可以通过改善薄膜晶体管的电特性以减少屏幕上的残像来改善显示装置的显示质量。
10.应当注意的是，本公开的效果不限于上面描述的效果，并且根据以下描述，本公开的其它效果对于本领域技术人员而言将是明显的。
11.根据本公开的实施例，一种显示装置包括第一基体基底、第一阻挡层、第二基体基底、第一子基底、第二阻挡层、第二缓冲层、第一缓冲层、至少一个晶体管以及有机发光二极管。第一阻挡层设置在第一基体基底上。第二基体基底设置在第一阻挡层上。第一子基底设置在第二基体基底上并且包括选自由氟(f)、硼(b)、砷(as)、磷(p)、氯(cl)、溴(br)、碘(i)、砹(at)、硫(s)、硒(se)、氩(ar)和碲(te)组成的组中的至少一种掺杂剂。第二阻挡层设置在第一子基底上。第二缓冲层设置在第二阻挡层上。第一缓冲层设置在第二缓冲层上。至少一个晶体管设置在第一缓冲层上。有机发光二极管设置在至少一个晶体管上。
12.在实施例中，第一子基底与第二阻挡层接触，并且第一子基底的介电常数小于第
二阻挡层的介电常数。
13.在实施例中，第一子基底和第二阻挡层中的每一个的介电常数和电阻率满足以下关系式：
14.ε1р1≠ε2р215.其中，ε1表示第一子基底的介电常数，р1表示第一子基底的电阻率，ε2表示第二阻挡层的介电常数，并且р2表示第二阻挡层的电阻率。
16.在实施例中，第一子基底的ε1р1的值大于第二阻挡层的ε2р2的值。
17.在实施例中，第一子基底的介电常数的范围为2至3.8。
18.在实施例中，掺杂剂的浓度从第一子基底的与第二阻挡层接触的上表面到第一子基底的下表面降低。
19.在实施例中，第一子基底的掺杂剂的浓度是大体均匀的。
20.在实施例中，第二阻挡层具有5或更大的介电常数，并且包括选自由sion、sin
x
、al2o3、zro2、hfo2、tio2和tao2组成的组中的至少一种。
21.在实施例中，第一缓冲层具有5或更大的介电常数，并且包括选自由sion、sin
x
、al2o3、zro2、hfo2、tio2和tao2组成的组中的至少一种。
22.在实施例中，显示装置还包括：第三阻挡层，设置在第二阻挡层与第二缓冲层之间，其中，第三阻挡层的介电常数小于第二阻挡层的介电常数。
附图说明
23.通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上和其它方面和特征将变得更明显。
24.图1是根据本公开的实施例的显示装置的透视图。
25.图2是示出根据本公开的实施例的显示面板的示例的平面图。
26.图3是示出图2的子像素中的一个的示例的电路图。
27.图4是示出根据本公开的实施例的显示装置的截面图。
28.图5是示出包含氟的聚酰亚胺薄膜和不包含氟的聚酰亚胺薄膜的介电常数的图。
29.图6是示出聚酰亚胺薄膜的表面电导率与用于掺杂氟的时间的关系的图。
30.图7是示出聚酰亚胺薄膜的体电导率与用于掺杂氟的时间的关系的图。
31.图8是示出第二阻挡层和第一子基底的放大截面图。
32.图9是示出第二阻挡层和第一子基底的示意图。
33.图10是示出根据本公开的实施例的显示装置的另一示例的截面图。
34.图11是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。
35.图12是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。
36.图13是示出根据本公开的实施例的显示装置的截面图。
37.图14是示出根据本公开的实施例的显示装置的另一示例的截面图。
38.图15是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。
39.图16是示出根据本公开的实施例的显示装置的截面图。
40.图17是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。
41.图18是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。
42.图19是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。
43.图20是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。
44.图21是示出根据本公开的实施例的显示装置的截面图。
45.图22是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。
46.图23是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。
具体实施方式
47.在下文中，现在将参照附图更充分地描述本发明构思，在附图中示出了实施例。然而，本发明构思可以以不同的形式体现并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例以使得该公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明构思的范围。
48.还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，所述层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。
49.将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等以描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本发明构思的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
50.本公开的各种实施例的特征中的每一个可以部分地或整体地结合或彼此结合，并且技术上各种关联(interlock)和驱动是可能的。每个实施例可以彼此独立地实现或者可以关联地一起实现。
51.在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。
52.图1是根据本公开的实施例的显示装置的透视图。图2是示出根据本公开的实施例的显示面板的示例的平面图。
53.如本文中所使用的，术语“在
……
上方”、“顶部”和“上表面”是指显示面板100的上侧，即，由第三方向dr3上的箭头指示的一侧，而术语“在
……
下方”、“底部”和“下表面”是指显示面板100的下侧，即，由第三方向dr3上的箭头指示的一侧的相反侧。
54.显示装置10用于显示运动图像或静止图像。显示装置10可以用作诸如移动电话、智能电话、平板pc、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航装置和超移动pc(umpc)的便携式电子装置的显示屏幕以及诸如电视机、笔记本计算机、监视器、广告牌和物联网装置的各种产品的显示屏幕。显示装置10可以是有机发光显示装置、液晶显示装置、等离子体显示装置、场发射显示装置、电泳显示装置、电润湿显示装置、量子点发光显示装置和微型发光二极管(led)显示装置等中的一种。在以下描述中，有机发光显示装置被描述为显示装置10的示例。
55.参考图1和图2，根据实施例的显示装置10包括显示面板100、显示驱动器200和电路板300。
56.显示面板100可以形成在矩形平面中，所述矩形平面具有在第一方向dr1上的较短边和在与第一方向dr1相交的第二方向dr2上的较长边。第一方向dr1上的较短边与第二方向dr2上的较长边相交所在的角中的每一个可以以预定曲率倒圆或者可以是直角。当从顶
部观察时，显示面板100的形状是四边形形状，但是可以形成为不同的多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。显示面板100可以形成为平坦的。显示面板100可以包括弯曲部分，所述弯曲部分形成在显示面板100的左端和右端处并且具有恒定的或变化的曲率。此外，显示面板100可以形成为柔性的，使得显示面板100可以弯曲、弯折、折叠或卷曲。
57.显示面板100可以包括形成有子像素sp以显示图像的显示区域da和作为显示区域da的外围区域的非显示区域nda。当显示面板100包括弯曲部分时，显示区域da可以设置在弯曲部分上。在这种情况下，在弯曲部分上也可以看到显示面板100的图像。
58.在显示区域da中，除了子像素sp之外，还可以设置连接到子像素sp的扫描线sl、发射线el、数据线dl和第一电源电压线vddl。扫描线sl和发射线el可以布置在第一方向dr1上，而数据线dl可以布置在与第一方向dr1相交的第二方向dr2上。在显示区域da中，第一电源电压线vddl可以平行地布置在第二方向dr2上。在显示区域da中，平行地形成在第二方向dr2上的第一电源电压线vddl可以在非显示区域nda中连接到彼此。
59.子像素sp中的每一个可以连接到扫描线sl中的至少一条、数据线dl中的至少一条、发射线el中的至少一条和第一电源电压线vddl中的至少一条。为了便于说明，在图2中所示的示例中，子像素sp中的每一个连接到两条扫描线sl、一条数据线dl、一条发射线el和一条第一电源电压线vddl。然而，本发明的实施例不限于此，例如，子像素sp中的每一个可以连接到三条扫描线sl而不是两条扫描线sl。
60.子像素sp中的每一个可以包括驱动晶体管、至少一个开关晶体管、发光元件和电容器。当数据电压施加到驱动晶体管的栅极电极时，驱动晶体管可以将驱动电流供给到发光元件，使得可以发射光。驱动晶体管和至少一个开关晶体管可以是薄膜晶体管(tft)。发光元件可以与来自驱动晶体管的驱动电流成比例地发射光。发光元件可以是包括阳极电极、有机发光层和阴极电极的有机发光二极管。电容器可以保持施加到驱动晶体管的栅极电极的数据电压恒定。
61.非显示区域nda可以限定为从显示区域da的外侧到显示面板100的边缘的区域。在非显示区域nda中，可以设置用于将扫描信号施加到扫描线sl的扫描驱动器410和连接到数据线dl的焊盘dp。由于电路板300附接到焊盘dp，因此焊盘dp可以设置在显示面板100的一个边缘上，例如，可以设置在显示面板100的下边缘上。
62.扫描驱动器410可以通过多条第一扫描控制线scl1连接到显示驱动器200。扫描驱动器410可以通过多条第一扫描控制线scl1从焊盘dp接收扫描控制信号。扫描驱动器410可以根据扫描控制信号生成扫描信号并且可以将扫描信号顺序地输出到扫描线sl。由扫描驱动器410的扫描信号选择供给有数据电压的子像素sp，并且数据电压被供给到所选择的子像素sp。
63.发射控制驱动器420可以通过多条第二扫描控制线scl2连接到显示驱动器200。发射控制驱动器420可以通过多条第二扫描控制线scl2从焊盘dp接收发射控制信号。发射控制驱动器420可以根据发射控制信号生成发射信号并且可以将发射信号顺序地输出到发射线el。
64.在图2中所示的示例中，扫描驱动器410设置在显示区域da的外侧上，并且发射控制驱动器420设置在显示区域da的相对侧上。然而，扫描驱动器410和发射控制驱动器420两者可以设置在显示区域da的相同外侧上或者可以设置在显示区域da的外侧中的每一个外
侧上。
65.显示驱动器200从外部装置接收数字视频数据和时序信号。显示驱动器200将数字视频数据转换成模拟正/负数据电压并且将模拟正/负数据电压供给到数据线dl。显示驱动器200通过第一扫描控制线scl1生成并供给用于控制扫描驱动器410的操作时序的扫描控制信号。显示驱动器200通过第二扫描控制线scl2生成并供给用于控制发射控制驱动器420的操作时序的发射控制信号。显示驱动器200可以将第一电源电压供给到第一电源电压线vddl。
66.显示驱动器200可以被实现为集成电路(ic)并且可以通过薄膜覆晶(cof)技术附接到电路板300。可替代地，显示驱动器200可以通过玻璃覆晶(cog)技术、塑料覆晶(cop)技术或超声波接合附接到显示面板100。
67.电路板300可以使用各向异性导电膜附接到焊盘dp。以这种方式，电路板300的引线可以电连接到焊盘dp。电路板300可以是柔性印刷电路板、印刷电路板或诸如薄膜覆晶的柔性膜。
68.图3是示出图2的子像素中的一个的示例的电路图。
69.在图3中，图1中的显示装置10的子像素sp的电路可以包括有机发光二极管180、多个晶体管t1至t7以及电容器c1。数据线dj、第一扫描线sa、第二扫描线sb、第三扫描线sc、发射线ek、第一电源电压线vddl、第二电源电压线vssl和初始化电压线vil可以连接到子像素sp的电路。
70.有机发光二极管180可以包括阳极电极和阴极电极。电容器c1可以包括第一电极和第二电极。
71.多个晶体管可以包括第一晶体管t1至第七晶体管t7。晶体管t1至t7中的每一个可以包括栅极电极、第一电极和第二电极。晶体管t1至t7中的每一个的第一电极和第二电极中的一个可以是源极电极，而另一个可以是漏极电极。
72.晶体管t1至t7中的每一个可以是薄膜晶体管。晶体管t1至t7中的每一个可以是p型金属氧化物半导体(pmos)晶体管或n型金属氧化物半导体(nmos)晶体管。在实施例中，作为驱动晶体管的第一晶体管t1、作为开关晶体管的第二晶体管t2、作为第一发射控制晶体管的第五晶体管t5、作为第二发射控制晶体管的第六晶体管t6以及作为第二初始化晶体管的第七晶体管t7是pmos晶体管。另一方面，作为补偿晶体管的第三晶体管t3和作为第一初始化晶体管的第四晶体管t4是nmos晶体管。pmos晶体管和nmos晶体管具有不同的特性。第三晶体管t3和第四晶体管t4由具有相对良好的截止特性的nmos晶体管实现，使得可以减少有机发光二极管180的发射时段期间的驱动电流的泄漏。
73.在下文中，将详细描述元件中的每一个。
74.第一晶体管t1的栅极电极连接到电容器c1的第一电极。第一晶体管t1的第一电极经由第六晶体管t6连接到第一电源电压线vddl的端子。第一晶体管t1的第二电极经由第五晶体管t5连接到有机发光二极管180的阳极电极。第一晶体管t1根据第二晶体管t2的开关操作接收数据信号以将驱动电流供给到有机发光二极管180。
75.第二晶体管t2的栅极电极连接到第二扫描线sb的端子。第二晶体管t2的第一电极连接到数据线dj的端子。第二晶体管t2的第二电极连接到第一晶体管t1的第一电极并通过第六晶体管t6连接到第一电源电压线vddl的端子。第二晶体管t2以这样的方式执行开关操
作：第二晶体管t2响应于施加到第二扫描线sb的信号导通，以将通过数据线dj施加的数据信号传输到第一晶体管t1的第一电极。
76.第三晶体管t3的栅极电极连接到第一扫描线sa的端子。第三晶体管t3的第一电极连接到第一晶体管t1的第二电极，并且经由第五晶体管t5连接到有机发光二极管180的阳极电极。第三晶体管t3的第二电极连接到电容器c1的第一电极、第四晶体管t4的第一电极以及第一晶体管t1的栅极电极。第三晶体管t3响应于第一扫描线sa的信号导通以将第一晶体管t1的栅极电极与第二电极连接，以二极管连接第一晶体管t1。因此，在第一晶体管t1的第一电极与栅极电极之间产生等于第一晶体管t1的阈值电压的电压差。第一晶体管t1的阈值电压的偏差可以通过将补偿阈值电压的数据信号供给到第一晶体管t1的栅极电极来补偿。
77.第四晶体管t4的栅极电极连接到第三扫描线sc的端子。第四晶体管t4的第二电极连接到初始化电压线vil的端子。第四晶体管t4的第一电极连接到电容器c1的第一电极、第三晶体管t3的第二电极和第一晶体管t1的栅极电极。第四晶体管t4响应于第三扫描线sc的信号导通以将初始化电压线vil的初始化电压信号传输到第一晶体管t1的栅极电极，以初始化第一晶体管t1的栅极电极处的电压。
78.第五晶体管t5的栅极电极连接到发射线ek的端子。第五晶体管t5的第一电极连接到第一晶体管t1的第二电极和第三晶体管t3的第一电极。第五晶体管t5的第二电极连接到有机发光二极管180的阳极电极。
79.第六晶体管t6的栅极电极连接到发射线ek的端子。第六晶体管t6的第一电极连接到第一电源电压线vddl的端子。第六晶体管t6的第二电极连接到第一晶体管t1的第一电极和第二晶体管t2的第二电极。
80.第五晶体管t5和第六晶体管t6响应于发射线ek的发射信号同时地导通，使得驱动电流流过有机发光二极管180。
81.第七晶体管t7的栅极电极连接到第二扫描线sb的端子。第七晶体管t7的第一电极连接到有机发光二极管180的阳极电极。第七晶体管t7的第二电极连接到初始化电压线vil的端子。第七晶体管t7响应于第二扫描线sb的信号导通以初始化有机发光二极管180的阳极电极。
82.尽管在本公开的该实施例中，第二扫描线sb的信号被施加到第七晶体管t7的栅极电极，但是在实施例中，像素电路可以配置为使得发射线ek的发射信号可以被施加到第七晶体管t7的栅极电极。
83.电容器c1的第二电极连接到第一电源电压线vddl的端子。电容器c1的第一电极连接到第一晶体管t1的栅极电极、第三晶体管t3的第二电极和第四晶体管t4的第一电极。有机发光二极管180的阴极电极连接到第二电源电压线vssl的端子。有机发光二极管180通过从第一晶体管t1接收驱动电流以发射光来显示图像。
84.第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7中的每一个可以包括半导体层。第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7中的一些晶体管可以包括由多晶硅制成的半导体层，而第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7中的一些其它晶体管可以包括由
氧化物制成的半导体层。例如，第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7的半导体层可以由多晶硅制成。可替代地，第一晶体管t1、第五晶体管t5至第七晶体管t7的半导体层可以由多晶硅制成，而第二晶体管t2、第三晶体管t3和第四晶体管t4的半导体层可以由氧化物制成。例如，驱动晶体管的半导体层可以包括多晶硅，并且开关晶体管的半导体层可以包括氧化物。
85.开关晶体管的半导体层可以包括与开关晶体管的栅极电极重叠的第一沟道区、定位在第一沟道区的一侧上的第一漏极区以及定位在第一沟道区的另一侧上的第一源极区。驱动晶体管的半导体层可以包括与驱动晶体管的栅极电极重叠的第二沟道区、定位在第二沟道区的一侧上的第二漏极区以及定位在第二沟道区的另一侧上的第二源极区。
86.上述显示装置10可以包括诸如塑料的柔性材料以实现可以弯曲或弯折的显示装置10。作为示例，基底可以包括聚酰亚胺。对于各种柔性显示装置，聚酰亚胺可以被用作柔性绝缘基底的基底材料。不幸的是，对于这种包括聚酰亚胺的基底，可能发生充电现象，即电子可能聚集在表面上。由于这种电子充电，邻近于基底的薄膜晶体管的电特性可能劣化。
87.在下文中，提出了可以以改善基底中的电子充电的问题的方式防止薄膜晶体管的特性劣化的显示装置。
88.图4是示出根据本公开的实施例的显示装置的截面图。图5是示出包含氟的聚酰亚胺薄膜和不包含氟的聚酰亚胺薄膜的介电常数的图。图6是示出聚酰亚胺薄膜的表面电导率与用于掺杂氟的时间的关系的图。图7是示出聚酰亚胺薄膜的体电导率与用于掺杂氟的时间的关系的图。图8是示出第二阻挡层和第一子基底的放大截面图。图9是示出第二阻挡层和第一子基底的示意图。
89.参考图4，根据实施例的显示装置可以包括设置在第一基体基底bsub1上的第一阻挡层ba1、设置在第一阻挡层ba1上的第二基体基底bsub2、设置在第二基体基底bsub2上的第一子基底ssub1、设置在第一子基底ssub1上的第二阻挡层ba2、设置在第二阻挡层ba2上的第二缓冲层bf2、设置在第二缓冲层bf2上的第一缓冲层bf1、设置在第一缓冲层bf1上的开关晶体管st、驱动晶体管dt和有机发光二极管180。开关晶体管st包括氧化物半导体层145、第一上部栅极电极151、第一源极电极161以及第一漏极电极162。驱动晶体管dt包括多晶硅半导体层105、第二栅极电极121、第二源极电极164以及第二漏极电极165。
90.具体地，第一基体基底bsub1支撑设置在第一基体基底bsub1上的层。当有机发光显示装置是底部发射型或双面发射型时，可以使用第一基体基底bsub1。当有机发光显示装置是顶部发射型时，可以采用半透明的或不透明的基底以及透明的基底。第一基体基底bsub1可以包括诸如塑料的柔性材料，并且可以是例如聚酰亚胺。
91.第一阻挡层ba1可以设置在第一基体基底bsub1上。第一阻挡层ba1可以防止杂质离子扩散，可以防止湿气或外部空气的渗透，并且可以提供平坦的表面。第一阻挡层ba1可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。
92.第二基体基底bsub2可以设置在第一阻挡层ba1上。第二基体基底bsub2可以包括诸如塑料的柔性材料，并且可以是例如聚酰亚胺。
93.第一子基底ssub1可以设置在第二基体基底bsub2上。第一子基底ssub1可以是设置为最靠近下面描述的薄膜晶体管的绝缘基底。当电压被施加到薄膜晶体管中的每一个的栅极电极时，电子在第一子基底ssub1与设置在第一子基底ssub1上的第二阻挡层ba2之间
的界面处充电，并且可能发生界面极化。当这种情况发生时，电子可能与薄膜晶体管的漏极信号中存在的残留的dc(driving current)分量结合，使得即使已经经过一段时间之后，电子也可能不绕过。结果，产生残像，即特定的图案保留。即使在压力被施加到特定的图像之后，这种残像也不会快速地消失，并且因此这可能引起屏幕的质量劣化。
94.根据该实施例，通过形成具有2至3.8的介电常数的第一子基底ssub1，可以减少电子充电并且可以抑制界面极化。
95.在第一子基底ssub1与第二阻挡层ba2之间的界面处引起界面极化的条件可以由以下关系表示：
96.[关系式]
[0097]
ε1р1≠ε2р2[0098]
其中，ε1表示第一子基底ssub1的介电常数，р1表示第一子基底ssub1的电阻率，ε2表示第二阻挡层ba2的介电常数，并且р2表示第二阻挡层ba2的电阻率。
[0099]
参考上面的关系式，如果ε1р1的值不等于ε2р2的值，则会引起界面极化。相反，如果ε1р1的值等于ε2р2，则不会发生界面极化。随着ε1р1和ε2р2的值之间的差减小，界面极化逐渐地降低。例如，由聚酰亚胺制成的第一子基底ssub1可以具有大致3.4的介电常数和大致10
17
ωcm的电阻率。由氧化硅制成的第二阻挡层ba2可以具有大致3.9的介电常数和大约10
14
至10
16
ωcm的电阻率。将值代入上面的关系式中，第一子基底ssub1的ε1р1的值可以大于第二阻挡层ba2的ε2р2的值。根据该实施例，通过降低第一子基底ssub1的介电常数以减小第一子基底ssub1的ε1р1的值与第二阻挡层ba2的ε2р2的值之间的差，可以抑制界面极化。在一些实施方式中，第一子基底ssub1的ε1р1的值可以小于第二阻挡层ba2的ε2р2的值。
[0100]
根据本公开的实施例，第一子基底ssub1的介电常数可以小于第二阻挡层ba2的介电常数。为了降低第一子基底ssub1的介电常数，第一子基底ssub1可以包括选自由氟(f)、硼(b)、砷(as)、磷(p)、氯(cl)、溴(br)、碘(i)、砹(at)、硫(s)、硒(se)和碲(te)组成的组中的至少一种掺杂剂。
[0101]
图5示出了掺杂有的氟(作为掺杂剂中的一种)的聚酰亚胺薄膜和未掺杂有氟的聚酰亚胺薄膜的介电常数与测量频率的关系。标记为kapton的未掺杂有氟的聚酰亚胺薄膜在1至1,000khz的频率范围内具有大致3.5的介电常数。另一方面，掺杂有氟的聚酰亚胺薄膜pi 5a、pi 5b和pi 5c表现出大致2.5至3的介电常数。从上面可以看出，含氟(即掺杂有氟)的聚酰亚胺薄膜的介电常数降低。因此，根据该实施例，第一子基底ssub1可以包含氟以减小介电常数。在一些实施例中，除氟以外，第一子基底ssub1还可以包含选自由硼(b)、砷(as)、磷(p)、氯(cl)、溴(br)、碘(i)、砹(at)、硫(s)、硒(se)和碲(te)组成的组中的至少一种掺杂剂。
[0102]
例如，根据该实施例，氟可以包括在第一子基底ssub1中以增加第一子基底ssub1的电导率。当第一子基底ssub1的电导率增加时，第一子基底ssub1中充电的电子可以容易地放电，并且可以控制晶体管的电场。
[0103]
参考图6和图7，图示出了随着用于将氟掺杂到聚酰亚胺(pi)薄膜中的时间(即“氟掺杂时间”)，聚酰亚胺(pi)薄膜的表面电导率和体电导率。在聚酰亚胺(pi)薄膜的表面上的一点和另一点处测量表面电导率，并且在聚酰亚胺(pi)薄膜的上表面上的一点以及下表面上的另一点处测量体电导率。
[0104]
如图6和图7中所示，聚酰亚胺薄膜的表面电导率和体电导率随着用于将氟掺杂到聚酰亚胺薄膜中的时间增加而增加。从上面可以看出，聚酰亚胺薄膜的电导率随着聚酰亚胺薄膜包含氟而改善。根据该实施例，在第一子基底ssub1中，通过包括选自由氟(f)、硼(b)、砷(as)、磷(p)、氯(cl)、溴(br)、碘(i)、砹(at)、硫(s)、硒(se)和碲(te)组成的组中的至少一种掺杂剂，可以通过增加第一子基底ssub1的电导率来减少电子充电。
[0105]
根据实施例，选自由氟(f)、硼(b)、砷(as)、磷(p)、氯(cl)、溴(br)、碘(i)、砹(at)、硫(s)、硒(se)和碲(te)组成的组中的至少一种掺杂剂可以通过使用合成方法或表面处理方法被包括在第一子基底ssub1中。
[0106]
最初，使用合成方法在第一子基底ssub1中包括氟的方法如下：
[0107]
如下面的反应式中所示，聚酰亚胺的合成可以通过这样的方式实施：将二酐单体和二胺单体放置在溶剂中；在溶剂中执行缩聚以制备作为具有羧基基团的聚酰胺的聚酰胺酸；以及对高温下所获得的聚酰胺酸执行酰亚胺化(脱水反应)以制备聚酰亚胺：
[0108]
[反应式]
[0109][0110]
根据本公开的实施例，可以通过使用包含氟的二酐单体或包含氟的二胺单体合成聚酰亚胺来制备聚酰亚胺。在制备聚酰胺酸之后，可以混合致孔剂化合物。
[0111]
包含氟的二酐单体的示例可以包括1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-双(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐。包含氟的二胺单体的示例可以包括2-氟-1,4-苯二胺、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷和2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷。
[0112]
在一些其它实施例中，可以将二酐单体、二胺单体和含氟化合物放进溶剂中，并且可以被合成以制备聚酰亚胺。含氟化合物可以包括例如具有r-cf3的官能团的化合物。在一些其它实施例中，在制备聚酰胺酸之后，可以添加包含氟的化合物以制备聚酰亚胺。
[0113]
尽管将包括在上述合成方法中的氟作为示例，但是选自由硼(b)、砷(as)、磷(p)、氯(cl)、溴(br)、碘(i)、砹(at)、硫(s)、硒(se)和碲(te)组成的组中的至少一种掺杂剂也可以以相同的方式被包括。此外，根据合成方法，由于掺杂剂可以均匀地分布遍及整个第一子基底ssub1，因此遍及整个第一子基底ssub1，掺杂剂的浓度可以是均匀的。
[0114]
使用表面处理方法在第一子基底ssub1中包括氟的方法可以是气体表面处理、等
离子体处理和离子注入中的一种。例如，气体表面处理可以通过在大致55℃的温度下向其上形成有薄膜的基底注入n2和f2气体或bf3气体来实施，以将氟或硼注入到第一子基底ssub1中。等离子体处理可以通过在其上形成有第一子基底ssub1的基底上使用包含氟的cf4或sf6气体或包含硼的bf3气体来实施。离子注入可以通过使用bf3气体注入离子并使用激光激活它们来实施。
[0115]
参考图8，由于上述表面处理方法在第一子基底ssub1的表面处注入掺杂剂，因此在第一子基底ssub1中可能发生浓度梯度。根据本公开的实施例，掺杂剂的浓度可以在第一子基底ssub1中从与第二阻挡层ba2接触的上表面向下表面降低。然而，依据掺杂剂注入工艺，比起第一子基底ssub1的上表面和下表面，第一子基底ssub1内部的掺杂剂的浓度可以是最大的。
[0116]
可以设置与第一子基底ssub1接触的第二阻挡层ba2。如上面所描述的，第二阻挡层ba2形成与第一子基底ssub1接触的界面，并且在第一子基底ssub1与第二阻挡层ba2之间的界面处可能发生电子充电和界面极化。
[0117]
根据该实施例，可以增加第二阻挡层ba2的介电常数以抑制电子充电和界面极化。如上面参照关系式所描述的，第一子基底ssub1的ε1р1的值可以大于第二阻挡层ba2的ε2р2的值。因此，根据该实施例，除了降低第一子基底ssub1的介电常数之外，还可以增加第二阻挡层ba2的介电常数以便增加第二阻挡层ba2的ε2р2的值。因此，可以通过减小第一子基底ssub1的ε1р1的值与第二阻挡层ba2的ε2р2的值之间的差来抑制界面极化。
[0118]
根据本公开的实施例，为了增加第二阻挡层ba2的介电常数，第二阻挡层ba2可以由具有高的介电常数的材料形成。第二阻挡层ba2可以包括选自由氮氧化硅(sion)、氮化硅(sin
x
)、氧化铝(al2o3)、氧化锆(zro2)、氧化铪(hfo2)、氧化钛(tio2)和氧化钽(tao2)组成的组中的一种。第二阻挡层ba2可以由单层或彼此堆叠的不同材料的多层构成。
[0119]
当第二阻挡层ba2的介电常数增加时，电阻率可以降低。由于电阻率和电导率彼此成反比，因此电导率可以随着第二阻挡层ba2的电阻率降低而增加。例如，氮化硅和氧化铝各自具有大致10
14
ωcm或更小的电阻率，并且氧化锆具有大致107至10
10
ωcm的电阻率。
[0120]
如图9中所示，随着第二阻挡层ba2的电导率增加，在第二阻挡层ba2与第一子基底ssub1之间的界面处充电的电子可以被分散。因此，根据该实施例，通过经由增加第二阻挡层ba2的介电常数来增加电导率，可以减少电子充电。
[0121]
参考图4，第二缓冲层bf2可以设置在第二阻挡层ba2上。第二缓冲层bf2用于将氢供给到稍后将描述的多晶硅半导体层105(有时被称为多晶硅半导体层105)。第二缓冲层bf2可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等，并且适当地可以包括氮化硅。
[0122]
第一缓冲层bf1可以设置在第二缓冲层bf2上。第一缓冲层bf1可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。
[0123]
多晶硅半导体层105可以设置在第一缓冲层bf1上。多晶硅半导体层105可以由非晶硅或多晶硅制成。结晶硅可以通过使非晶硅结晶来制备。结晶技术的示例可以包括快速热退火(rta)、固相结晶(spc)、准分子激光退火(ela)、金属诱导结晶(mic)、金属诱导横向结晶(milc)、顺序横向凝固(sls)等。
[0124]
多晶硅半导体层105可以包括在厚度方向(即，第三方向dr3)上与第二栅极电极121重叠的第二沟道区、定位在第二沟道区的一侧上的第二漏极区以及定位在第二沟道区
的另一侧上的第二源极区。
[0125]
下部栅极绝缘层111可以设置在多晶硅半导体层105上。下部栅极绝缘层111可以是具有栅极绝缘功能的栅极绝缘膜。下部栅极绝缘层111可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，下部栅极绝缘层111可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。它们可以单独使用或组合使用。下部栅极绝缘层111可以由单层或彼此堆叠的不同材料的多层构成。
[0126]
第一导电层120可以设置在下部栅极绝缘层111上。第一导电层120可以包括第二栅极电极121。第一导电层120可以包括选自由钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)组成的组中的至少一种金属。第一导电层120可以由单层或多层构成。
[0127]
上部栅极绝缘层112可以设置在包括第二栅极电极121的第一导电层120上。上部栅极绝缘层112可以是具有栅极绝缘功能的栅极绝缘膜。上部栅极绝缘层112可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，上部栅极绝缘层112可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。它们可以单独使用或组合使用。上部栅极绝缘层112可以由单层或彼此堆叠的不同材料的多层构成。
[0128]
第二导电层130可以设置在上部栅极绝缘层112上。第二导电层130可以包括选自由钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)组成的组中的至少一种金属。第二导电层130可以由单层或多层构成。
[0129]
第二导电层130可以包括第一下部栅极电极131和电容器电极133。第一下部栅极电极131可以设置为在厚度方向上与氧化物半导体层145的第一沟道区重叠。电容器电极133可以设置为在厚度方向上与多晶硅半导体层105的第二沟道区重叠。
[0130]
下部层间介电层113可以设置在第二导电层130上。下部层间介电层113可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，下部层间介电层113可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。它们可以单独使用或组合使用。下部层间介电层113可以由单层或彼此堆叠的不同材料的多层构成。
[0131]
氧化物半导体层145可以设置在下部层间介电层113上。氧化物半导体层145可以包括氧化物。氧化物可以包括选自锌(zn)、铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、镉(cd)、锗(ge)、铪(hf)中的一种或多种金属的氧化物或它们的组合。氧化物可以包括氧化铟镓锌(igzo)、氧化锌锡(zto)、氧化铟锡(izo)等中的至少一种。
[0132]
第一栅极绝缘层114可以设置在氧化物半导体层145上。第一栅极绝缘层114可以是具有栅极绝缘功能的栅极绝缘膜。第一栅极绝缘层114可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，第一栅极绝缘层114可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。它们可以单独使用或组合使用。第一栅极绝缘层114可以由单层或彼此堆叠的不同材料的多层构成。
[0133]
氧化物半导体层145的第一源极区和第一漏极区的上表面的一部分可以被第一栅极绝缘层114暴露。第一栅极绝缘层114可以设置为在厚度方向上与氧化物半导体层145的第一沟道区重叠并且可以设置为与第一源极区和第一漏极区不重叠。
[0134]
第三导电层150可以设置在第一栅极绝缘层114上。第三导电层150可以包括选自
由钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)组成的组中的至少一种金属。第三导电层150可以由单层或多层构成。
[0135]
第三导电层150可以包括第一上部栅极电极151。第一上部栅极电极151可以设置为在厚度方向上与第一栅极绝缘层114重叠。
[0136]
根据本公开的实施例，开关晶体管的栅极电极可以是包括第一上部栅极电极151和第一下部栅极电极131的双栅极电极。第一上部栅极电极151可以电连接到第一下部栅极电极131。电容器电极133和第二栅极电极121可以通过在电容器电极133与第二栅极电极121之间插入上部栅极绝缘层112来形成电容器。
[0137]
上部层间介电层115可以设置在第三导电层150上。上部层间介电层115可以覆盖第一上部栅极电极151、第一栅极绝缘层114的侧表面和氧化物半导体层145的在第一源极区和第一漏极区中的暴露的上表面。上部层间介电层115可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，上部层间介电层115可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。它们可以单独使用或组合使用。上部层间介电层115可以由单层或彼此堆叠的不同材料的多层构成。
[0138]
第四导电层160可以设置在上部层间介电层115上。第四导电层160可以包括选自由钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti))、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)组成的组中的至少一种金属。第四导电层160可以由单层或多层构成。
[0139]
第四导电层160可以包括第一源极电极161、第一漏极电极162、第二源极电极164和第二漏极电极165。第四导电层160还可以包括第一连接电极163。
[0140]
第一源极电极161和第一漏极电极162可以分别通过贯穿上部层间介电层115的接触孔cnt1和cnt3连接到第一源极区和第一漏极区。第二源极电极164和第二漏极电极165可以分别通过贯穿上部层间介电层115、下部层间介电层113以及栅极绝缘层111和112的接触孔cnt4和cnt5连接到多晶硅半导体层105的第二源极区和第二漏极区。
[0141]
第一连接电极163可以通过穿透上部层间介电层115的第二接触孔cnt2连接到第一上部栅极电极151。第一连接电极163电连接到第一上部栅极电极151，使得可以降低第一上部栅极电极151的电阻。
[0142]
第一通孔层116可以设置在第四导电层160上面。第一通孔层116可以包括无机绝缘材料或诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(bcb)的有机绝缘材料。第一通孔层116可以由单层或彼此堆叠的不同材料的多层构成。
[0143]
第五导电层170可以设置在第一通孔层116上。第五导电层170可以包括第二连接电极171。第五导电层170可以包括选自由钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)组成的组中的至少一种金属。第五导电层170可以由单层或多层构成。
[0144]
第二连接电极171可以通过部分地贯穿第一通孔层116的第六接触孔cnt6连接到第二漏极电极165以暴露第二漏极电极165的上表面。
[0145]
第二通孔层117可以设置在第一通孔层116和第二连接电极171上。第二通孔层117
可以与第一通孔层116包括相同的材料。阳极电极181可以设置在第二通孔层117上。阳极电极181可以通过贯穿第二通孔层117的接触孔连接到第二连接电极171。阳极电极181可以针对每个子像素sp(见图2)单独地设置。
[0146]
堤层118可以设置在阳极电极181上。堤层118可以包括部分地暴露阳极电极181的开口op。堤层118可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成。例如，堤层118可以包括光致刻蚀剂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、硅化合物和聚丙烯酸树脂等中的至少一种。
[0147]
有机发光层182可以设置在阳极电极181的上表面上以及堤层118的开口op中。阴极电极183可以设置在有机发光层182和堤层118上。阴极电极183可以是跨多个子像素sp(见图2)设置的公共电极。
[0148]
阳极电极181、有机发光层182和阴极电极183可以形成有机发光二极管180。
[0149]
封装层190可以设置在阴极电极183上。封装层190可以覆盖有机发光二极管180。封装层190可以是彼此交替地堆叠的无机层和有机层的堆叠。例如，封装层190可以包括以这样的顺序彼此堆叠的第一无机封装层191、有机封装层192和第二无机封装层193。
[0150]
如上面所描述的，在根据实施例的显示装置中，第一子基底ssub1的介电常数降低同时第二阻挡层ba2的介电常数增加，使得可以在彼此接触的第一子基底ssub1与第二阻挡层ba2之间的界面处减少电子充电和界面极化。
[0151]
图10是示出根据本公开的实施例的显示装置的另一示例的截面图。图11是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。图12是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。
[0152]
参考图10，在根据实施例的显示装置的另一示例中，与图4的实施例不同，第一缓冲层bf1附加地由具有高的介电常数的材料形成，从而增加第一缓冲层bf1的介电常数。通过这样做，可以增加电导率。第一缓冲层bf1可以设置在与第一缓冲层bf1接触的多晶硅半导体层105下面。由于第一缓冲层bf1设置为与多晶硅半导体层105接触，因此如果在第一缓冲层bf1中发生电子充电，则薄膜晶体管的特性可能被极大地影响。
[0153]
根据实施例，与上述第二阻挡层ba2一样，第一缓冲层bf1可以由具有高的介电常数的材料形成，使得可以增加第一缓冲层bf1的介电常数以增加电导率。当第一缓冲层bf1的电导率增加时，在第一缓冲层bf1中充电的电子可以被分散。因此，根据该实施例，通过经由增加第一缓冲层bf1的介电常数来增加电导率，可以减少电子充电。
[0154]
此外，参考图11，在根据实施例的显示装置的又一示例中，与图4的实施例不同，第三阻挡层ba3可以进一步设置在第二阻挡层ba2与第二缓冲层bf2之间。
[0155]
与上面所述的第一阻挡层ba1一样，第三阻挡层ba3可以防止杂质离子的扩散，可以防止湿气或外部空气的渗透，并且可以提供平坦的表面。第三阻挡层ba3可以包括氧化硅等。由于第三阻挡层ba3由具有比与第三阻挡层ba3接触的第二阻挡层ba2的介电常数更低的介电常数的材料制成，因此可以补充具有降低的绝缘性能的第二阻挡层ba2的绝缘。在一些实施例中，为了防止诸如氟的离子从包含氟等的第一子基底ssub1扩散，第三阻挡层ba3可以进一步形成在第二阻挡层ba2上。
[0156]
参考图12，在根据实施例的显示装置的又一示例中，与图11的实施例不同，第一缓冲层bf1附加地由具有高的介电常数的材料形成，从而增加第一缓冲层bf1的介电常数。通过这样做，可以增加电导率。
[0157]
如上面所描述的，由于第一缓冲层bf1设置为与多晶硅半导体层105接触，因此如果在第一缓冲层bf1中发生电子充电，则薄膜晶体管的特性可能被极大地影响。因此，根据该实施例，通过经由增加第一缓冲层bf1的介电常数来增加电导率，可以减少电子充电。
[0158]
在上述实施例中，第一子基底ssub1的介电常数小于第二阻挡层ba2的介电常数。然而，第一基体基底bsub1或第二基体基底bsub2可以表现出比第二阻挡层ba2或第一阻挡层ba1的介电常数更小的介电常数。
[0159]
图13是示出根据本公开的实施例的显示装置的截面图。
[0160]
参考图13，根据实施例的显示装置可以包括设置在第一基体基底bsub1上的第一阻挡层ba1、设置在第一阻挡层ba1上的第一子基底ssub1、设置在第一子基底ssub1上的第二基体基底bsub2、设置在第二基体基底bsub2上的第二阻挡层ba2、设置在第二阻挡层ba2上的第二缓冲层bf2、设置在第二缓冲层bf2上的第一缓冲层bf1、设置在第一缓冲层bf1上的开关晶体管st、驱动晶体管dt和有机发光二极管180。
[0161]
根据图13的实施例，第一阻挡层ba1可以由具有较高的介电常数的材料制成，并且与第一阻挡层ba1接触的第一子基底ssub1可以具有较低的介电常数。
[0162]
根据本公开的实施例，第一阻挡层ba1可以与上面描述的图4的第二阻挡层ba2相同。具体地，第一阻挡层ba1形成与第一子基底ssub1接触的界面，并且在第一子基底ssub1与第一阻挡层ba1之间的界面处可能发生电子充电和界面极化。
[0163]
根据该实施例，可以增加第一阻挡层ba1的介电常数以抑制电子充电和界面极化。第一阻挡层ba1可以包括选自由氮氧化硅(sion)、氮化硅(sin
x
)、氧化铝(al2o3)、氧化锆(zro2)、氧化铪(hfo2)、氧化钛(tio2)和氧化钽(tao2)组成的组中的一种。
[0164]
随着第一阻挡层ba1的介电常数增加，电导率可以增加，并且因此，在与第一子基底ssub1的界面处充电的电子可以被分散。因此，根据该实施例，通过经由增加第一阻挡层ba1的介电常数来增加电导率，可以减少电子充电。
[0165]
此外，形成与第一阻挡层ba1接触的界面的第一子基底ssub1可以与上面描述的图4的第一子基底ssub1相同。具体地，第一子基底ssub1形成与第一阻挡层ba1接触的界面，并且在第一子基底ssub1与第一阻挡层ba1之间的界面处可能发生电子充电和界面极化。因此，第一子基底ssub1包括氟或硼，并且因此降低介电常数并改善电导率，从而抑制在与第一阻挡层ba1的界面处的电子充电和界面极化。
[0166]
第二基体基底bsub2可以设置在第一子基底ssub1上。通过用增加的电导率补充第一子基底ssub1的绝缘性能，第二基体基底bsub2可以作为绝缘基底。
[0167]
图14是示出根据本公开的实施例的显示装置的另一示例的截面图。图15是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。
[0168]
参考图14，在根据实施例的显示装置的另一示例中，与图13的实施例不同，第二阻挡层ba2附加地由具有高的介电常数的材料形成，从而增加第二阻挡层ba2的介电常数。通过这样做，可以增加电导率。
[0169]
第二阻挡层ba2可以设置在第二基体基底bsub2上以形成与第二基体基底bsub2的界面。如上面所描述的，在第二阻挡层ba2与第二基体基底bsub2之间的界面处可能发生电子充电和界面极化。
[0170]
根据该实施例，通过增加第二阻挡层ba2的介电常数和电导率，可以减少电子充电
和界面极化。
[0171]
参考图15，在根据实施例的显示装置的又一示例中，与图14的实施例不同，第一缓冲层bf1附加地由具有高的介电常数的材料形成，从而增加第一缓冲层bf1的介电常数。通过这样做，可以增加电导率。
[0172]
第一缓冲层bf1可以设置在与第一缓冲层bf1接触的多晶硅半导体层105下面。由于第一缓冲层bf1设置为与多晶硅半导体层105接触，因此如果在第一缓冲层bf1中发生电子充电，则薄膜晶体管的特性可能被极大地影响。
[0173]
根据实施例，与上述第二阻挡层ba2一样，第一缓冲层bf1可以由具有高的介电常数的材料形成，使得可以增加第一缓冲层bf1的介电常数以增加电导率。当第一缓冲层bf1的电导率增加时，在第一缓冲层bf1中充电的电子可以被分散。因此，根据该实施例，通过经由增加第一缓冲层bf1的介电常数来增加电导率，可以减少电子充电。
[0174]
图16是示出根据本公开的实施例的显示装置的截面图。图17是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。图18是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。图19是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。图20是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。
[0175]
参考图16，根据实施例的显示装置可以包括设置在第一基体基底bsub1上的第一子基底ssub1、设置在第一子基底ssub1上的第一阻挡层ba1、设置在第一阻挡层ba1上的第二子基底ssub2、设置在第二子基底ssub2上的第二阻挡层ba2、设置在第二阻挡层ba2上的第二缓冲层bf2、设置在第二缓冲层bf2上的第一缓冲层bf1、设置在第一缓冲层bf1上的开关晶体管st、驱动晶体管dt和有机发光二极管180。
[0176]
图16的实施例与各实施例的不同之处在于，第一子基底ssub1、第一子基底ssub1上的第一阻挡层ba1以及第一阻挡层ba1上的第二子基底ssub2设置在第一基体基底bsub1与第二阻挡层ba2之间。
[0177]
根据本公开的实施例，第一子基底ssub1和第二子基底ssub2可以具有较低的介电常数，而设置在第一子基底ssub1与第二子基底ssub2之间的第一阻挡层ba1可以由具有较高的介电常数的材料制成。
[0178]
根据本公开的实施例，第一阻挡层ba1可以与上面描述的图4的第二阻挡层ba2相同。具体地，第一阻挡层ba1和与第一阻挡层ba1接触的第一子基底ssub1和第二子基底ssub2中的每一个形成界面，并且在第一子基底ssub1与第一阻挡层ba1之间的界面以及第二子基底ssub2与第一阻挡层ba1之间的界面处可能发生电子充电和界面极化。
[0179]
根据该实施例，可以增加第一阻挡层ba1的介电常数以抑制电子充电和界面极化。第一阻挡层ba1可以包括选自由氮氧化硅(sion)、氮化硅(sin
x
)、氧化铝(al2o3)、氧化锆(zro2)、氧化铪(hfo2)、氧化钛(tio2)和氧化钽(tao2)组成的组中的一种。
[0180]
随着第一阻挡层ba1的介电常数增加，电导率可以增加，并且因此，在与第一子基底ssub1的界面和与第二子基底ssub2的界面处充电的电子可以被分散。因此，根据该实施例，通过经由增加第一阻挡层ba1的介电常数来增加电导率，可以减少电子充电。
[0181]
此外，分别形成与第一阻挡层ba1接触的界面的第一子基底ssub1和第二子基底ssub2可以与上面描述的图4的第一子基底ssub1相同。具体地，第一子基底ssub1和第二子基底ssub2中的每一个形成与第一阻挡层ba1接触的界面，并且在第一子基底ssub1与第一
阻挡层ba1之间的界面以及第二子基底ssub2与第一阻挡层ba1之间的界面处可能发生电子充电和界面极化。因此，第一子基底ssub1和第二子基底ssub2包括氟或硼，并且因此降低介电常数并改善电导率，从而抑制在与第一阻挡层ba1的界面处的电子充电和界面极化。
[0182]
参考图17，在根据实施例的显示装置的又一示例中，与图16的实施例不同，第二阻挡层ba2附加地由具有高的介电常数的材料形成，从而增加第二阻挡层ba2的介电常数。通过这样做，可以增加电导率。
[0183]
第二阻挡层ba2可以设置在第二子基底ssub2上以形成与第二子基底ssub2的界面。如上面所描述的，在第二阻挡层ba2与第二子基底ssub2之间的界面处可能发生电子充电和界面极化。
[0184]
根据该实施例，通过增加第二阻挡层ba2的介电常数和电导率，可以减少在与第二子基底ssub2的界面处可能发生的电子充电和界面极化。
[0185]
参考图18，在根据实施例的显示装置的又一示例中，与图17的实施例不同，第一缓冲层bf1附加地由具有高的介电常数的材料形成，从而增加第一缓冲层bf1的介电常数。通过这样做，可以增加电导率。
[0186]
第一缓冲层bf1可以设置在与第一缓冲层bf1接触的多晶硅半导体层105下面。由于第一缓冲层bf1设置为与多晶硅半导体层105接触，因此如果在第一缓冲层bf1中发生电子充电，则薄膜晶体管的特性可能被极大地影响。
[0187]
根据实施例，与上述第二阻挡层ba2一样，第一缓冲层bf1可以由具有高的介电常数的材料形成，使得可以增加第一缓冲层bf1的介电常数以增加电导率。当第一缓冲层bf1的电导率增加时，在第一缓冲层bf1中充电的电子可以被分散。因此，根据该实施例，通过经由增加第一缓冲层bf1的介电常数来增加电导率，可以减少电子充电。
[0188]
此外，参考图19，在根据实施例的显示装置的又一示例中，与图17的实施例不同，第三阻挡层ba3设置在第一阻挡层ba1与第二子基底ssub2之间，并且第四阻挡层ba4设置在第二缓冲层bf2与第二阻挡层ba2之间。
[0189]
第三阻挡层ba3可以设置为与第一阻挡层ba1接触，并且第四阻挡层ba4可以设置为与第二阻挡层ba2接触。
[0190]
与上面参照图4描述的第一阻挡层ba1一样，第三阻挡层ba3和第四阻挡层ba4中的每一个可以防止杂质离子的扩散，可以防止湿气或外部空气的渗透，并且可以提供平坦的表面。第三阻挡层ba3和第四阻挡层ba4中的每一个可以包括氧化硅等。由于第三阻挡层ba3和第四阻挡层ba4由具有比第一阻挡层ba1和第二阻挡层ba2的介电常数更低的介电常数的材料制成，因此可以补充具有降低的绝缘性能的第一阻挡层ba1和第二阻挡层ba2的绝缘。
[0191]
此外，在一些实施例中，为了防止诸如氟的离子从包含氟等的第一子基底ssub1和第二子基底ssub2扩散，第三阻挡层ba3可以形成在第一阻挡层ba1上并且第四阻挡层ba4可以进一步形成在第二阻挡层ba2上。
[0192]
参考图20，在根据实施例的显示装置的又一示例中，与图19的实施例不同，第一缓冲层bf1附加地由具有高的介电常数的材料形成，从而增加第一缓冲层bf1的介电常数。通过这样做，可以增加电导率。
[0193]
根据实施例，与上述第二阻挡层ba2一样，第一缓冲层bf1可以由具有高的介电常数的材料形成，使得可以增加第一缓冲层bf1的介电常数以增加电导率。当第一缓冲层bf1
的电导率增加时，在第一缓冲层bf1中充电的电子可以被分散。因此，根据该实施例，通过经由增加第一缓冲层bf1的介电常数来增加电导率，可以减少电子充电。
[0194]
图21是示出根据本公开的实施例的显示装置的截面图。图22是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。图23是示出根据本公开的实施例的显示装置的又一示例的截面图。
[0195]
参考图21，根据实施例的显示装置可以包括设置在第一基体基底bsub1上的第一阻挡层ba1、设置在第一阻挡层ba1上的第二基体基底bsub2、设置在第二基体基底bsub2上的第一子基底ssub1、设置在第一子基底ssub1上的第三基体基底bsub3、设置在第三基体基底bsub3上的第二子基底ssub2、设置在第二子基底ssub2上的第二阻挡层ba2、设置在第二阻挡层ba2上的第二缓冲层bf2、设置在第二缓冲层bf2上的第一缓冲层bf1、设置在第一缓冲层bf1上的开关晶体管st、驱动晶体管dt和有机发光二极管180。
[0196]
图21的实施例与图4的上述实施例的不同之处在于，第一子基底ssub1、第三基体基底bsub3和第二子基底ssub2设置在第二基体基底bsub2与第二阻挡层ba2之间。具体地，第一子基底ssub1可以设置在第二基体基底bsub2上，第三基体基底bsub3可以设置在第一子基底ssub1上，并且第二子基底ssub2可以设置在第三基体基底bsub3上。
[0197]
根据本公开的实施例，第一子基底ssub1和第二子基底ssub2可以具有较低的介电常数，而设置在第二子基底ssub2上的第二阻挡层ba2可以由具有较高的介电常数的材料制成。
[0198]
第一子基底ssub1和第二子基底ssub2可以与上面描述的图4的第一子基底ssub1相同。具体地，第一子基底ssub1可以设置在第二基体基底bsub2与第三基体基底bsub3之间以与第二基体基底bsub2和第三基体基底bsub3一起作为基底并且可以支撑上述晶体管st和dt和有机发光二极管180。特别地，第一子基底ssub1包含氟或硼，并且因此降低介电常数并改善电导率，从而抑制在与第二基体基底bsub2或第三基体基底bsub3的界面处的电子充电和界面极化。
[0199]
第二子基底ssub2形成与第二阻挡层ba2接触的界面，并且在第二子基底ssub2与第二阻挡层ba2之间的界面处可能发生电子充电和界面极化。因此，第二子基底ssub2包括氟或硼，并且因此降低介电常数并改善电导率，从而抑制在与第二阻挡层ba2的界面处的电子充电和界面极化。
[0200]
根据本公开的实施例，第二阻挡层ba2可以与上面描述的图4的第二阻挡层ba2相同。具体地，第二阻挡层ba2形成与第二子基底ssub2接触的界面，并且在第二阻挡层ba2与第二子基底ssub2之间的界面处可能发生电子充电和界面极化。
[0201]
根据该实施例，可以增加第二阻挡层ba2的介电常数以抑制电子充电和界面极化。第二阻挡层ba2可以包括选自由氮氧化硅(sion)、氮化硅(sin
x
)、氧化铝(al2o3)、氧化锆(zro2)、氧化铪(hfo2)、氧化钛(tio2)和氧化钽(tao2)组成的组中的一种。
[0202]
随着第二阻挡层ba2的介电常数增加，电导率可以增加，并且因此，在与第二子基底ssub2的界面处充电的电子可以被分散。因此，根据该实施例，通过经由增加第二阻挡层ba2的介电常数来增加电导率，可以减少电子充电。
[0203]
参考图22，在根据实施例的显示装置的又一示例中，与图21的实施例不同，第一缓冲层bf1由具有高的介电常数的材料形成，从而增加第一缓冲层bf1的介电常数。通过这样
做，可以增加电导率。
[0204]
第一缓冲层bf1可以设置在与第一缓冲层bf1接触的多晶硅半导体层105下面。由于第一缓冲层bf1设置为与多晶硅半导体层105接触，因此如果在第一缓冲层bf1中发生电子充电，则薄膜晶体管的特性可能被极大地影响。
[0205]
根据实施例，与上述第二阻挡层ba2一样，第一缓冲层bf1可以由具有高的介电常数的材料形成，使得可以增加第一缓冲层bf1的介电常数以增加电导率。当第一缓冲层bf1的电导率增加时，在第一缓冲层bf1中充电的电子可以被分散。因此，根据该实施例，通过经由增加第一缓冲层bf1的介电常数来增加电导率，可以减少电子充电。
[0206]
此外，参考图23，在根据实施例的显示装置的又一示例中，与图22的实施例不同，第三阻挡层ba3可以进一步设置在第二缓冲层bf2与第二阻挡层ba2之间。
[0207]
第三阻挡层ba3可以设置为与第二阻挡层ba2接触。与上面参照图4描述的第一阻挡层ba1一样，第三阻挡层ba3可以防止杂质离子的扩散，可以防止湿气或外部空气的渗透，并且可以提供平坦的表面。第三阻挡层ba3可以包括氧化硅等。由于第三阻挡层ba3由具有比第二阻挡层ba2的介电常数更低的介电常数的材料制成，因此可以补充具有降低的绝缘性能的第二阻挡层ba2的绝缘。此外，在一些实施例中，为了防止诸如氟的离子从包含氟等的第一子基底ssub1和第二子基底ssub2扩散，第三阻挡层ba3可以形成在第二阻挡层ba2上。
[0208]
在结束详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离本发明构思的原理的情况下可以对实施例进行许多变化和修改。因此，所公开的实施例仅以一般性和描述性的意义使用而不是出于限制的目的。

技术特征：
1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：第一基体基底；第一阻挡层，设置在所述第一基体基底上；第二基体基底，设置在所述第一阻挡层上；第一子基底，设置在所述第二基体基底上并且包括选自由氟、硼、砷、磷、氯、溴、碘、砹、硫、硒、氩和碲组成的组中的至少一种掺杂剂；第二阻挡层，设置在所述第一子基底上；第二缓冲层，设置在所述第二阻挡层上；第一缓冲层，设置在所述第二缓冲层上；至少一个晶体管，设置在所述第一缓冲层上；以及有机发光二极管，设置在所述至少一个晶体管上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子基底与所述第二阻挡层接触，并且所述第一子基底的介电常数小于所述第二阻挡层的介电常数。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一子基底和所述第二阻挡层中的每一个的所述介电常数和电阻率满足以下关系式：ε1р1≠ε2р2其中，ε1表示所述第一子基底的所述介电常数，р1表示所述第一子基底的所述电阻率，ε2表示所述第二阻挡层的所述介电常数，并且р2表示所述第二阻挡层的所述电阻率。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一子基底的ε1р1的值大于所述第二阻挡层的ε2р2的值。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子基底的介电常数的范围为2至3.8。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述掺杂剂的浓度从所述第一子基底的与所述第二阻挡层接触的上表面到所述第一子基底的下表面降低。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子基底的所述掺杂剂的浓度是均匀的。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二阻挡层具有5或更大的介电常数，并且包括选自由sion、sin
x
、al2o3、zro2、hfo2、tio2和tao2组成的组中的至少一种。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一缓冲层具有5或更大的介电常数，并且包括选自由sion、sin
x
、al2o3、zro2、hfo2、tio2和tao2组成的组中的至少一种。10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：第三阻挡层，设置在所述第二阻挡层与所述第二缓冲层之间，其中，所述第三阻挡层的介电常数小于所述第二阻挡层的所述介电常数。

技术总结
提供了一种显示装置。显示装置包括：第一基体基底；第一阻挡层，设置在第一基体基底上；第二基体基底，设置在第一阻挡层上；第一子基底，设置在第二基体基底上并且包括选自由氟(F)、硼(B)、砷(As)、磷(P)、氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、砹(At)、硫(S)、硒(Se)、氩(Ar)和碲(Te)组成的组中的至少一种掺杂剂；第二阻挡层，设置在第一子基底上；第二缓冲层，设置在第二阻挡层上；第一缓冲层，设置在第二缓冲层上；至少一个晶体管，设置在第一缓冲层上；以及有机发光二极管，设置在至少一个晶体管上。设置在至少一个晶体管上。设置在至少一个晶体管上。


技术研发人员：宣钟白 金德会 金勋
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.11.11
技术公布日：2022/5/25