扬声器的混合振膜结构以及平面式振膜扬声器的制作方法

1.本发明实施例涉及一种扬声器的混合振膜结构以及平面式振膜扬声器。


背景技术：

2.随着电子和信息产业的快速发展，多媒体播放器设备也朝越来越小型化和便携化而发展。例如，电子便携式媒体播放器(pmp)或数字音频播放器(dap)即是一种可以存储和播放多媒体文件的便携式电子设备。上述设备都需要扬声器来播放声音，但是现有的扬声器结构和制造技术不利于集成到需要轻薄短小的多媒体播放设备中。为了弥补这种不足，开发了以下技术手段。


技术实现要素：

3.本发明提供了一种混合振膜结构、包括所述混合振膜结构的平面式振膜扬声器、以及形成具有混合振膜结构的平面式振膜扬声器的方法。混合振膜结构包括集成在振膜上的音圈，有助于实现小型化。此外，用于形成混合振膜的方法可以集成在半导体制造工艺中。因此，包括混合振膜结构的平面式振膜扬声器可以与其他应用例如led/oled显示器集成，进一步提高了平面式振膜扬声器的实用性。
4.本发明的实施例涉及提供了一种混合振膜结构。所述混合振膜结构包括衬底、设置于所述衬底中央区域的第一振膜、设置于所述第一振膜上的第一线圈结构、将所述第一振膜和所述第一线圈结构自所述衬底分开的第一凹槽、以及耦合所述第一振膜到所述衬底的第一桥接结构。所述第一振膜和所述衬底包括相同的材料。
5.本发明的实施例涉及一种平面式振膜扬声器。所述平面式振膜扬声器包括第一衬底、第二衬底、连接所述第一衬底到所述第二衬底的边框、设置于所述第一衬底内的混合振膜、分隔所述混合振膜与所述第一衬底的凹槽、以及耦合所述混合振膜到所述第一衬底的桥接结构。所述第二衬底具有面对所述第一衬底的第一表面，以及与所述第一表面相反的第二表面。所述混合振膜包括振动部分和线圈结构。所述混合振膜的所述振动部分具有面对所述第二衬底的第三表面，以及与第三表面相反的第四表面。所述线圈结构配置于所述振动部分的所述第三表面上。所述混合振膜的所述振动部分和所述第一衬底包括相同的材料。
附图说明
6.从结合附图来阅读的以下具体实施方式最好理解本公开的方面。应注意，根据行业标准做法，各种构件未按比例绘制。事实上，为使论述清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。
7.图1是本揭示的平面式振膜扬声器的实施例的示意图。
8.图2a到图2d是本揭示中不同线圈结构的实施例的示意图。
9.图3是绘示根据图1中i-i'切线所得的剖面示意图。
10.图4是本揭示的平面式振膜扬声器的混合振膜结构的实施例的示意图。
11.图5是本揭示的平面式振膜扬声器的混合振膜结构的实施例的示意图。
12.图6是本揭示的平面式振膜扬声器的实施例的示意图。
13.图7是本揭示的平面式振膜扬声器的实施例的示意图。
14.图8是本揭示的平面式振膜扬声器的混合振膜结构的实施的示意图。
15.图9是本揭示的平面式振膜扬声器的混合振膜结构的实施的示意图。
16.图10a是本揭示的平面式振膜扬声器的实施例的示意图，图10b是平面式振膜扬声器的上视图。
17.图11是本揭示的平面式振膜扬声器的实施例的示意图。
18.图12是本揭示的平面式振膜扬声器的实施例的示意图。
19.图13是本揭示的平面式振膜扬声器的实施例的示意图。
20.图14、15、16a及16b是本发明的混合振膜结构制作方法的实施例的阶段示意图，其中图16b是图16a的上视图。
21.图17至25是本发明的混合振膜结构制作方法的实施例的阶段示意图。
22.图26a、26b及27至32是本发明的平面式振膜扬声器制作方法的实施例的阶段示意图。
具体实施方式
23.在以下详细描述中，阐述了许多具体细节以提供对本公开的透彻理解。然而，本领域技术人员应可理解，可以在没有这些具体细节的情况下，实施本发明。在其他情况下，为避免混淆本发明，众所周知的方法、过程、组件和电路未予赘述。
24.本发明提供了多种可用于实现膜片的实施例，所述振膜提供优于扬声器中使用的其他类型振膜的显着性能优势。
25.下面详细讨论本发明实施例的制作和使用。然而，应当理解的是，本揭露提供了可以实施于不同种特定用途中的发明概念。在此讨论的特定实施例仅是说明性的，并不限制本发明所提供的范围。
26.请参考图1，根据本发明的一些实施例，提供了一种平面式振膜扬声器100，如一平面式玻璃振膜扬声器。平面式振膜扬声器100包括第一衬底110、第二衬底120、以及连接第一衬底110至第二衬底120的边框130。第一衬底110和第二衬底120可以包括相同的材料。举例来说，第一衬底110与第二衬底120均可包括玻璃或石英，但本发明不限于此。在其他实施例中，第一衬底110和第二衬底120可以包括不同的材料。例如，第一衬底110可以包括玻璃或石英，而第二衬底120可以包括金属或pcb。在一些实施例中，第一衬底110可被称为上玻璃衬底，而第二衬底120可被称为下玻璃衬底，但本发明不限于此。在一些实施例中，第一衬底110的厚度与第二衬底120的厚度可分别介于约0.03毫米(mm)与约0.7mm之间，但本发明不限于此。在一些实施例中，第一衬底110的厚度与第二衬底120的厚度可分别介于约0.03mm与约0.1mm之间，但本发明不限于此。第一衬底110的厚度与第二衬底120的厚度可相同或不同，端视产品或工艺要求而定。
27.边框130可以包括一密封材。在一些实施例中，密封材可以是环氧基树脂。优选地，这种材料允许尽可能少的湿气和氧气渗透边框130。此外，玻璃、石英或由玻璃纤维增强塑
料(fiberglass-reinforced plastics，frp)、聚氟乙烯(polyvinyl fluoride，pvf)制成的塑料、聚酯、丙烯酸等，皆可作为衬底的材料。在一些实施例中，边框130的厚度可用来定义第一衬底110与第二衬底120之间的距离，但本发明不限于此。
28.在一些实施例中，可形成穿透第二衬底120的开孔140(如图6与图7所示)，但本发明不限于此。例如，在一些实施例中，形成穿透边框130的开孔140，如图1所示。开孔140的数量或排列方式可根据产品要求进行调整或修改。此外，开孔140用于改善共振。
29.请参考图1至图3，平面式振膜扬声器100包括设置在第一衬底110内的混合振膜150。在一些实施例中，混合振膜150设置在第一衬底110的中心区域，如图1所示，但本发明不限于此。在一些实施例中，第一衬底110和混合振膜150可以被定义为混合振膜结构200。参考图1，混合振膜150可包括振动部分(也称为振膜)152和设置于振动部分152面向第二衬底120的表面上的线圈结构154(也称为音圈)。参考图2a至图2d，线圈结构154的形状和图案可以根据产品的需求而不同。参考图3和图4，线圈结构154可包括多个导电线圈156和多个将导电线圈156分开的绝缘层158。后续将描述导电线圈156和绝缘层158的制作方法。
30.平面式振膜扬声器100还包括分隔混合振膜150(即振膜152和线圈结构154)与第一衬底110的沟槽160。应当注意的是，振动部分(即振膜)152和第一衬底110包括相同的材料。在一些实施例中，混合振膜150的尺寸和形状由沟槽160定义，如图2所示。因此，混合振膜150可以具有多边形(例如，矩形)形状、圆形形状或椭圆形形状。沟槽160的深度等于第一衬底110的厚度。此外，平面式振膜扬声器100包括耦合混合振膜150至第一衬底110的桥接结构170。因此，混合振膜150(包括振膜152以及线圈结构154)可由桥接结构170所定义的平衡位置振动，而桥接结构170可作为阻尼器(damper)。此外，可通过改变桥接结构170的长度、宽度和/或厚度来调整阻尼器参数(compliance)。需要注意的是，当沟槽160的深度等于第一衬底的厚度时110，如图3所示，混合振膜150仅通过桥接结构170悬挂并连接到第一衬底110。因此，阻尼器参数可通过改变桥接结构170的长度、宽度和/或厚度等而调整。
31.参考图4，如上所述，沟槽160不仅定义了振膜152的形状和尺寸，而且还与桥接结构170的数量一起作为混合振膜150的阻尼器。如图4所示，通过改变沟槽160之间的桥接结构170的数量、桥接结构170的宽度、桥接结构170的长度以及桥接结构170的厚度，可以调整混合振膜150的的阻尼器参数。
32.参考图5，在一些实施例中，可在沟槽160上方设置一材料层162，并利用材料层162将第一衬底110耦合至振膜152。材料层162可以包括uv固化材料。在一些实施例中，材料层162用作环绕物(surround)和阻尼器，因此可以通过改变材料层162的厚度或/和硬度调整阻尼器参数。
33.在一些实施例中，可轻量化振膜152。例如，可同时减少第一衬底110的厚度和振膜152的厚度。在其他实施例中，可以仅减少振膜152的厚度。参考图6，可减少振膜152的厚度到小于第一衬底110的厚度。在一些实施例中，振膜152具有面对第二衬底120的第一表面152a，和与第一表面152a相反的第二表面152b。在这些实施例中，第二表面152b可以与第一衬底110的外表面(即，面向环境的表面)对齐，如图7所示，但本发明不限于此。
34.在一些实施例中，可提供其他方法以符合轻量化的要求。例如，可在振膜152的第一表面152a上形成多个凹槽151。凹槽151从第一表面152a朝向第二表面152b凹进。在其他实施例中，可以在振膜152的第二表面152b上形成多个凹槽153，并且从第二表面152b朝向
第一表面152a凹进。此外，在一些实施例中，可在振膜152的第一表面152a上形成凹槽151，而在振膜152的第二表面152b上形成凹槽153，如图7所示。凹槽151和凹槽153可交替排列。在一些实施例中，凹槽151和凹槽153可排列成图案。例如，凹槽151和凹槽153可以排列成蜂巢图案，但本发明不限于此。在一些实施例中，线圈结构154围绕前述图案，如图8所示。线圈结构154可以偏离凹槽151和153。或者，线圈结构154可以与凹槽151和/或153重迭，取决于产品要求。
35.参考图8，平面式振膜扬声器100可包括多个混合振膜150-1和150-2。在一些实施例中，混合振膜150-1的尺寸不同于混合振膜150-2的尺寸。在一些实施例中，混合振膜150-1设置在第一衬底110的中心区域，而混合振膜150-2设置在混合振膜150-1的中心区域。混合振膜150-1包括振动部分(即，振膜)152-1以及设置于振动部分152-1上的线圈结构154-1。混合振膜150-1通过沟槽160-1与第一衬底110分隔，并通过桥接结构170-1耦合至第一衬底110。混合振膜150-2包括振动部分(即，振膜)152-2以及设置于振动部分152-2上的线圈结构154-2。此外，线圈结构154-1与线圈结构154-2设置于第一衬底110的同一侧。参考图8，混合振膜150-2通过沟槽160-2与混合振膜150-1分隔，并且通过桥接结构170-2耦合至混合振膜150-1。在一些实施例中，混合振膜150-1和150-2可排列形成同心图案，如图8所示，但本发明不限于此。在一些实施例中，桥接结构170-1和170-2彼此对齐。混合振膜150-1和混合振膜150-2以不同的频率独立地振动。此外，混合振膜150-1和混合振膜150-2的频率可以通过改变振膜152-1和152-2的尺寸以及改变振膜152-1和152-2的阻尼器参数来调整。如上所述，由于振膜152-1和152-2的形状和尺寸由沟槽160-1和160-2所定义，因此混合振膜150-1和150-2的阻尼器参数也可以通过改变沟槽160-1和160-2的数量、桥接结构170-1和170-2的长度、桥接结构170-1和170-2的宽度来调整，以及通过改变桥接结构170-1和170-2的厚度以及沟槽160-1和160-2上方的材料层(未示出)的厚度和硬度来调整。
36.应当注意的是，混合振膜150-1和150-2的配置并不限于上述模式。参考图9，平面式振膜扬声器100可以包括多个混合振膜150-1、150-2和150-3。混合振膜150-1、150-2和150-3根据不同的产品要求排列设置。例如，混合振膜150-1、150-2和150-3可以沿着第一衬底110的中心轴设置。此外，混合振膜150-1、150-2和150-3可以沿第一衬底110的中心轴分别对称，但本发明不限于此。在一些实施例中，混合振膜150-1的尺寸、混合振膜150-2的尺寸和混合振膜150-3的尺寸彼此不同。混合振膜150-1、150-2和150-3通过第一衬底110彼此分开。混合振膜150-1包括振膜152-1和设置于振膜152-1上的线圈结构154-1。此外，混合振膜150-1通过沟槽160-1与第一衬底110分隔，并且通过桥接结构(未示出)耦合至第一衬底110。混合振膜150-2包括振膜152-2和设置于振膜152-2上的线圈结构154-2。此外，混合振膜150-2通过沟槽160-2与第一衬底110分隔，并且通过桥接结构(未示出)耦合至第一衬底110。混合振膜150-3包括振膜152-3和设置于振膜152-3上的线圈结构154-3。此外，混合振膜150-3通过沟槽160-3与第一衬底110分隔，并且通过桥接结构(未示出)耦合至第一衬底110。在一些实施例中，混合振膜150-1、150-2和150-3的桥接结构可以与第一衬底110的中心轴对齐。在其他实施例中，混合振膜150-1、150-2和150-3的桥接结构可以有不同的排列配置。混合振膜150-1、150-2和150-3以不同的频率独立地振动。此外，混合振膜150-1、150-2和150-3的频率可以通过改变振膜152-1、152-2和150-3的尺寸以及改变振膜152-1、152-2和150-3的阻尼参数来调整。如上所述，由于振膜152-1、150-2和150-3的形状和尺寸由沟槽
160-1、160-2和160-3所定义，因此混合振膜150-1、150-2和150-3的阻尼参数可以通过改变沟槽160-1、160-2和160-3的数量、桥接结构的长度、桥接结构的宽度、桥接结构的厚度来调整，以及通过调整凹槽160-1、160-2和160-3上的材料层(未示出)的厚度和硬度来调。
37.参考图10a和10b，可于第二衬底120上设置磁铁180。在一些实施例中，磁铁180设置于第二衬底120面向第一衬底110的表面122a上。另外，脉冲密度调制(pulse density modulation，pdm)驱动电路以及包括放大器和蓝牙功能的电路182可以设置于第二衬底120与磁铁180相反的表面122b上。此外，磁铁180的磁极分别面向第一衬底110和第二衬底120。第二衬底120上的磁铁180提供磁场，以提升平面式振膜扬声器100的性能。
38.在一些实施例中，脉冲密度调制驱动ic和电路182可以从第二衬底120中省略，如图11所示。在一些实施例中，磁铁180可设置在表面122b上，如图12所示。在其他实施例中，磁铁180可分别设置在第二衬底120的表面122a和122b上，从而增加磁通量，如图13所示。
39.上述平面式振膜扬声器100的混合振膜结构200可以通过多种合适的方法形成。图14至16b即为用于形成混合振膜结构200的方法的各个阶段的示意图。在这些实施例中，线圈结构154的导电线圈156可由金属箔155例如铜箔形成。导电线圈156的图案可以包括图2a至2d所示的图案，但本发明不限于此。
40.参考图15，铜箔155和导电线圈156可通过黏合层157贴附至第一衬底110。参考图16a和16b，可在导电线圈156和金属箔155上方形成保护层159。保护层159可包括绝缘材料。此后，在保护层159中形成开口，并形成导线156c以填充开口。导电线156c分别耦合至导电线圈156的两端。在一些实施例中，导线156c可包括银胶或银膏，但本发明不限于此。在一些实施例中，导电线圈156可以包括多层结构，且此多层结构可通过贴附金属箔155的膜层形成。
41.图17至25是混合振膜结构200的另一种形成方法的各阶段的示意图。参考图17，在承载衬底103上附接块体衬底(bulk substrate)，且块体衬底可定义有多个第一衬底110。随后，可以执行玻璃强化工艺。在一些实施例中，该工艺可以包括化学强化。在一些实施例中，可均质化非晶材料、或可将氮化硅、氧化硅和氮氧化硅涂覆在第一衬底110的表面上以强化玻璃。在其他实施例中，化学强化和涂层强化可以交替进行，以形成可强化玻璃的混合结构。在一些实施例中，可在玻璃强化工艺之前进行玻璃轻量化工艺。玻璃轻量化工艺可以在整个第一衬底110上进行，或者在要形成振膜152的位置进行。另外，玻璃轻量化工艺可以在要形成凹槽151和/或153的位置处进行
42.参考图18，在第一衬底110上方沉积导电层156m-1。随后，在导电层156m-1上方形成图案化光掩模105a。然后通过图案化光掩模105a蚀刻导电层156m-1，以形成线圈图案。如上所述，线圈图案可以包括图2a至2d中所示的图案，但本发明不限于此。之后，去除图案化光掩模105a，如图19所示。
43.参考图20，在第一衬底110和线圈图案上形成绝缘层158。在一些实施例中，绝缘层158可包括光掩模材料，但本发明不限于此。绝缘层158可以被图案化而具有开口，并且线圈图案的一部分通过绝缘层158的开口暴露出来。参考图21，在绝缘层158之上形成另一导电层156m-2。此外，导电层156m-2填满开口。随后，在导电层156m-2上方形成另一图案化光掩模105b。参考图22，通过图案化光掩模105b蚀刻导电层156m-2，以形成线圈图案。如上所述，线圈图案可以包括图2a至2d中所示的图案，但本发明不限于此。此外，绝缘层158上方的线
圈图案通过开口中的导电层耦合到绝缘层158下方的线圈图案。是以，线圈图案层互相连接以形成导电线圈156。
44.参考图23，形成覆盖导电线圈156的绝缘层158。如上所述，绝缘层158可包括光掩模材料，但本发明不限于此。在一些实施例中，整个导电线圈156嵌入绝缘层158中。随后，在绝缘层158中形成开口158o1。当绝缘层158由光掩模材料组成时，开口158o1可以通过光刻工艺形成。是以，可在绝缘层158中形成开口158o1，并且通过开口158o1的底部暴露出第一衬底110。
45.参考图24，在一些实施例中，去除通过开口158o1的底部暴露出来的部分第一衬底110，从而加深开口158o1以形成开口158o2。如图24所示，开口158o2穿透绝缘层158和第一衬底110，是以部分的承载衬底103通过开口158o2的底部暴露出来。参考图25，沈积异方性导电膜(anisotropic conductive film，acf)等导电材料以填充开口158o2，从而形成导电线156c。在一些实施例中，导电线156c能够将导电线圈156电连接至设置在第二衬底120中的电路。另外，导电线圈156和绝缘层158被称为线圈结构154。
46.参考图26a，在一些实施例中，多个线圈结构154可以形成于承载衬底103上方的第一衬底110中。线圈结构154可以通过，例如但不限于上述的方式形成在每个第一衬底110中。此外，可以在形成线圈结构154之前或之后在每个第一衬底110中形成凹槽(未示出)。因此，可以在同一个承载衬底103上获得多个混合振膜150，如图26a所示。
47.参考图26b，在一些实施例中，在另一个块体衬底107中可定义出多个第二衬底120。在一些实施例中，可以通过形成能够防止磁漏的材料涂层来定义第二衬底120。例如，可在块体衬底107上形成铁涂层或镍涂层以定义第二衬底。并且，材料涂层的形状和尺寸定义了第二衬底120的形状和尺寸。在一些实施例中，至少一磁铁180设置于每一第二衬底120中，如图26b所示。
48.参考图27，接收包括混合振膜结构150的承载衬底103和包括第二衬底120的块体衬底107。此外，承载衬底103上形成有线圈结构154的表面朝向第二衬底120。参考图28，形成密封材130，围绕每个第二衬底120和每个第一衬底110。参考图29，第一衬底110通过密封材130贴附并固定至块体衬底107。参考图30，在将第一衬底110贴附到块体衬底107之后，去除承载衬底103。参考图31，进行一单体化工艺(singulation)，切割衬底110和107。是以，获得如图32所示的平面式振膜扬声器100。
49.根据本发明，提供一种混合振膜结构。混合振膜结构将音圈整合在振膜上，从而实现小型化。此外，用于形成混合振膜的方法可以整合在半导体工艺中。因此，包括混合振膜结构的平面式振膜扬声器可以与其他应用，例如led/oled显示器等整合，进一步提高了平面式振膜扬声器的实用性。
50.上文已概述若干实施例的特征，使得所属领域的技术人员可较好地理解本公开的方面。所属领域的技术人员应了解，其可易于将本公开用作用于设计或修改其它工艺及结构以实施相同目的及/或实现本文中所引入的实施例的相同优点的基础。所属领域的技术人员还应意识到，此类等效建构不应背离本公开的精神及范围，且其可在不背离本公开的精神及范围的情况下对本文作出各种改变、替换及更改。
51.符号说明
52.100：平面式振膜扬声器
53.103：承载衬底
54.105a、105b：图案化光阻
55.107：块体衬底
56.110：第一衬底
57.120：第二衬底
58.122a、122b：表面
59.130：边框
60.140：开孔
61.150、150-1、150-2、150-3：混合振膜
62.151：凹槽
63.152、152-1、152-2、152-3：振动部分、振膜
64.152a：第一表面
65.152b：第二表面
66.153：凹槽
67.154、154-1、154-2、154-3：线圈结构
68.155：铜箔
69.156：导电线圈
70.156m-1、156m-2：导电层
71.156c：导电线
72.157：黏合层
73.158：绝缘层
74.158o1、158o2：开口
75.159：保护层
76.160、160-1、160-2、160-3：沟槽
77.162：材料层
78.170、170-1、170-2、170-3：桥接结构
79.180：磁铁
80.182：电路
81.200：混合振膜结构

技术特征：
1.一种扬声器的混合振膜结构，其包括：衬底；第一振膜，设置于所述衬底的中央区域；第一线圈结构，设置于所述第一振膜上；第一沟槽，分隔所述第一振膜与所述衬底；及第一桥接结构，耦接所述第一振膜到所述衬底，其中所述第一振膜与所述衬底包括相同材料。2.根据权利要求1所述的混合振膜结构，其中所述第一振膜的厚度小于或等于所述衬底的厚度。3.根据权利要求1所述的混合振膜结构，更包括材料层，设置于所述第一沟槽上，且耦接所述衬底与所述第一振膜。4.根据权利要求1所述的混合振膜结构，其中所述第一振膜更包括：第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面；复数个第一凹槽，由所述第一表面朝向所述第二表面凹进；以及复数个第二凹槽，由所述第二表面朝向所述第一表面凹进。。5.根据权利要求1所述的混合振膜结构，更包括：第二振膜，设置于所述第一振膜的中央区域上；第二线圈结构，设置于所述第二振膜上；第二沟槽，将所述第二振膜与所述第二线圈结构自所述第一振膜隔开；及第二桥接结构，耦接所述第二振膜到所述第一振膜，其中所述第一线圈结构与所述第二线圈结构设置于所述混合振膜结构的同一侧。6.根据权利要求1所述的混合振膜结构，更包括：第二振膜；及第二线圈结构，其中所述第一振膜及所述第一线圈结构藉由所述衬底而与所述第二振膜及所述第二线圈结构分隔。7.一种平面式振膜扬声器，其包括：第一衬底；第二衬底，具有面对所述第一衬底的第一表面以及相反于所述第一表面的第二表面；边框，耦接所述第一衬底到所述第二衬底；混合振膜，设置于所述第一衬底内，所述混合振膜包括有：振动部分，包括有面对所述第二衬底的第三表面以及相反于所述第三表面的第四表面；线圈结构，设置于所述振动部分的所述第三表面上；沟槽，分隔所述混合振膜与所述第一衬底；以及至少一桥接结构，耦接所述混合振膜到所述第一衬底，其中所述第一衬底与所述混合振膜的所述振动部分包括相同材料。8.根据权利要求7所述的平面式振膜扬声器，更包括磁铁，设置于所述第二衬底的所述第一表面，其中在上视图中所述线圈结构包围所述磁铁。
9.根据权利要求7所述的平面式振膜扬声器，更包括第一磁铁，设置于所述第二衬底的所述第二表面，其中在上视图中所述线圈结构包围所述第一磁铁。10.根据权利要求9所述的平面式振膜扬声器，更包括第二磁铁，设置于所述第二衬底的所述第一表面。

技术总结
本发明实施例涉及一种扬声器的混合振膜结构及平面式振膜扬声器。所述扬声器的混合振膜结构包括衬底、设置在于所述衬底中央区域的第一振膜、设置于所述第一振膜上的第一线圈结构、将所述第一振膜和所述第一线圈结构自所述衬底分开的第一凹槽、以及耦合所述第一振膜到所述衬底的第一桥接结构。所述第一振膜和所述衬底包括相同的材料。衬底包括相同的材料。衬底包括相同的材料。


技术研发人员：周耀圣 陈冠杰 魏一峰 林孝义
受保护的技术使用者：玻音先创科技股份有限公司
技术研发日：2021.11.09
技术公布日：2022/5/25