显示基板及其制备方法、显示面板、显示设备与流程

1.本技术涉及显示领域，具体而言，本技术涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示设备。


背景技术：

2.目前，显示设备(比如手机、电脑等)的全面屏已经应用，显示设备的显示面板中，需通过信号线将摄像头区域的驱动电路引出至非摄像头区域，在一些技术方案中为提高摄像头区域的成像清晰度，采用透明电极作为信号线。
3.但是，在摄像头区域的周边区域中，透明电极走线容易出现断线或者变细的问题。


技术实现要素：

4.本技术针对现有方式的缺点，提出一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示设备，用以解决现有技术中在摄像头区域的周边区域中，透明电极走线容易出现断线或者变细的技术问题。
5.第一个方面，本技术实施例提供了一种显示基板，包括与屏下摄像装置对应的第一区域和位于所述第一区域周边的第二区域，所述第二区域包括：
6.基底；
7.第一源漏极层，设置在基底的一侧，包括金属结构；
8.第一平坦层，设置在所述第一源漏极层的一侧，所述第一平坦层包括平坦层凹槽结构，所述平坦层凹槽结构在所述第一源漏极层的正投影与所述金属结构至少部分重叠；
9.透明电极层，设置在所述第一平坦层远离所述第一源漏极层的一侧；所述透明电极层包括与所述平坦层凹槽结构随形的电极层凹槽结构；
10.光刻胶层，设置在所述透明电极层远离所述第一平坦层的一侧，所述光刻胶层中位于所述电极层凹槽结构处的第一光刻胶结构的厚度、大于被所述金属结构反射的光线穿透光刻胶的厚度。
11.可选地，所述第二区域还包括第二平坦层，设置在所述第一源漏极层远离所述第一平坦层的一侧；
12.所述金属结构包括位于平坦层过孔区的金属凹槽结构，所述金属凹槽结构设置于所述第二平坦层的过孔处，所述第二区域包括平坦层过孔区。
13.可选地，所述第二区域还包括下述至少一项：
14.在所述平坦层过孔区的所述平坦层凹槽结构在所述基底的正投影，落入所述金属凹槽结构在所述基底的正投影；
15.在所述平坦层过孔区的所述平坦层凹槽结构具有第一设计深度。
16.可选地，所述金属结构包括位于透明电极密集区的金属垫块结构，所述第二区域包括所述透明电极密集区。
17.可选地，所述显示基板还包括第二平坦层，设置在所述第一源漏极层远离第一平
坦层的一侧；在所述透明电极密集区的所述平坦层凹槽结构在所述第二平坦层的正投影，与所述金属垫块结构在所述第二平坦层的正投影至少部分重合；
18.和/或，在所述透明电极密集区的所述平坦层凹槽结构具有第二设计深度。
19.第二方面，本技术实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：
20.在第二区域的基底的一侧制备具有金属结构的第一源漏极层；显示基板包括与屏下摄像装置对应的第一区域和位于所述第一区域周边的所述第二区域；
21.在所述第一源漏极层远离所述基底的一侧制备第一平坦层，所述第一平坦层包括平坦层凹槽结构，使得所述平坦层凹槽结构在所述第一源漏极层的正投影与所述金属结构至少部分重叠；
22.在所述第一平坦层远离所述第一源漏极层的一侧制备透明电极层，使得所述透明电极层包括与所述平坦层凹槽结构随形的电极层凹槽结构；
23.在所述透明电极层远离所述第一平坦层的一侧制备光刻胶层，使得所述光刻胶层中位于所述电极层凹槽结构处的第一光刻胶结构的厚度、大于被所述金属结构反射的光线穿透光刻胶的厚度。
24.可选地，在第二区域的基底的一侧制备具有金属结构的第一源漏极层之前，包括：
25.在所述第一源漏极层远离所述第一平坦层的一侧制备第二平坦层；
26.对平坦层过孔区的所述第二平坦层进行图案化得到过孔，所述第二区域包括所述平坦层过孔区。
27.可选地，所述在第二区域的基底一侧制备具有金属结构的第一源漏极层，包括：
28.在包含所述过孔的第二平坦层远离所述基底的一侧，制备第一源漏极初始层，使得所述平坦层过孔区的所述第一源漏极初始层形成与所述过孔随形的金属凹槽结构；
29.利用第一掩膜对在所述平坦层过孔区的所述第一源漏极初始层进行保护，并对在透明电极密集区的所述第一源漏极初始层进行图案化，得到位于所述透明电极密集区的金属垫块结构，所述第二区域包括所述透明电极密集区；
30.去除所述第一掩膜，得到第一源漏极层，所述金属结构包括所述金属凹槽结构和所述金属垫块结构。
31.可选地，在所述第一源漏极层远离所述基底的一侧制备第一平坦层，所述第一平坦层包括平坦层凹槽结构，使得所述平坦层凹槽结构在所述第一源漏极层的正投影与所述金属结构至少部分重叠，包括：
32.在所述第一源漏极层远离所述基底的一侧制备第一平坦层初始层，使得所述平坦层过孔区的所述第一平坦层初始层形成与所述金属凹槽结构随形的平坦层凹槽结构；
33.利用第二掩膜对在所述平坦层过孔区的所述第一平坦层初始层进行保护，并对在所述透明电极密集区的所述第一平坦层初始层进行图案化，得到与所述金属垫块结构相对应的平坦层凹槽结构；
34.去除所述第二掩膜，得到所述第一平坦层。
35.可选地，在所述第一平坦层远离所述第一源漏极层的一侧制备透明电极层，使得所述透明电极层包括与所述平坦层凹槽结构随形的电极层凹槽结构，包括：
36.在所述第一平坦层远离所述第一源漏极层的一侧制备透明电极层，使得所述平坦层过孔区的所述透明电极层形成与所述平坦层凹槽结构随形的电极层凹槽结构，并使得所
述透明电极密集区的所述透明电极层形成与所述平坦层凹槽结构随形的电极层凹槽结构。
37.第三方面，本发明实施例提供一种显示面板，包括透明电极结构和第一方面的基底、第一源漏极层和第一平坦层；
38.所述透明电极结构是基于第一方面的透明电极层图案化制备得到的。
39.可选地，所述透明电极结构包括位于透明电极密集区的多个透明电极走线；
40.所述的第一源漏极层的位于透明电极密集区的金属垫块结构在所述基底的正投影，位于相邻所述透明电极走线在所述基底的正投影之间，且所述金属垫块结构在所述基底的正投影与所述透明电极走线在所述基底的正投影接触。
41.第四方面，本发明实施例提供一种显示设备，包括第三方面的显示面板。
42.本技术实施例提供的一种显示基板，通过设计第一平坦层中的平坦层凹槽结构，并保证平坦层凹槽结构在第一源漏极层的正投影与金属结构至少部分重叠，制备出与平坦层凹槽结构随形的透明电极层的电极层凹槽结构，电极层凹槽结构处的光刻胶层的第一光刻胶结构的厚度增加，保证第一光刻胶结构的厚度、大于被金属结构反射的光线穿透光刻胶的厚度。在对显示基板进行曝光时，光刻胶层中正面被掩膜版遮光区保护的第一光刻胶结构，即使被金属结构反射的光线照射到，由于这部分第一光刻胶结构的厚度较厚，不会被反射光线射透，在后续的显影工艺之后会保留下来，保留下来的第一光刻胶结构在透明电极层的刻蚀(属于图案化)过程中发挥掩膜结构的作用，可以保护被保留的第一光刻胶结构下方的透明电极层，从而可以保证透明电极走线的完整性和均一性，延长透明电极走线的使用寿命。
43.上述说明仅是本技术实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本技术实施例的具体实施方式。
附图说明
44.本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
45.图1为本技术实施例提供的一种显示基板的第一区域和第二区域的示意图；
46.图2为本技术实施例提供的一种曝光前显示基板的平坦层过孔区膜层结构的剖面示意图；
47.图3为本技术实施例提供的一种曝光过程中显示基板的平坦层过孔区膜层结构的剖面示意图；
48.图4为本技术实施例提供的一种曝光后的透明电极密集区膜层结构的俯视示意图；
49.图5为本技术实施例提供的一种曝光前显示基板的透明电极密集区膜层结构的剖面示意图；
50.图6为图4中aa处曝光过程中的透明电极密集区膜层结构的剖视示意图；
51.图7为本技术实施例提供的一种显示面板的第一区域的膜层结构示意图；
52.图8为本技术实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程示意图；
53.图9为本技术实施例提供的一种第一源漏极层的制备方法的流程示意图；
54.图10为本技术实施例提供的一种第一平坦层的制备方法的流程示意图；
55.图11为本技术实施例提供的一种显示基板的展开的制备方法中，提供的基底的膜层结构示意图；
56.图12为本技术实施例提供的一种显示基板的展开的制备方法中，在基底的一侧制备第二平坦层后的膜层结构示意图；
57.图13为本技术实施例提供的一种显示基板的展开的制备方法中，在包含过孔的第二平坦层远离基底的一侧制备第一源漏极层后的膜层结构示意图；
58.图14为本技术实施例提供的一种显示基板的展开的制备方法中，在第一源漏极层远离基底的一侧制备第一平坦层后的膜层结构示意图；
59.图15为本技术实施例提供的一种显示基板的展开的制备方法中，在第一平坦层远离第一源漏极层的一侧制备透明电极层后的膜层结构示意图；
60.图16为本技术实施例提供的一种显示基板的展开的制备方法中，在透明电极层远离第一平坦层的一侧制备光刻胶层后的膜层结构示意图。
61.附图标记介绍如下：
62.100-显示基板；101-第一区域；102-第二区域；1021-平坦层过孔区；1022-透明电极密集区；1022a-金属垫块结构区；1022b-非金属垫块结构区；
63.11-基底；111-衬底；112-第二源漏极层；12-第一源漏极层；121-金属凹槽结构；122-金属垫块结构；13-第一平坦层；131-平坦层凹槽结构；14-透明电极层；141-电极层凹槽结构；15-光刻胶层；16-第二平坦层；
64.21-缓冲层；22-第一栅极绝缘层；23-第二栅极绝缘层；24-层间介质层；25-保护层；26-第三平坦层；27-第四平坦层；28-第五平坦层；29-第六平坦层；30-第七平坦层；31-第一透明电极层；32-第二透明电极层；33-第三透明电极层；34-像素定义层；341-像素定义层过孔；35-阳极；36-隔垫层。
具体实施方式
65.下面详细描述本技术，本技术的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本技术的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。
66.本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
67.本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”到另一元件时，它可以直接连接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，
这里使用的“连接”可以包括无线连接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
68.目前，显示设备的显示面板中，需通过信号线将摄像头区域的驱动电路引出至非摄像头区域，在一些方案中为提高摄像头区域的成像清晰度，采用透明电极作为信号线。但是在摄像头区域的周边区域中，透明电极容易出现断线或者变细的问题。
69.下面以具体地实施例对本技术的技术方案以及本技术的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
70.本技术实施例提供了一种显示基板100，参考图1至图7所示，包括与屏下摄像装置对应的第一区域101和位于第一区域101周边的第二区域102，第二区域102包括基底11、第一源漏极层12、第一平坦层13、透明电极层14和光刻胶层15。
71.第一源漏极层12设置在基底11的一侧，第一源漏极层12包括金属结构。
72.第一平坦层13设置在第一源漏极层12的一侧，第一平坦层13包括平坦层凹槽结构131，平坦层凹槽结构131在第一源漏极层12的正投影与金属结构至少部分重叠。
73.透明电极层14设置在第一平坦层13远离第一源漏极层12的一侧；透明电极层14包括与平坦层凹槽结构131随形的电极层凹槽结构141。
74.光刻胶层15设置在透明电极层14远离第一平坦层13的一侧，光刻胶层15中位于电极层凹槽结构141处的第一光刻胶结构的厚度、大于被金属结构反射的光线穿透光刻胶的厚度。
75.需要说明的是，图1中的实线圆代表屏下摄像装置对应的第一区域101，虚线圆与实线圆组成的圆环代表第一区域101周边的第二区域102，在实际中虚线并不存在，只是为了更好的理解而设置的。
76.在对显示基板100进行曝光时，金属结构会发生反光现象，反射的光穿过光刻胶层15，造成光刻胶层15中的光刻胶缺失的情况，导致在缺失的光刻胶处的透明电极走线暴露在外，容易造成透明电极走线出现断线或者变细的问题。
77.本实施例中，通过设计第一平坦层13中的平坦层凹槽结构131，并保证平坦层凹槽结构131在第一源漏极层12的正投影与金属结构至少部分重叠，制备出与平坦层凹槽结构131随形的透明电极层14的电极层凹槽结构141，电极层凹槽结构141处的光刻胶层15的第一光刻胶结构的厚度增加，保证第一光刻胶结构的厚度、大于被金属结构反射的光线穿透光刻胶的厚度，在对显示基板100进行曝光时，光刻胶层15中正面被掩膜版遮光区保护的第一光刻胶结构，即使被金属结构反射的光线照射到，由于这部分第一光刻胶结构的厚度较厚，不会被反射光线射透，在后续的显影工艺之后会保留下来，保留下来的第一光刻胶结构在透明电极层14的刻蚀(属于图案化)过程中发挥掩膜结构的作用，可以保护被保留的第一光刻胶结构下方的透明电极层14，从而可以保证透明电极走线的完整性和均一性，延长透明电极走线的使用寿命。
78.可选地，基底11包括衬底111和第二源漏极层112。
79.本技术中的第二区域102包括平坦层过孔区1021和透明电极密集区1022，以下分别介绍平坦层过孔区1021和透明电极密集区1022。
80.可选地，参考图2和图3所示，第二区域102还包括第二平坦层16，设置在第一源漏极层12远离第一平坦层13的一侧；金属结构包括位于平坦层过孔区1021的金属凹槽结构
121，金属凹槽结构121设置于第二平坦层16的过孔处，第二区域102包括平坦层过孔区1021。
81.需要说明的是，图2为本技术实施例提供的曝光前的平坦层过孔区1021膜层结构的剖面结构示意图；图3为本技术实施例提供的曝光后的平坦层过孔区1021膜层结构的剖面结构示意图，图3中的虚线箭头表示光的路径。
82.本实施例中，在对除平坦层凹槽结构131外的显示基板100进行曝光时，因在第二平台层16的过孔处设有金属凹槽结构121，金属凹槽结构121出现反光，反射的光穿过平坦层凹槽结构131、电极层凹槽结构141和第一光刻胶结构，因第一光刻胶结构的厚度较厚，不会被反射光线射透，在后续的显影工艺之后会保留下来，保留下来的第一光刻胶结构在透明电极层14的刻蚀过程中发挥掩膜结构的作用，可以保护被保留的第一光刻胶结构下方的透明电极层14，从而可以保证透明电极走线的完整性。
83.可选地，继续参考图2和图3所示，第二区域102还包括下述至少一项：
84.在平坦层过孔区1021的平坦层凹槽结构131在基底11的正投影，落入金属凹槽结构121在基底11的正投影。
85.在平坦层过孔区1021的平坦层凹槽结构131具有第一设计深度。
86.本实施例中，通过设计平坦层凹槽结构131在基底11的正投影，落入金属凹槽结构121在基底11的正投影，保证从金属凹槽结构121处的反射的光穿过平坦层凹槽结构131射出，更加利于保证透明电极走线的完整性。
87.在平坦层过孔区1021的平坦层凹槽结构131具有第一设计深度，第一设计深度的数值可以是0.5μm-1μm(微米)，其中包括0.5μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm和1μm，具体数值根据实际需求设置。0.5μm-1μm的第一设计深度，使得平坦层凹槽结构131既具有足够的深度，可以承载足够厚度的第一光刻胶结构，有利于改善透明电极走线的完整性；不至于太深，能够避免透明电极走线与金属凹槽结构121短路。
88.参考图4所示，图4为本技术实施例提供的在曝光后的透明电极密集区1022的俯视结构示意图，透明电极密集区1022包括间隔设置的金属垫块结构区1022a和非金属垫块结构区1022b。
89.在现有技术中，对显示基板100曝光，金属垫块结构区1022a的透明电极走线的宽度小于非金属垫块结构区1022b的透明电极走线的宽度，透明电极走线不均匀。为保证透明电极走线的均一性，需要再对非金属垫块结构区1022b进行弱曝光，使非金属垫块结构区1022b的透明电极走线的宽度与金属垫块结构区1022a的透明电极走线的宽度相同，但是对非金属垫块结构区1022b进行弱曝光的过程，却存在容易导致非金属垫块结构区1022b的透明电极走线断裂的问题。
90.可选地，参考图5和图6，本技术的金属结构包括位于透明电极密集区1022的金属垫块结构122，第二区域102包括透明电极密集区1022。
91.可选地，参考图5和图6，显示基板100还包括第二平坦层16，第二平坦层16设置在第一源漏极层12远离第一平坦层13的一侧；在透明电极密集区1022的平坦层凹槽结构131在第二平坦层16的正投影，与金属垫块结构122在第二平坦层16的正投影至少部分重合。
92.本实施例中，通过设置在透明电极密集区1022的平坦层凹槽结构131，并保证平坦层凹槽结构131在第二平坦层16的正投影，与金属垫块结构122在第二平坦层16的正投影至
少部分重合，在对金属垫块结构区1022a进行曝光时，经过金属垫块结构122反射的光穿过平坦层凹槽结构131、电极层凹槽结构141，到达填充在电极层凹槽结构14处的第一光刻胶结构，因第一光刻胶结构的厚度较厚，不会被反射光线射透，在后续的显影工艺之后会保留下来，保留的第一光刻胶结构在透明电极层14的刻蚀过程中发挥掩膜结构的作用，可以保护被保留的第一光刻胶结构下方的透明电极层14，从而可以保证透明电极走线的均一性。而且，本技术实施例不需要再对非金属垫块结构区1022b的透明电极层14追加进行弱曝光，就可以达到透明电极走线的均一性，既大大降低或消除了非金属垫块结构区1022b的透明电极走线断裂的几率，又节省了原有的非金属垫块结构区1022b的透明电极层14的弱曝光过程，有利于降低成本。
93.可选地，参考图5和图6，在透明电极密集区1022的平坦层凹槽结构131具有第二设计深度。
94.需要说明的是，在透明电极密集区1022的平坦层凹槽结构131具有第二设计深度，第二设计深度的数值可以是0.5μm-1μm，其中包括0.5μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm和1μm，具体数值根据实际需求设置。0.5μm-1μm的第二设计深度，使得平坦层凹槽结构131既具有足够的深度，可以承载足够厚度的第一光刻胶结构，有利于改善透明电极走线的均一性；又不至于太深，能够避免透明电极走线与金属垫块结构122短路。第一设计深度数值与第二设计深度的数值无关联，可以相等，或者不等，根据实际情况具体选择第一设计深度和第二设计深度。
95.可选地，图7为本技术实施例中屏下摄像装置对应的第一区域101的膜层结构的剖视示意图，如图7所示，第一区域101包括依次层叠设置的基底11、缓冲层21、第一栅极绝缘层22、第二栅极绝缘层23、层间介质层24、保护层25、第三平坦层26、第四平坦层27、第一透明电极层31、第五平坦层28、第二透明电极层32、第六平坦层29、第三透明电极层33、第七平坦层30、阳极35、像素定义层34和隔垫层36，其中像素定义层34设有像素定义层过孔341，像素定义层过孔341设置在阳极35远离第七平坦层30的一侧。
96.可选地，第二区域102中的透明电极层14包括第一透明电极层31、第二透明电极层32和第三透明电极层33中的至少一个透明电极层。或者，第二区域102中的透明电极层14可以用来代表第一透明电极层31、第二透明电极层32和第三透明电极层33中任一透明电极层。第一透明电极层31、第二透明电极层32和第三透明电极层33中任一透明电极层的制备方法与透明电极层14的制备一致，此处不再赘述。
97.基于同一发明构思，本技术实施例提供一种显示基板100的制备方法，该制备方法的流程示意图如图8所示，包括下述步骤s1至s4：
98.s1：在第二区域102的基底11的一侧制备具有金属结构的第一源漏极层12；显示基板100包括与屏下摄像装置对应的第一区域101和位于第一区域101周边的第二区域102。
99.s2：在第一源漏极层12远离基底11的一侧制备第一平坦层13，第一平坦层13包括平坦层凹槽结构131，使得平坦层凹槽结构131在第一源漏极层12的正投影与金属结构至少部分重叠。
100.s3：在第一平坦层13远离第一源漏极层12的一侧制备透明电极层14，使得透明电极层14包括与平坦层凹槽结构131随形的电极层凹槽结构141。
101.s4：在透明电极层14远离第一平坦层13的一侧制备光刻胶层15，使得光刻胶层15
中位于电极层凹槽结构141处的第一光刻胶结构的厚度、大于被金属结构反射的光线穿透光刻胶的厚度。
102.可选地，在第二区域102的基底11的一侧制备具有金属结构的第一源漏极层12之前，包括在第一源漏极层12远离第一平坦层13的一侧制备第二平坦层16；对平坦层过孔区1021的第二平坦层16进行图案化得到过孔，第二区域102包括平坦层过孔区1021。
103.可选地，如图9所示，在上述步骤s1中，在第二区域102的基底11一侧制备具有金属结构的第一源漏极层12，包括：
104.s11：在包含过孔的第二平坦层16远离基底11的一侧，制备第一源漏极初始层，使得平坦层过孔区1021的第一源漏极初始层形成与所述过孔随形的金属凹槽结构121。
105.s12：利用第一掩膜对在平坦层过孔区1021的第一源漏极初始层进行保护，并对在透明电极密集区1022的第一源漏极初始层进行图案化，得到位于透明电极密集区1022的金属垫块结构122，第二区域102包括透明电极密集区1022。
106.s13：去除第一掩膜，得到第一源漏极层12，金属结构包括金属凹槽结构121和金属垫块结构122。
107.可选地，如图10所示，在上述步骤s2中，在第一源漏极层12远离基底11的一侧制备第一平坦层13，第一平坦层13包括平坦层凹槽结构131，使得平坦层凹槽结构131在第一源漏极层12的正投影与金属结构至少部分重叠，包括：
108.s21：在第一源漏极层12远离基底11的一侧制备第一平坦层初始层，使得平坦层过孔区1021的第一平坦层初始层形成与金属凹槽结构121随形的平坦层凹槽结构131。
109.s22：利用第二掩膜对在平坦层过孔区1021的第一平坦层初始层进行保护，并对在透明电极密集区1022的第一平坦层初始层进行图案化，得到与金属垫块结构122相对应的平坦层凹槽结构131。
110.s23：去除第二掩膜，得到第一平坦层13。
111.可选地，在第一平坦层13远离第一源漏极层12的一侧制备透明电极层14，使得透明电极层14包括与平坦层凹槽结构131随形的电极层凹槽结构141，包括在第一平坦层13远离第一源漏极层12的一侧制备透明电极层14，使得平坦层过孔区1021的透明电极层14形成与平坦层凹槽结构131随形的电极层凹槽结构141，并使得透明电极密集区1022的透明电极层14形成与平坦层凹槽结构131随形的电极层凹槽结构141。
112.需要说明的是，平坦层过孔区1021的透明电极层14的电极层凹槽结构141具有第三设计深度，第三设计深度的数值与第一设计深度的数值可以相等，或者不等，具体情况根据实际而定；透明电极密集区1022的透明电极层14的电极层凹槽结构141具有第四设计深度，第四设计深度的数值与第二设计深度的数值可以相等，或者不等，具体情况根据实际而定。
113.下面介绍一下本实施例中制备显示基板100的具体方法，该具体方法的结构示意图如图11至图16所示，包括下述步骤：
114.第一步：如图11所示，提供基底11，基底11包括衬底111和第二源漏极层112。
115.第二步：如图12所示，在第二源漏极层112的一侧制备第二平坦层16，对平坦层过孔区1021的第二平坦层16进行图案化得到过孔。
116.第三步：如图13所示，在包含过孔的第二平坦层16远离基底11的一侧，制备第一源
漏极初始层，使得平坦层过孔区1021的第一源漏极初始层形成与所述过孔随形的金属凹槽结构121；利用第一掩膜对在平坦层过孔区1021的第一源漏极初始层进行保护，并对在透明电极密集区1022的第一源漏极初始层进行图案化，得到位于透明电极密集区1022的金属垫块结构122；去除第一掩膜，得到第一源漏极层12，金属结构包括金属凹槽结构121和金属垫块结构122。
117.第四步：如图14所示，在第一源漏极层12远离基底11的一侧制备第一平坦层初始层，使得平坦层过孔区1021的第一平坦层初始层形成与金属凹槽结构121随形的平坦层凹槽结构131；利用第二掩膜对在平坦层过孔区1021的第一平坦层初始层进行保护，并对在透明电极密集区1022的第一平坦层初始层进行图案化，得到与金属垫块结构122相对应的平坦层凹槽结构131；去除第二掩膜，得到第一平坦层13。
118.第五步：如图15所示，在第一平坦层13远离第一源漏极层12的一侧制备透明电极层14，使得透明电极层14包括与平坦层凹槽结构131随形的电极层凹槽结构141，包括在第一平坦层13远离第一源漏极层12的一侧制备透明电极层14，使得平坦层过孔区1021的透明电极层14形成与平坦层凹槽结构131随形的电极层凹槽结构141，并使得透明电极密集区1022的透明电极层14形成与平坦层凹槽结构131随形的电极层凹槽结构141。
119.第六步：如图16所示，在透明电极层14远离第一平坦层13的一侧制备光刻胶层15，使得光刻胶层15中位于电极层凹槽结构141处的第一光刻胶结构的厚度、大于被金属结构反射的光线穿透光刻胶的厚度。
120.基于同一方面构思，本技术实施例提供一种显示面板，包括透明电极结构和上述实施例的显示基板100中的基底11、第一源漏极层12和第一平坦层13；透明电极结构是基于上述实施例的透明电极层14图案化制备得到的。可选地，透明电极结构包括位于透明电极密集区1022的多个透明电极走线；第一源漏极层12的位于透明电极密集区1022的金属垫块结构122在基底11的正投影，位于相邻透明电极走线在基底11的正投影之间，且金属垫块结构122在基底11的正投影与透明电极走线在基底11的正投影接触。
121.基于同一方面构思，本技术实施例提供一种显示设备，包括上述任一实施例或实施方式的显示面板。
122.由于该显示设备包括了上述实施例的显示面板，则该显示设备的有益效果与显示面板的有益效果相同，在此不再重复赘述。
123.应用本技术实施例，至少能够实现如下有益效果：
124.1、本技术实施例中在对显示基板进行曝光时，光刻胶层中正面被掩膜版遮光区保护的第一光刻胶结构，即使被金属结构反射的光线照射到，由于这部分第一光刻胶结构的厚度较厚，不会被反射光线射透，在后续的显影工艺之后会保留下来，保留下来的第一光刻胶结构在透明电极层的刻蚀(属于图案化)过程中发挥掩膜结构的作用，可以保护被保留的第一光刻胶结构下方的透明电极层，从而可以保证透明电极走线的完整性和均一性，延长透明电极走线的使用寿命。
125.2、本技术实施例中通过设计平坦层凹槽结构131在基底11的正投影，落入金属凹槽结构121在基底11的正投影，保证从金属凹槽结构121处的反射的光穿过平坦层凹槽结构131射出，更加利于保证透明电极走线的完整性。
126.本技术领域技术人员可以理解，本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的
步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本技术中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
127.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
128.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
129.在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
130.应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
131.以上所述仅是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。

技术特征：
1.一种显示基板，其特征在于，包括与屏下摄像装置对应的第一区域和位于所述第一区域周边的第二区域，所述第二区域包括：基底；第一源漏极层，设置在基底的一侧，包括金属结构；第一平坦层，设置在所述第一源漏极层的一侧，所述第一平坦层包括平坦层凹槽结构，所述平坦层凹槽结构在所述第一源漏极层的正投影与所述金属结构至少部分重叠；透明电极层，设置在所述第一平坦层远离所述第一源漏极层的一侧；所述透明电极层包括与所述平坦层凹槽结构随形的电极层凹槽结构；光刻胶层，设置在所述透明电极层远离所述第一平坦层的一侧，所述光刻胶层中位于所述电极层凹槽结构处的第一光刻胶结构的厚度、大于被所述金属结构反射的光线穿透光刻胶的厚度。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括第二平坦层，设置在所述第一源漏极层远离所述第一平坦层的一侧；所述金属结构包括位于平坦层过孔区的金属凹槽结构，所述金属凹槽结构设置于所述第二平坦层的过孔处，所述第二区域包括平坦层过孔区。3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，还包括下述至少一项：在所述平坦层过孔区的所述平坦层凹槽结构在所述基底的正投影，落入所述金属凹槽结构在所述基底的正投影；在所述平坦层过孔区的所述平坦层凹槽结构具有第一设计深度。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述金属结构包括位于透明电极密集区的金属垫块结构，所述第二区域包括所述透明电极密集区。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第二平坦层，设置在所述第一源漏极层远离第一平坦层的一侧；在所述透明电极密集区的所述平坦层凹槽结构在所述第二平坦层的正投影，与所述金属垫块结构在所述第二平坦层的正投影至少部分重合；和/或，在所述透明电极密集区的所述平坦层凹槽结构具有第二设计深度。6.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：在第二区域的基底的一侧制备具有金属结构的第一源漏极层；显示基板包括与屏下摄像装置对应的第一区域和位于所述第一区域周边的所述第二区域；在所述第一源漏极层远离所述基底的一侧制备第一平坦层，所述第一平坦层包括平坦层凹槽结构，使得所述平坦层凹槽结构在所述第一源漏极层的正投影与所述金属结构至少部分重叠；在所述第一平坦层远离所述第一源漏极层的一侧制备透明电极层，使得所述透明电极层包括与所述平坦层凹槽结构随形的电极层凹槽结构；在所述透明电极层远离所述第一平坦层的一侧制备光刻胶层，使得所述光刻胶层中位于所述电极层凹槽结构处的第一光刻胶结构的厚度、大于被所述金属结构反射的光线穿透光刻胶的厚度。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在第二区域的基底的一侧制备具有金属结构的第一源漏极层之前，包括：
在所述第一源漏极层远离所述第一平坦层的一侧制备第二平坦层；对平坦层过孔区的所述第二平坦层进行图案化得到过孔，所述第二区域包括所述平坦层过孔区。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在第二区域的基底的一侧制备具有金属结构的第一源漏极层，包括：在包含所述过孔的第二平坦层远离所述基底的一侧，制备第一源漏极初始层，使得所述平坦层过孔区的所述第一源漏极初始层形成与所述过孔随形的金属凹槽结构；利用第一掩膜对在所述平坦层过孔区的所述第一源漏极初始层进行保护，并对在透明电极密集区的所述第一源漏极初始层进行图案化，得到位于所述透明电极密集区的金属垫块结构，所述第二区域包括所述透明电极密集区；去除所述第一掩膜，得到第一源漏极层，所述金属结构包括所述金属凹槽结构和所述金属垫块结构。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述第一源漏极层远离所述基底的一侧制备第一平坦层，所述第一平坦层包括平坦层凹槽结构，使得所述平坦层凹槽结构在所述第一源漏极层的正投影与所述金属结构至少部分重叠，包括：在所述第一源漏极层远离所述基底的一侧制备第一平坦层初始层，使得所述平坦层过孔区的所述第一平坦层初始层形成与所述金属凹槽结构随形的平坦层凹槽结构；利用第二掩膜对在所述平坦层过孔区的所述第一平坦层初始层进行保护，并对在所述透明电极密集区的所述第一平坦层初始层进行图案化，得到与所述金属垫块结构相对应的平坦层凹槽结构；去除所述第二掩膜，得到所述第一平坦层。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述第一平坦层远离所述第一源漏极层的一侧制备透明电极层，使得所述透明电极层包括与所述平坦层凹槽结构随形的电极层凹槽结构，包括：在所述第一平坦层远离所述第一源漏极层的一侧制备透明电极层，使得所述平坦层过孔区的所述透明电极层形成与所述平坦层凹槽结构随形的电极层凹槽结构，并使得所述透明电极密集区的所述透明电极层形成与所述平坦层凹槽结构随形的电极层凹槽结构。11.一种显示面板，其特征在于，包括透明电极结构和如权利要求1-5中任一所述的基底、第一源漏极层和第一平坦层；所述透明电极结构是基于权利要求1-5中任一所述透明电极层图案化制备得到的。12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述透明电极结构包括位于透明电极密集区的多个透明电极走线；所述的第一源漏极层的位于透明电极密集区的金属垫块结构在所述基底的正投影，位于相邻所述透明电极走线在所述基底的正投影之间，且所述金属垫块结构在所述基底的正投影与所述透明电极走线在所述基底的正投影接触。13.一种显示设备，其特征在于，包括权利要求11或12所述的显示面板。

技术总结
本申请提供了一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示设备，其中显示基板包括与屏下摄像装置对应的第一区域和位于第一区域周边的第二区域，第二区域包括基底、第一源漏极层、第一平坦层、透明电极层和光刻胶层。本申请通过电极层凹槽结构处的光刻胶层的第一光刻胶结构的厚度增加，保证第一光刻胶结构的厚度、大于被金属结构反射的光线穿透光刻胶的厚度，因第一光刻胶结构的厚度较厚，不会被反射光线射透，在后续的显影工艺之后会保留下来，保留下来的第一光刻胶结构在透明电极层的刻蚀过程中发挥掩膜结构的作用，可以保护被保留的第一光刻胶结构下方的透明电极层，从而可以保证透明电极走线的完整性和均一性，延长透明电极走线的使用寿命。走线的使用寿命。走线的使用寿命。


技术研发人员：邹富伟 魏悦 崔伟 王雄
受保护的技术使用者：成都京东方光电科技有限公司
技术研发日：2022.02.18
技术公布日：2022/5/25