一种提高UV反射率的陶瓷基板的制作方法

一种提高uv反射率的陶瓷基板
技术领域
1.本实用新型涉及陶瓷基板领域技术，尤其是指一种提高uv反射率的陶瓷基板。


背景技术：

2.陶瓷基板是电子工业中最常用的基板材料，具有高散热、低热阻、寿命长、耐电压等优点，相对于大多数其他氧化物而言，陶瓷强度及化学稳定性高，且原料资源丰富，适用于各种各样的技术制造，因此，陶瓷基板已成为电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。
3.现有技术中，围坝在uvc封装领域表面处理时，往往采用化学镀镍钯金或者镍金或者镀银的方式来处理，但是这种表面处理方式，不仅仅反光率低且光效利用率低。
4.因此，需要研究一种新的技术方案来解决上述问题。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种提高uv反射率的陶瓷基板，其通过正面围坝表面镀铝，有效解决了传统技术中围坝反光率低和光效利用率低的问题。
6.为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：
7.一种提高uv反射率的陶瓷基板，包括有陶瓷基板本体，所述陶瓷基板本体具有相对侧设置的正面和背面；
8.所述陶瓷基板本体的正面设置有正面导线，所述陶瓷基板本体的正面对应正面导线上方设置有上金属边框、金属围坝，相邻金属围坝之间以及上金属边框与对应的金属围坝之间通过对应的正面导线导通连接；所述金属围坝的表面镀铝，形成有镀铝层；所述陶瓷基板本体的正面对应金属围坝所围区域内设置有若干个正面焊盘；
9.所述陶瓷基板本体的背面设置有若干个背面导线，所述陶瓷基板本体的背面对应背面导线下方设置有下金属边框、背面焊盘，所述下金属边框、背面焊盘之间通过对应的背面导线导通连接；所述正面焊盘通过导通孔实现与背面焊盘导通连接。
10.作为一种优选方案，所述金属围坝具有第一环形部和一体凸设于第一环形部顶端的第二环形部，且所述第二环形部的内侧与第一环形部的顶端形成台阶面；所述第一环形部和第二环形部的内侧面、台阶面均镀铝。
11.作为一种优选方案，所述陶瓷基板本体为氮化铝或氧化铝材质。
12.作为一种优选方案，所述正面焊盘的上表面与背面焊盘的下表面均镀金。
13.作为一种优选方案，所述正面导线通过电镀的方式设置于陶瓷基板本体的正面上。
14.作为一种优选方案，所述背面导线通过电镀的方式设置于陶瓷基板本体的背面上。
15.作为一种优选方案，所述背面焊盘印刷uv油墨。
16.本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知，其主要是通过正面焊盘与背面焊盘的配合，通过设置多个正面导线和多个背面导线，使得正面导线和背面导线分别与上金属边框和下金属边框实现导通，实现对金属围坝和正面焊盘通电，从而实现对金属围坝表面镀铝，背面焊盘与正面焊盘镀金，通过这种设计，在uvc封装时，金属围坝的表面为镀铝层可以提高uv反射率，有利于提高金属围坝腔体的气密性，有效解决了传统技术中反光率低和光效利用率低的问题。
17.为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。
附图说明
18.图1是本实用新型之实施例的主视图；
19.图2是本实用新型之实施例的后视图；
20.图3是本实用新型之实施例的局部结构示意图；
21.图4是本实用新型之实施例的另一局部结构示意图；
22.图5是本实用新型之实施例的截面图。
23.附图标识说明：
24.10、陶瓷基板本体
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11、正面
25.111、正面导线
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112、上金属边框
26.113、正面焊盘
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12、背面
27.121、背面导线
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122、下金属边框
28.123、背面焊盘
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124、uv油墨
29.13、金属围坝
30.131、第一环形部
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132、第二环形部
31.133、内侧面
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134、台阶面
32.14、导通孔
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15、镀铝层。
具体实施方式
33.请参照图1至图5所示，其显示出了本实用新型之实施例的具体结构。
34.在本实用新型的描述中，需要说明的是，对于方位词，如有术语
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上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于叙述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作，不能理解为限制本实用新型的具体保护范围。
35.一种提高uv反射率的陶瓷基板，包括有陶瓷基板本体10，所述陶瓷基板本体10具有相对侧设置的正面11和背面12。
36.所述陶瓷基板本体10的正面11设置有正面导线111，所述陶瓷基板本体10的正面11对应正面导线111上方设置有上金属边框112、金属围坝13，相邻金属围坝13之间以及上金属边框112与对应的金属围坝13之间通过对应的正面导线111导通连接。所述金属围坝13具有第一环形部131和一体凸设于第一环形部131顶端的第二环形部132，且所述第二环形部132的内侧面133与第一环形部131的顶端形成台阶面134。所述金属围坝13的表面镀铝，
形成有镀铝层15。所述陶瓷基板本体10的正面11对应金属围坝13所围区域内设置有若干个正面焊盘113，所述正面焊盘113的上表面镀金。
37.所述陶瓷基板本体10的背面12设置有若干个背面导线121，所述陶瓷基板本体10的背面12对应背面导线121下方设置有下金属边框122、背面焊盘123，所述下金属边框122、背面焊盘123之间通过对应的背面导线121导通连接。所述正面焊盘113通过导通孔14实现与背面焊盘123导通连接。所述背面焊盘123的下表面镀金。通过设置多个正面导线111和多个背面导线121，从而对各个金属围坝13和各组正面焊盘113通电，从而实现金属围坝13镀铝，背面焊盘123与正面焊盘113镀金。通过金属围坝13镀铝，在uvc封装时，金属围坝13的表面为镀铝层可以提高uv反射率，有利于提高金属围坝腔体的气密性。
38.在本实施例中，所述陶瓷基板本体10为氮化铝或氧化铝材质或其他陶瓷材质。所述氮化铝陶瓷基板的热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的集成电路散热基板和封装材料。其中氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。
39.优选地，所述正面导线111通过电镀的方式设置于正面11上，所述背面导线121通过电镀的方式设置于背面12上。
40.所述背面焊盘123印刷uv油墨124。通过喷墨打印机定制的uv油墨，其颜色主要为透明、白色或黑色等。uv油墨有对uv光选择性吸收的特性。干燥受uv光源辐射光的总能量和不同波长光能量分布的影响。在uv光的照射下，uv油墨光聚合引发剂吸收一定波长的光子，激发到激发态，形成自由基或离子，然后通过分子间能量转移，使聚合的预聚物和光敏感的单体和聚合物成为激发态，产生的电荷转移复合体，这些复杂的粒子不断交联聚合，固化成膜。
41.本实用新型的设计重点在于，其主要是通过正面焊盘与背面焊盘的配合，通过设置多个正面导线和多个背面导线，使得正面导线和背面导线分别与上金属边框和下金属边框实现导通，实现对金属围坝和正面焊盘通电，从而实现对金属围坝表面镀铝，背面焊盘与正面焊盘镀金，通过这种设计，在uvc封装时，金属围坝的表面为镀铝层可以提高uv反射率，有利于提高金属围坝腔体的气密性，有效解决了传统技术中反光率低和光效利用率低的问题。
42.以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

技术特征：
1.一种提高uv反射率的陶瓷基板，其特征在于:包括有陶瓷基板本体，所述陶瓷基板本体具有相对侧设置的正面和背面；所述陶瓷基板本体的正面设置有正面导线，所述陶瓷基板本体的正面对应正面导线上方设置有上金属边框、金属围坝，相邻金属围坝之间以及上金属边框与对应的金属围坝之间通过对应的正面导线导通连接；所述金属围坝的表面镀铝，形成有镀铝层；所述陶瓷基板本体的正面对应金属围坝所围区域内设置有若干个正面焊盘；所述陶瓷基板本体的背面设置有若干个背面导线，所述陶瓷基板本体的背面对应背面导线下方设置有下金属边框、背面焊盘，所述下金属边框、背面焊盘之间通过对应的背面导线导通连接；所述正面焊盘通过导通孔实现与背面焊盘导通连接。2.根据权利要求1所述的一种提高uv反射率的陶瓷基板，其特征在于：所述金属围坝具有第一环形部和一体凸设于第一环形部顶端的第二环形部，且所述第二环形部的内侧与第一环形部的顶端形成台阶面；所述第一环形部和第二环形部的内侧面、台阶面均镀铝。3.根据权利要求1所述的一种提高uv反射率的陶瓷基板，其特征在于：所述陶瓷基板本体为氮化铝或氧化铝材质。4.根据权利要求1所述的一种提高uv反射率的陶瓷基板，其特征在于：所述正面焊盘的上表面与背面焊盘的下表面均镀金。5.根据权利要求1所述的一种提高uv反射率的陶瓷基板，其特征在于：所述正面导线通过电镀的方式设置于陶瓷基板本体的正面上。6.根据权利要求1所述的一种提高uv反射率的陶瓷基板，其特征在于：所述背面导线通过电镀的方式设置于陶瓷基板本体的背面上。7.根据权利要求1所述的一种提高uv反射率的陶瓷基板，其特征在于：所述背面焊盘印刷uv油墨。

技术总结
本实用新型公开一种提高UV反射率的陶瓷基板，包括有陶瓷基板本体，陶瓷基板本体具有相对侧设置的正面和背面；陶瓷基板本体的正面设置有正面导线，相邻金属围坝之间以及上金属边框与对应的金属围坝之间通过对应的正面导线导通连接；金属围坝的表面镀铝；陶瓷基板本体的正面对应金属围坝所围区域内设置有若干个正面焊盘；陶瓷基板本体的背面设置有若干个背面导线，陶瓷基板本体的背面对应背面导线下方设置有下金属边框、背面焊盘,正面焊盘与背面焊盘的配合，实现对金属围坝和正面焊盘通电，实现对金属围坝表面镀铝，背面焊盘与正面焊盘镀金，在UVC封装时，金属围坝的表面为镀铝层可以提高UV反射率，有利于提高金属围坝腔体的气密性。的气密性。的气密性。


技术研发人员：黄嘉铧 罗素扑 袁广
受保护的技术使用者：惠州市芯瓷半导体有限公司
技术研发日：2021.11.25
技术公布日：2022/5/25