一种清洗装置的制作方法

1.本技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种清洗装置。


背景技术：

2.随着半导体器件的高度集成化，微量杂质的混入都可能会对半导体器件的性能或者其成品率造成负面影响。因此，在半导体器件的制造工艺中，需要在各工序中进行清洗，严格控制各工序中的污染物，以避免微量杂质的混入。
3.对于半导体器件进行清洗通常包括依次去除有机物、去除自然氧化物、去除微粒以及去除金属等步骤。首先，采用氧化能力较强的清洗液将有机物氧化成二氧化碳和水，以实现去除晶圆表面覆盖的有机物的目的；然后，采用酸性溶液溶解晶圆表面的自然氧化物；接着，可以采用酸性溶液或碱性溶液去除晶圆表面的微粒；最后，采用酸性溶液去除晶圆表面的金属污染物。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术为解决现有技术中存在的至少一个技术问题而提供一种清洗装置。
5.为达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的：
6.本技术实施例提供一种清洗装置，所述装置包括：清洗腔室、至少一个第一排液结构和至少一个第二排液结构；
7.每个所述第一排液结构包括第一排液管及第一废液槽；
8.每个所述第二排液结构包括第二排液管及第二废液槽；
9.所述清洗腔室的底部设有至少一个第一开口和至少一个第二开口；所述第一开口与所述第一排液结构连接以排出第一废液，所述第二开口与所述第二排液结构连接以排出第二废液；
10.其中，所述第一废液与所述第二废液的化学性质不同。
11.根据本技术的一种实施方式，所述第二废液为能与所述第一废液发生化学反应并产生结晶的液体。
12.根据本技术的一种实施方式，所述第一排液管连接于所述第一开口和所述第一废液槽之间；所述第二排液管连接于所述第二开口和所述第二废液槽之间。
13.根据本技术的一种实施方式，所述装置还包括：第一阀门和第二阀门；
14.所述第一阀门设置于所述第一开口处，用于控制所述清洗腔室和所述第一排液管之间的连通或隔断；
15.所述第二阀门设置于所述第二开口处，用于控制所述清洗腔室和所述第二排液管之间的连通或隔断。
16.根据本技术的一种实施方式，所述装置还包括：控制器；
17.所述控制器分别与所述第一阀门、所述第二阀门连接，所述控制器用于控制所述
第一阀门开启和所述第二阀门关闭，或控制所述第一阀门关闭和所述第二阀门开启。
18.根据本技术的一种实施方式，所述第一开口和所述第二开口分别设于所述清洗腔室的底部相互远离的两侧。
19.根据本技术的一种实施方式，所述第一排液管和所述第二排液管为软管。
20.根据本技术的一种实施方式，每个所述第一排液结构还包括：第一过滤部；
21.所述第一过滤部设于所述第一排液管的入口处。
22.根据本技术的一种实施方式，每个所述第二排液结构还包括：第二过滤部；
23.所述第二过滤部设于所述第二排液管的入口处。
24.根据本技术的一种实施方式，所述第一排液管为可拆卸的排液管；所述第二排液管为可拆卸的排液管。
25.根据本技术的一种实施方式，所述第一排液管和所述第二排液管互不连通。
26.本技术实施例提供了一种清洗装置，所述装置包括：清洗腔室、至少一个第一排液结构和至少一个第二排液结构；每个所述第一排液结构包括第一排液管及第一废液槽；每个所述第二排液结构包括第二排液管及第二废液槽；所述清洗腔室的底部设有至少一个第一开口和至少一个第二开口；所述第一开口与所述第一排液结构连接以排出第一废液，所述第二开口与所述第二排液结构连接以排出第二废液；其中，所述第一废液与所述第二废液的化学性质不同。本技术实施例提供的清洗装置，分别使用第一排液结构和第二排液结构以排出第一废液和第二废液，以避免化学性质不同的第一废液和第二废液在排液管内互相接触，从而导致排液管被污染。
附图说明
27.图1为本技术实施例的清洗装置的结构示意图；
28.图2a和图2b为本技术实施例的排液管的结构示意图；
29.图3为本技术实施例的清洗装置的内导管的结构示意图；
30.图4为本技术实施例的清洗装置的简化示意图；
31.图5a和图5b为本技术另一实施例的清洗装置的结构示意图；
32.图中包括：10-清洗腔室；20-开口；30-排液管；40-内导管；41-上部开口；42-下部开口；51-第一废液槽；52-第二废液槽；101-第一开口；102-第二开口；201-第一阀门；202-第二阀门；301-第一排液管；302-第二排液管。
具体实施方式
33.下面将结合本技术实施方式及附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本技术的一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
34.在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。
35.在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
36.应当明白，当元件或层被称为“在
……
上”、“与
……
相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
……
上”、“与
……
直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时，并不表明本技术必然存在第一元件、部件、区、层或部分。
37.空间关系术语例如“在
……
下”、“在
……
下面”、“下面的”、“在
……
之下”、“在
……
之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在
……
下面”和“在
……
下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
38.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
39.为了彻底理解本技术，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本技术的技术方案。本技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本技术还可以具有其他实施方式。
40.随着半导体器件的高度集成化，微量杂质的混入都可能会对半导体器件的性能或者其成品率造成负面影响。因此，在半导体器件的制造工艺中，需要在各工序中进行清洗，严格控制各工序中的污染物，以避免微量杂质的混入。
41.上述待清洗的半导体器件可以为在任意一段工艺中的半导体器件的半成品或者半导体器件的制成品。其中，待清洗的半导体器件可以为晶圆，下面将以晶圆的清洗为例进行说明。
42.参考图1，图1为本技术实施例的清洗装置的结构示意图。如图1所示，本技术实施例的清洗装置包括清洗腔室10，在该清洗腔室10的底部设有一个开口20(如图1(a)和(b)中虚线圆框所示)，该开口20与排液管30连通。
43.在本技术的一些实施例中，清洗腔室(chamber)内可以设置有晶圆架(wafer holder)，待清洗的晶圆可以被安装在晶圆架上，设置在清洗腔室内。在本技术的一些实施例中，清洗腔室内还可以设置有清洗液供应部，用于向待清洗的晶圆表面供应清洗液。具体
地，在清洗的过程中，清洗液供应部向待清洗的晶圆表面滴加清洗液，待清洗的晶圆通过旋转(spin)，利用离心力的作用使得清洗液在待清洗的晶圆表面分散均匀，以实现对晶圆表面的充分清洗。清洗之后产生废液通过清洗腔室底部的开口，经过排液管后排出。
44.可以理解的是，在集成电路(integrated circuit，ic)的制程中，晶圆的清洗技术和洁净度，是影响晶圆制程良率以及可靠性的关键因素。这里晶圆的清洗主要是利用各种化学试剂和有机溶剂清洗附着在晶圆表面的各种杂质，例如有机物、自然氧化物、微粒以及金属离子等等，随后利用去离子水进行冲洗。
45.针对晶圆表面不同类型的杂质，需要使用不同化学性质的化学试剂进行清洗。针对晶圆表面的有机物杂质，可以使用硫酸双氧水混合物(sulfuric peroxide mixture，spm)，即h2so4/h2o2/h2o，将晶圆表面的有机物氧化成二氧化碳和水。针对晶圆表面的自然氧化物杂质，可以使用稀释氢氟酸(dhf)，溶解晶圆表面的自然氧化物。针对晶圆表面的微粒杂质，可以使用氨水双氧水混合物(ammonia peroxide mixture，apm)，即nh4oh/h2o2/h2o，也称为标准清洗液1(standard clean 1，sc1)，由于双氧水的氧化作用，在晶圆的表面上有一层自然氧化物薄膜(即sio2)，被氨水腐蚀后，附着在晶圆表面的微粒便随着清洗液被冲走，从而达到去除微粒的作用。针对晶圆表面的金属杂质，可以使用盐酸双氧水混合物(hydrochloride peroxide mixture，hpm)，即hcl/h2o2/h2o，也称为标准清洗液2(standard clean 2，sc2)，用于去除晶圆表面的金属杂质。这里，在晶圆清洗过程中使用的水均为去离子水(deionized water)，以避免清洗过程中引入额外的杂质。
46.仍参考图1，在排液管30的内部还设置有内导管40(如图(a)和(b)中虚线方框所示)。参考图2a和2b，图2a和图2b为本技术实施例的排液管的结构示意图；参考图3，图3为本技术实施例的清洗装置的内导管的结构示意图。结合图2a、图2b和图3可知，内导管40上设置有上部开口41和下部开口42。如图2a和图3中实线箭头方向所示，内导管40在排液管的内部是可以旋转的，当旋转至上部开口41对准第一废液槽51时，可以将第一废液经由上部开口41排出至第一废液槽51中(如图1中(b)图所示)；当旋转至下部开口42对准第二废液槽52时，可以将第二废液经由下部开口42排出至第二废液槽52中(如图1中(a)图所示)。这里，图1示出的清洗装置仅有一个清洗腔室10，(a)和(b)分别示出了其在排出两种不同废液的情况下，内导管40的不同开口与不同废液槽之间的配合关系。
47.如前所述，针对晶圆表面的不同杂质，可以使用不同化学性质的清洗液进行清洗。但是，在排出废液的过程中，不同化学性质的废液排出均会经过排液管(drain pipe)以及内导管(inner duct)。可以举例的是，在使用稀释氢氟酸清洗后，紧接着使用氨水双氧水混合物进行清洗，如此在排液管中，可能存在化学性质不同的两种溶液在排液管内相互接触，从而导致排液管被污染。甚至更严重的是，在排液管内残留的酸性溶液(acid)会与碱性溶液(alkali)会发生化学反应并产生结晶(crystal)。如图2a中虚线圆框所示，在开口与排液管的连接处，尤其可能会存在残留的结晶颗粒。图2a和图2b中虚线箭头示出了排液管30内的液体流动方向。如果排液管为图2b所示的弯管，那么在排液管内更容易残留有结晶颗粒，且结晶颗粒附着在管壁上，不便于清理去除。
48.继续参考图4，图4为本技术实施例的清洗装置的简化示意图。如图4所示，打开清洗腔室，开口与排液管的连接处残留的结晶颗粒(如图4中虚线圆框所示)可能会附着到待清洗的晶圆的表面。随着晶圆的旋转，结晶颗粒可能会分布在晶圆的整个表面上，导致表面
的表面附着有大量的结晶颗粒，从而导致晶圆的平整度和洁净度不满足需求，严重的甚至会导致晶圆的表面出现划伤。因此，为了确保晶圆表面清洁处理能够满足使用需求，需要对排液管内积累的结晶颗粒进行定期清理，例如每两周清理一次(biweekly)。又或者，如果已经观察到晶圆表面出现结晶颗粒物，可以使用化学机械研磨工艺(chemical mechanical polishing，cmp)，对晶圆表面进行返工(rework)处理。
49.有鉴于此，本技术实施例提供一种清洗装置，所述装置包括：清洗腔室、至少一个第一排液结构和至少一个第二排液结构；
50.每个所述第一排液结构包括第一排液管及第一废液槽；
51.每个所述第二排液结构包括第二排液管及第二废液槽；
52.所述清洗腔室的底部设有至少一个第一开口和至少一个第二开口；所述第一开口与所述第一排液结构连接以排出第一废液，所述第二开口与所述第二排液结构连接以排出第二废液；
53.其中，所述第一废液与所述第二废液的化学性质不同。
54.下文中为了便于描述，以清洗装置仅包括一个第一排液结构和一个第二排液结构为例进行阐述，其不应视为对本技术保护范围的限制。
55.参考图5a和图5b，图5a和图5b为本技术另一实施例的清洗装置的结构示意图。如图5a和图5b所示，本技术另一实施例的清洗装置包括清洗腔室10、第一排液结构和第二排液结构；其中，第一排液结构包括第一排液管301及第一废液槽51；第二排液结构包括第二排液管302及第二废液槽52；清洗腔室10的底部设有第一开口101和第二开口102；第一开口101与第一排液结构连接以排出第一废液，第二开口102与第二排液结构连接以排出第二废液。换言之，第一排液管301连接于第一开口101和第一废液槽51之间，用于将第一废液排至第一废液槽51；第二排液管302连接于第二开口102和第二废液槽52之间，用于将第二废液排至第二废液槽52；其中，第一废液与第二废液的化学性质不同。图5a和图5b仅用于示意第一/第二排液管和第一/第二废液槽之间的连接关系，并不用于限定第一排液管和第二排液管之间的长度关系，也不用于限定第一废液槽和第二废液槽之间的位置关系。
56.可以理解的是，针对晶圆表面的不同杂质，使用不同化学性质的清洗液进行清洗，从而可以产生不同化学性质的废液。上述清洗装置分别使用第一排液结构和第二排液结构以排出第一废液和第二废液，以避免化学性质不同的第一废液和第二废液在排液管内互相接触，从而导致排液管被污染。
57.在本技术的一些实施例中，所述第二废液为能与所述第一废液发生化学反应并产生结晶的液体。
58.这里清洗装置内使用的清洗液可以为任何适用于对半导体器件(例如晶圆)进行清洗的溶液。将清洗过程产生的废液根据其化学性质的不同，分为第一废液和第二废液，第一废液和第二废液接触后会发生化学反应并产生结晶颗粒。
59.在本技术的一些实施例中，所述第一废液可为酸性溶液清洗后产生的废液；所述第二废液可为碱性溶液清洗后产生的废液。在本技术的另一些实施例中，所述第一废液可为碱性溶液清洗后产生的废液；所述第二废液可为酸性溶液清洗后产生的废液。具体地，通过酸性溶液和碱性溶液发生酸碱中和反应，产生结晶盐颗粒物残留在排液管内。
60.下文中为了便于说明，以第一废液为酸性溶液清洗后产生的废液，第二废液为碱
性溶液清洗后产生的废液为例进行说明。如图5a所示，酸性溶液清洗后产生的第一废液经过第一开口101从清洗腔室10内排出，流经第一排液管301后进入第一废液槽51。如图5b所示，碱性溶液清洗后产生的第二废液经过第二开口102从清洗腔室10内排出，流经第二排液管302后浸入第二废液槽52。仍参考图5a和图5b，第一开口101和第二开口102分别设于清洗腔室10的底部相互远离的两侧。这里的第一排液管301与第一开口101连通，第二排液管与第二开口102连通，因此，第一排液管301和第二排液管302互不连通。
61.可以理解的是，由于呈现酸性的第一废液和呈现碱性的第二废液分别通过不同的开口，流经不同的排液管，最终进入不同的废液槽中，有效地避免了第一废液和第二废液的之间接触，从而可避免二者发生化学反应产生结晶颗粒堵塞排液管。进一步还可以避免结晶颗粒附着在晶圆的表面，从而导致晶圆的表面清洗不满足使用需求。也就是说，本技术实施例提供的清洗装置可以减少生产维护时间(productive maintenance time，pm time)、节约成本(cost saving)、增加装置的运行时间(uptime)以及节约人力(manpowder saving)，最终可以提高产量(yeild improvement)。
62.在本技术的一些实施例中，所述酸性溶液可以包括氢氟酸、硫酸、盐酸、硝酸、磷酸、醋酸或其组合。可以举例的是，所述酸性溶液可以为任意一种酸性溶液，例如，氢氟酸；或者，所述酸性溶液可以为任意两种酸性溶液的组合，例如，醋酸和硝酸的混合溶液；又或者，所述酸性溶液可以为任意多种酸性溶液的组合，例如，盐酸、硝酸和醋酸的混合溶液。可以理解的是，使用所述酸性溶液对晶圆表面进行清洗的过程中，所述酸性溶液还可以包括去离子水和/或双氧水。例如，使用稀释氢氟酸对晶圆表面进行清洗，或者使用硫酸双氧水混合物对晶圆表面进行清洗。
63.在本技术的一些实施例中，所述碱性溶液可以包括氨水、氢氧化钾或其组合。可以理解的是，使用所述碱性溶液对晶圆表面进行清洗的过程中，所述碱性溶液还可以包括去离子水和双氧水。例如，使用氨水双氧水混合物对晶圆表面进行清洗。
64.仍参考图5a和图5b，所述清洗装置还包括第一阀门201和第二阀门202，第一阀门201设置于第一开口101处，用于控制清洗腔室10和第一排液管301之间的连通或隔断；第二阀门202设置于第二开口102处，用于控制清洗腔室10和第二排液管302之间的连通或隔断。所述清洗装置还可以包括控制器(图5a和图5b均未示出)，控制器分别与第一阀门201、第二阀门202连接，控制器用于控制第一阀门201开启和第二阀门202关闭，或控制第一阀门201关闭和第二阀门202开启。换言之，在第一阀门201开启的情况下，第二阀门202关闭，或第二阀门202开启的情况下，第一阀门201关闭。也就是说，在同一时间段内，第一阀门和第二阀门中有且仅有一个处于开启状态。
65.图5a示出的清洗装置中，第一阀门201处于开启(open)状态，第二阀门202处于关闭(close)状态。此时，由酸性溶液清洗后产生的第一废液经过第一开口从清洗腔室内排出，流经第一排液管后，排出至第一废液槽。
66.图5b示出的清洗装置中，第一阀门201处于关闭(close)状态，第二阀门202处于开启(open)状态。此时，由碱性溶液清洗后产生的第二废液经过第二开口从清洗腔室内排出，流经第二排液管后，排出至第二废液槽。
67.可以理解的是，在使用酸性溶液清洗晶圆后，其由此产生的第一废液通过第一开口，流经第一排液管后，排出至第一废液槽。在酸性溶液清洗后，使用去离子水对晶圆进行
清洗，其产生的废液中也可能含有部分残留的酸，呈现出弱酸性，因此也通过第一开口排出至第一废液槽。在使用碱性溶液清洗晶圆后，其由此产生的第二废液通过第二开口，流经第二排液管后，排出至第二废液槽。在碱性溶液清洗后，使用去离子水对晶圆进行清洗，其产生的废液中也可能含有部分残留的碱，呈现出弱碱性，因此也通过第二开口排出至第二废液槽。
68.在本技术的一些实施例中，所述清洗装置还可以包括第一抽吸部和第二抽吸部，所述第一抽吸部与所述第一排液管连接，用于促进第一废液快速地流经第一排液管，排出至第一废液槽；所述第二抽吸部与所述第二排液管连接，用于促进第二废液快速地流经第二排液管，排出至第二废液槽。可以理解的是，通过第一/第二抽吸部的压力作用，能够促进第一/第二废液快速排出。第一/第二抽吸部可以例如为泵。
69.在本技术的一些实施例中，所述第一排液管和所述第二排液管为软管。在本技术实施例提供的清洗装置中，可以使用软管，即形状可以调整的排液管。使用软管作为排液管，首先，可以减少排液管的安装应力，避免由于空间位置条件的限制，造成排液管安装工作上的困难；其次，可以吸收清洗装置中管道系统的振动；最后，可以补偿在清洗装置运转过程中管道系统的位置移动。可以举例的是，在第一抽吸部和第二抽吸部运行的过程中，软管作为排液管可以吸收第一/第二抽吸部引起的管道振动。
70.在本技术的一些实施例中，所述第一排液管为可拆卸的排液管；所述第二排液管为可拆卸的排液管。具体地，第一排液管的上端与第一开口可拆卸连接，第一排液管的下端与第一废液槽可拆卸连接；第二排液管的上端与第二开口可拆卸连接，第二排液管的下端与第二废液槽可拆卸连接。这里的“上端”和“下端”根据液体的流动方向来划分，“上端”指的是液体的流入方向，“下端”指的是液体的流出方向。
71.在一个实施例中，第一/第二排液管与第一/第二开口之间可以通过螺纹连接。在需要对第一/第二排液管进行更换或清洗时，可以将第一/第二排液管的上端从第一/第二开口取出。在另一个实施例中，第一/第二排液管与第一/第二废液槽之间可以通过卡扣连接，在需要对第一/第二排液管进行更换或清洗时，可以将第一/第二排液管的下端从第一/第二废液槽取出。
72.在本技术的一些实施例中，每个所述第一排液结构还包括：第一过滤部；所述第一过滤部设于所述第一排液管的入口处。也就是说，第一过滤部与第一排液管连接，用于对流入第一排液管的第一废液进行过滤。
73.在本技术的一些实施例中，每个所述第二排液结构还包括：第二过滤部；所述第二过滤部设于所述第二排液管的入口处。也就是说，第二过滤部与第二排液管连接，用于对流入第二排液管的第二废液进行过滤。
74.可以理解的是，酸性溶液或碱性溶液作为清洗液，其通过与晶圆表面的杂质发生反应，从而达到去除晶圆表面杂质的目的。因此，第一废液或第二废液中可能会携带有固体颗粒物，设置第一/第二过滤部分别用于对第一/第二废液进行过滤，以避免其含有的固体颗粒物堵塞排液管。进一步的，所述清洗装置还可以包括第一抽吸部和第二抽吸部，对第一/第二废液进行过滤，也可以避免废液中的固体颗粒物堵塞抽吸部。
75.在本技术的另一实施例中，所述清洗装置可以为适用于对晶圆斜面进行清洗的斜面清洗工具(bevel clean tool，bel)。
76.本技术实施例提供的清洗装置，所述装置包括：清洗腔室、至少一个第一排液结构和至少一个第二排液结构；每个所述第一排液结构包括第一排液管及第一废液槽；每个所述第二排液结构包括第二排液管及第二废液槽；所述清洗腔室的底部设有至少一个第一开口和至少一个第二开口；所述第一开口与所述第一排液结构连接以排出第一废液，所述第二开口与所述第二排液结构连接以排出第二废液；其中，所述第一废液与所述第二废液的化学性质不同。本技术实施例提供的清洗装置，分别使用第一排液结构和第二排液结构以排出第一废液和第二废液，以避免化学性质不同的第一废液和第二废液在排液管内互相接触，从而导致排液管被污染。
77.应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本技术的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本技术的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术实施例的实施过程构成任何限定。上述本技术实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
78.以上所述仅为本技术的优选实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是在本技术的构思下，利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本技术的专利保护范围内。

技术特征：
1.一种清洗装置，其特征在于，所述装置包括：清洗腔室、至少一个第一排液结构和至少一个第二排液结构；每个所述第一排液结构包括第一排液管及第一废液槽；每个所述第二排液结构包括第二排液管及第二废液槽；所述清洗腔室的底部设有至少一个第一开口和至少一个第二开口；所述第一开口与所述第一排液结构连接以排出第一废液，所述第二开口与所述第二排液结构连接以排出第二废液；其中，所述第一废液与所述第二废液的化学性质不同。2.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述第二废液为能与所述第一废液发生化学反应并产生结晶的液体。3.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述第一排液管连接于所述第一开口和所述第一废液槽之间；所述第二排液管连接于所述第二开口和所述第二废液槽之间。4.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述装置还包括：第一阀门和第二阀门；所述第一阀门设置于所述第一开口处，用于控制所述清洗腔室和所述第一排液管之间的连通或隔断；所述第二阀门设置于所述第二开口处，用于控制所述清洗腔室和所述第二排液管之间的连通或隔断。5.如权利要求4所述的清洗装置，其特征在于，所述装置还包括：控制器；所述控制器分别与所述第一阀门、所述第二阀门连接，所述控制器用于控制所述第一阀门开启和所述第二阀门关闭，或控制所述第一阀门关闭和所述第二阀门开启。6.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述第一开口和所述第二开口分别设于所述清洗腔室的底部相互远离的两侧。7.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述第一排液管和所述第二排液管为软管。8.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，每个所述第一排液结构还包括：第一过滤部；所述第一过滤部设于所述第一排液管的入口处。9.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，每个所述第二排液结构还包括：第二过滤部；所述第二过滤部设于所述第二排液管的入口处。10.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述第一排液管为可拆卸的排液管；所述第二排液管为可拆卸的排液管。11.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述第一排液管和所述第二排液管互不连通。

技术总结
本申请提供一种清洗装置，所述装置包括：清洗腔室、至少一个第一排液结构和至少一个第二排液结构；每个所述第一排液结构包括第一排液管及第一废液槽；每个所述第二排液结构包括第二排液管及第二废液槽；所述清洗腔室的底部设有至少一个第一开口和至少一个第二开口；所述第一开口与所述第一排液结构连接以排出第一废液，所述第二开口与所述第二排液结构连接以排出第二废液；其中，所述第一废液与所述第二废液的化学性质不同。该清洗装置分别使用第一排液结构和第二排液结构以排出第一废液和第二废液，以避免化学性质不同的第一废液和第二废液在排液管内互相接触，从而导致排液管被污染。污染。污染。


技术研发人员：王康 祁学龙 周永平
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.09.27
技术公布日：2022/5/25